专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]串叠结构及电子装置-CN202311029133.7在审
  • 纪杰;陈伟梵;蔡国基 - 青岛嘉展力芯半导体有限责任公司
  • 2023-08-16 - 2023-09-15 - H03K19/003
  • 本申请提供串叠结构及电子装置,涉及半导体的技术领域。该串叠结构包括第一器件、第二器件和保护器件;第一器件的第二端电连接第二器件的第一端,第一器件的控制端电连接第二器件的第二端;第二器件的控制端用于电连接于控制电路的信号输出端;保护器件包括第一保护三极管和第二保护三极管中的至少一个,第一保护三极管的第一端电连接于第一器件的第二端,第一保护三极管的第二端电连接第二器件的第二端;第二保护三极管的第一端电连接于第二器件的控制端,所述第二保护三极管的第二端电连接第二器件的第二端。本申请能够解决串叠结构易出现损坏等现象,串叠结构的稳定性差的问题。
  • 结构电子装置
  • [发明专利]二极管及其制备方法、电子装置-CN202310206434.6有效
  • 陈伟梵 - 青岛嘉展力芯半导体有限责任公司
  • 2023-03-07 - 2023-06-16 - H01L29/06
  • 本申请提供二极管及其制备方法、电子装置,涉及半导体的领域。该二极管包括阴极层、外延层、金属层和阳极层;外延层接触阴极层,外延层远离阴极层的表面设置有相接触的第一掺杂部和第二掺杂部,第一掺杂部的远离阴极层的表面接触阳极层;第二掺杂部远离外延层的表面接触金属层,金属层远离阴极层的表面接触阳极层;第二掺杂部和金属层构成控制结构,控制结构配置为:阳极层通入正向电流时,控制结构处于导通状态,以使正向电流依次通过第一掺杂部、第二掺杂部和外延层流动至阴极层。本申请能够解决二极管正向导通所需的导通电压大的问题。
  • 二极管及其制备方法电子装置
  • [发明专利]晶体管及其制备方法、电子装置-CN202310244053.7有效
  • 陈伟梵 - 青岛嘉展力芯半导体有限责任公司
  • 2023-03-15 - 2023-06-06 - H01L29/06
  • 本申请提供一种晶体管及其制备方法、电子装置,晶体管包括沿第一方向层叠设置的漏极层和外延层,以及设置于外延层远离漏极层表面的源极和栅极;外延层设置有沿第二方向依次连接的第一掺杂部、第二掺杂部、控制结构和第三掺杂部;第一掺杂部电连接于源极,第三掺杂部远离控制结构的一端通过外延层电连接漏极层;控制结构电连接栅极,控制结构配置为:源极通入电流,且栅极处于导通状态时,控制结构处于导通状态,以使电流依次通过第一掺杂部、第二掺杂部、控制结构、第三掺杂部和外延层流动至漏极层。本申请能够解决晶体管的沟槽迁移率低,晶体管的性能差的问题。
  • 晶体管及其制备方法电子装置

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