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[发明专利]复合载流子传输层及其制备方法、太阳能电池和发光器件-CN202011556792.2有效
发明人：解俊杰;徐琛;李子峰;吴兆;靳金玲 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种复合载流子传输层及其制备方法、太阳能电池和发光器件，涉及太阳能光伏技术领域。其中，在通过溶液涂敷法在基底上制备了第一载流子传输层后，采用金属材料通过沉积‑氧化制备金属氧化物层，由于金属材料易于沉积，可以对第一载流子传输层上的缺陷进行填补，从而得到更均匀、致密的薄膜，金属氧化物层与第一载流子传输层构成的复合载流子传输层在实现载流子传输的功能时，由于具有更平整的表面结构和对透明导电衬底更高的覆盖率，因此，能够有效减少载流子的界面非辐射复合，提升发光器件或太阳能电池的转换效率。
复合载流子传输及其制备方法太阳能电池发光器件

[发明专利]一种太阳能电池及光伏组件-CN202110236194.5有效
发明人：解俊杰;徐琛;李子峰;吴兆;靳金玲;刘童 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开一种太阳能电池及光伏组件，涉及光伏技术领域，在实现载流子能量选择性传输的基础上降低能量选择性接触层的制作难度。该太阳能电池包括：吸收层；位于吸收层表面的能量选择性接触层，能量选择性接触层具有电子能量或空穴能量的选择性；其中，能量选择性接触层的材料包括低维钙钛矿材料。本发明提供的太阳能电池及光伏组件用于制造光伏组件。
一种太阳能电池组件

[发明专利]一种热载流子太阳能电池及光伏组件-CN202011592091.4有效
发明人：解俊杰;徐琛;李子峰;吴兆;靳金玲 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开一种热载流子太阳能电池及光伏组件，涉及光伏技术领域，以提高光吸收层对太阳光的吸收。该电池包括：衬底以及形成于衬底上的第一电极、第一热载流子传输层、光吸收层、第二热载流子传输层和第二电极。光吸收层具有三维结构。第一电极包括导电层以及形成在导电层上的至少一个导电凸起，导电凸起伸入第一热载流子传输层内，和/或第二电极包括导电层以及形成在导电层上的至少一个导电凸起，导电凸起伸入第二热载流子传输层内；光吸收层的三维结构在垂直衬底的方向上具有第一高度，导电凸起至少部分位于第一高度的范围内。本发明提供的热载流子太阳能电池及光伏组件用于制造热载流子光伏组件。
一种载流子太阳能电池组件

[发明专利]光伏器件-CN202011308259.4有效
发明人：吴兆;徐琛;李子峰;靳金玲;解俊杰 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L31/055 文献下载
摘要：本发明提供一种光伏器件，涉及太阳能光伏技术领域。光伏器件包括光吸收层、空穴选择性接触层和电子选择性接触层；光吸收层为具有中间带的半导体材料，中间带通过掺杂第一型杂质形成；空穴选择性接触层、电子选择性接触层在光吸收层对应的区域分别为第一区域、第二区域；光吸收层的表层在第一区域、第二区域处对应形成第一过渡区、第二过渡区；光吸收层除第一过渡区、第二过渡区外的部分为光吸收主体；第一过渡区、第二过渡区中第一型杂质的浓度小于相应第一型杂质在光吸收主体中的浓度。光吸收主体的中间带掺杂浓度较高，形成了连续的中间带，第一过渡区、第二过渡区中间带掺杂浓度较低，减少晶格畸变等缺陷，提升少子寿命，改善多子传导效率。
器件

[发明专利]光伏器件-CN202011303596.4有效
发明人：吴兆;徐琛;李子峰;靳金玲;解俊杰 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明提供一种光伏器件，涉及太阳能光伏技术领域。光伏器件包括：光吸收体、空穴选择性接触层、电子选择性接触层；光吸收体包含具有中间带的半导体材料；空穴选择性接触层、电子选择性接触层对应的区域分别为第一区域、第二区域；光吸收体的表层至少在第一区域和/或第二区域处形成过渡区，过渡区不具有中间带。过渡区不具有中间带，规避具有中间带的光吸收体在与选择性接触材料接触的位置，中间带电子发生非局域跃迁，提升光伏器件的输出功率。具有中间带的半导体材料起到辅助电子激发的作用，电子可以吸收低能量光子进入中间带，再吸收中等能量光子由中间带激发进入导带，因此，光吸收体具有较高光能利用率，可以实现较高的光电转换效率。
器件

