专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种阴道冲洗器-CN202223493842.4有效
  • 高竹薇;马丽莎;陈星慧;赵居艳;何军晶;牛雅茹;阳照君 - 昆明市妇幼保健院
  • 2022-12-27 - 2023-05-09 - A61M3/02
  • 本实用新型公开了一种阴道冲洗器,包括:中心安装管,所述中心安装管内部设置有输水管,所述中心安装管一端固定设置有快速接头,所述快速接头与所述输水管贯通连接,所述中心安装管远离所述快速接头一端套设有第一伞形刮板,所述中心安装管中部套设有两个第二伞形刮板,所述第一伞形刮板与所述第二伞形刮板之间以及两个所述第二伞形刮板之间均连接有垂直橡胶拉绳。本实用新型通过在中心安装管上安装第一伞形刮板与第二伞形刮板,能够将阴道中粘性的絮凝状分泌物进行刮除,且由于第一伞形刮板张开后能够阻挡喷水孔喷出的冲洗水靠近子宫口,因此不会导致带有分泌物的冲洗水冲到子宫处,避免对子宫造成不必要的伤害。
  • 一种阴道冲洗
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110824571.7在审
  • 蔡巧明;阎海涛;马丽莎 - 中芯北方集成电路制造(北京)有限公司
  • 2021-07-21 - 2023-02-03 - H01L27/088
  • 一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:在多晶硅栅极层侧部的基底上形成第一层间介质层,第一层间介质层覆盖多晶硅栅极层的侧壁;在第一层间介质层和多晶硅栅极层的顶部形成盖帽介质层;在第一器件区中,刻蚀多晶硅栅极层顶部的盖帽介质层,在盖帽介质层中形成露出多晶硅栅极层的开口;在开口露出的多晶硅栅极层的顶部形成金属硅化物层;去除剩余的盖帽介质层;在第一层间介质层和多晶硅栅极层的顶部形成第二层间介质层;在第一器件区中,在多晶硅栅极层的顶部形成贯穿第二层间介质层的栅极插塞,栅极插塞与金属硅化物相连接。降低第一器件区基底上的第一层间介质层与其他区域基底上的第一层间介质层产生高度差的概率。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110844892.3在审
  • 蔡巧明;阎海涛;马丽莎 - 中芯北方集成电路制造(北京)有限公司
  • 2021-07-26 - 2023-02-03 - H01L27/146
  • 本申请提供半导体结构及其形成方法,所述半导体结构包括:半导体衬底,所述半导体衬底包括阱区以及位于所述阱区中的像素区;隔离结构,位于所述像素区两侧的阱区中,所述隔离结构包括隔离材料层和位于所述隔离材料层两侧以及底部的第一氧化层;掺杂层,位于所述隔离结构两侧以及底部。本申请提供一种半导体结构及其形成方法,通过预掺杂后扩散的方式在隔离结构的两侧和底部形成高浓度的掺杂层,所述掺杂层可以防止暗电流的产生,从而解决图像传感器中深沟槽隔离结构导致的暗电流问题。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110674533.8在审
  • 蔡巧明;马丽莎 - 中芯北方集成电路制造(北京)有限公司
  • 2021-06-17 - 2022-12-20 - H01L29/78
  • 一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供半导体衬底,包括电阻区,电阻区的半导体衬底上形成有电阻结构材料层;在电阻区中,在电阻结构材料层中形成一个或多个平行的沟槽,沟槽贯穿部分厚度的电阻结构材料层;在形成沟槽后,图形化电阻结构材料层,去除沟槽外侧的部分电阻结构材料层,保留包含有沟槽的部分电阻结构材料层作为电阻结构;在电阻结构侧部的半导体衬底上形成介质层,介质层还填充于沟槽中,且介质层露出电阻结构的顶部;沿电阻结构的延伸方向,去除电阻结构和介质层交界处的部分电阻结构,形成由介质层和剩余的电阻结构围成的开口;在开口中形成电极。电阻结构顶部形成有沟槽,降低了电阻结构顶面出现凹陷缺陷的概率。
  • 半导体结构及其形成方法

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