[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池及其制作方法-CN202011343679.6有效
发明人：解俊杰;徐琛;李子峰;吴兆;靳金玲 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H10K71/40 文献下载
摘要：本发明公开一种钙钛矿太阳能电池及其制作方法，涉及光伏技术领域，以制作能够完全覆盖衬底且缺陷较少的钙钛矿层。该钙钛矿太阳能电池的制作方法包括：提供一衬底；在衬底上形成钙钛矿籽晶；将钙钛矿籽晶浸入钙钛矿溶液中；在钙钛矿籽晶的诱导下，钙钛矿籽晶生长成钙钛矿薄膜；对钙钛矿薄膜进行退火处理，形成钙钛矿层。本发明提供的钙钛矿太阳能电池及其制作方法用于太阳能电池制造。
一种钙钛矿太阳能电池及其制作方法

[发明专利]碳化硅电池-CN202011308295.0有效
发明人：吴兆;徐琛;李子峰;靳金玲;解俊杰 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅电池，涉及太阳能光伏技术领域。碳化硅电池包括：电子选择性接触层、空穴选择性接触层、碳化硅吸收层；电子选择性接触层碳化硅吸收层之间具有第一界面层；和/或，空穴选择性接触层、碳化硅吸收层之间具有第二界面层；第一界面层、第二界面层的材料均选自碱金属、碱土金属、碱金属的卤化物、碱土金属的卤化物中的至少一种。第一界面层和/或第二界面层，钝化金属与碳化硅材料接触区域的缺陷，降低接触界面势垒，降低串联电阻，提升碳化硅电池的光电转换效率。
碳化硅电池

[发明专利]碳化硅光伏器件-CN202011341184.X有效
发明人：吴兆;徐琛;李子峰;靳金玲;解俊杰 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅光伏器件，涉及太阳能光伏技术领域。碳化硅光伏器件包括：碳化硅吸收层、位于碳化硅吸收层表面的化学钝化层、以及位于化学钝化层上的场钝化层；化学钝化层包含第一钝化层；所述化学钝化层还可以包含第二钝化层，第二钝化层位于第一钝化层和碳化硅吸收层之间；第一钝化层的材料选自氧化硅、非晶硅、单晶硅、多晶硅中的至少一种；在化学钝化层仅包含第一钝化层的情况下，第一钝化层的材料还选自氮元素和/或磷元素；场钝化层中靠近所述碳化硅吸收层一侧的界面处固定电荷密度大于或等于1011cm‑2。化学钝化层钝化碳化硅吸收层的表面悬挂键，场钝化层起到场效应的效果，进而抑制光生载流子表面复合，实现较高的光电转换效率。
碳化硅器件

[发明专利]一种钙钛矿电池-CN202011556032.1有效
发明人：解俊杰;徐琛;李子峰;吴兆;靳金玲 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种钙钛矿电池，涉及太阳能光伏技术领域。该钙钛矿电池采用碳化硅衬底，以石墨烯层作为下电极，并采用富勒烯基电子传输层，再通过依次设置的钙钛矿层、空穴传输层和上电极形成完整的钙钛矿电池，从而在钙钛矿电池中构建“碳化硅/石墨烯/富勒烯”结构，由于石墨烯层通过在碳化硅衬底的一侧外延生长得到，因此，“碳化硅/石墨烯”界面处的缺陷结构少；而“石墨烯/富勒烯”界面两侧均为碳材料，具有相似且优异的电荷传输性能，且界面处可以形成稳定的化学键，避免了膜层由于晶格失配产生应力和缺陷的问题，有效减少界面复合，提升电子收集效率，从而提高电池的能量转化效率。
一种钙钛矿电池

[发明专利]一种碳化硅光伏器件-CN202011602490.4在审
发明人：吴兆;徐琛;李子峰;靳金玲;解俊杰 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种碳化硅光伏器件，所述碳化硅光伏器件包括碳化硅基体和钝化层；所述碳化硅基体包括具有中间带的碳化硅光吸收材料；所述钝化层位于所述碳化硅基体的一侧表面，包括本征碳化硅。本发明提供的上述碳化硅光伏器件除电极与正面功能层外，采用全碳化硅材料，利用碳化硅材料的高导热系数，消除了背面钝化与背面热阻的矛盾，在获得较高器件效率的同时，可以获得较高的器件导热效率。
一种碳化硅器件

[发明专利]一种超薄硅片的制备方法、超薄硅片以及太阳能电池-CN202011603101.X在审
发明人：吴兆;徐琛;李子峰;靳金玲;解俊杰 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供了一种超薄硅片的制备方法、超薄硅片以及太阳能电池，涉及太阳能光伏技术领域。其中，在硅衬底上可以形成缺陷层与外延层，且缺陷层在硅衬底与外延层之间，通过在硅衬底进行加热的方法，使得硅衬底和外延层的界面处形成热膨胀应力，热膨胀应力具有较好的应力均匀性，便于外延层的剥离，由于对硅衬底施加热膨胀应力降低了对外延层剥离的难度，因此，也降低了对缺陷层中缺陷密度的要求，缺陷层中较低的缺陷密度可有效提高缺陷层上外延层的质量；同时，对硅衬底施加的热膨胀应力也降低了对外延层进行剥离时施加应力的要求，避免了高应力对外延层的破坏，提高了超薄硅片制备的良率和效率，工艺重复性好。
一种超薄硅片制备方法以及太阳能电池

[发明专利]一种超薄硅片的切片方法、超薄硅片以及太阳能电池-CN202011603161.1在审
发明人：吴兆;徐琛;李子峰;靳金玲;解俊杰 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供了一种超薄硅片的切片方法、超薄硅片以及太阳能电池，涉及太阳能光伏技术领域。其中，在硅块体的表层下方设置缺陷层，此时，可以对表层进行加热，使得缺陷层一侧的表层获得热膨胀应力，缺陷层另一侧的硅块体产生应力梯度，相比于未施加热膨胀应力时，表层与硅块体更易于从缺陷层的位置分离，从而降低了对缺陷层缺陷密度的要求，提高了缺陷层的设置速率以及表层的晶体质量；同时向表层施加的热膨胀应力，也可以在剥离表层的过程中降低对表层的边缘施加应力的要求，从而避免造成超薄硅片的损伤，提升切片得到的超薄硅片的质量，因此，本发明实施例提供的超薄硅片的切片方法生产速率高、重复性好、产品良率高，能够获得高质量的超薄硅片。
一种超薄硅片切片方法以及太阳能电池

[发明专利]一种钙钛矿电池及光伏组件-CN202011474871.9在审
发明人：解俊杰;徐琛;李子峰;吴兆;靳金玲 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开一种钙钛矿电池及光伏组件，涉及光伏技术领域，以解决钙钛矿层材料容易分解的问题。该钙钛矿电池包括衬底以及位于衬底上的钙钛矿层。衬底的材料的热导率大于或等于100W/m·k，钙钛矿层的材料至少包括钙钛矿材料。本发明提供的钙钛矿电池及光伏组件用于制造光伏组件。
一种钙钛矿电池组件

[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池及其制作方法-CN202011305748.4在审
发明人：解俊杰;徐琛;李子峰;靳金玲;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明公开一种钙钛矿太阳能电池及其制作方法，涉及光伏技术领域，以制作具有陷光功能的钙钛矿层，提高钙钛矿太阳能电池的转换效率。该钙钛矿层的制作包括如下步骤：在衬底上形成钙钛矿前驱溶液层，在形成钙钛矿前驱溶液层的过程中滴加混合反溶剂；之后进行退火处理，形成钙钛矿层；其中，混合反溶剂包括第一反溶剂和第二反溶剂，在形成所述钙钛矿前驱溶液层的温度下第一反溶剂和第二反溶剂不互溶或部分互溶，第一反溶剂和第二反溶剂体相混合，钙钛矿材料在第二反溶剂中的溶解度大于钙钛矿材料在第一反溶剂中的溶解度。本发明提供的钙钛矿太阳能电池及其制作方法用于太阳能电池制造。
一种钙钛矿太阳能电池及其制作方法

[发明专利]稀土磁致伸缩材料制备方法及稀土磁致伸缩材料-CN201510101213.8有效
发明人：杨红川;李扩社;靳金玲;谢佳君;卢硕;彭海军;李世鹏 -专利权人：有研稀土新材料股份有限公司
申请日： 2015-03-06 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备稀土磁致伸缩棒材的方法，包括熔炼、定向凝固和热处理三个过程，所述定向凝固包括如下过程：(1)将熔炼坩埚内熔炼好的磁致伸缩合金熔液浇入保温装置内的石英管内；(2)启动下拉过程，置于下拉杆底座上的石英管随下拉杆垂直向下移动，向下移动过程由三个时间段组成，每个时间段内设定不同的下拉进程；(3)石英管在向下移动的过程中，石英管内的合金熔液逐渐凝固，当石英管完全移出保温装置后，下拉过程完成，最终合金熔液形成具有一定织构的稀土磁致伸缩棒材。此外还提供了该方法制备的稀土磁致伸缩棒材。稀土磁致伸缩棒材结晶性能好；同时上、中、下不同部位材料磁致伸缩系数的波动范围较小，最低仅为18ppm。
石英管稀土磁伸缩棒材下拉制备稀土磁致伸缩材料保温装置定向凝固合金熔液向下移动熔炼时间段下拉杆垂直向下移动磁致伸缩合金磁致伸缩系数热处理部位材料过程完成结晶性能熔炼坩埚底座熔液移出织构凝固进程

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