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[发明专利]一种超宽带级联式数控衰减器和相控阵雷达-CN202310080957.0在审
发明人：王昭笔;霍晓石;周晓臻;陈阳 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H03H11/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种超宽带级联式数控衰减器和相控阵雷达，数控衰减器包括：级联在输入端和输出端之间的至少一个小衰减单元和至少一个大衰减单元，所述小衰减单元包括T型衰减结构，所述大衰减单元包括π型衰减结构；驱动控制电路，与分别与所述小衰减单元和大衰减单元连接。本发明将小衰减单元和大衰减单元进行结合实现数控衰减器，其中小衰减单元采用T型衰减结构、而大衰减单元采用π型衰减结构，通过驱动控制电路的高低电压的控制实现衰减态和参考态的切换；从而最终实现不同结构、不同衰减大小的数控衰减单元结合在一起的数控衰减器。
一种宽带级联数控衰减器相控阵雷达

[实用新型]一种基于高-低通谐振网络的数字移相器-CN202221015889.7有效
发明人：谭力;霍晓石;陈阳;王昭笔 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H03H11/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于高‑低通谐振网络的数字移相器，包括设置于基板上的8个MMIC射频开关M1～M8、第一直流电源V1、第二直流电源V2；微带线输入端与分别与开关M1的第一端、开关M3的第一端连接；开关M1的第二端与开关M2的第一端连接，开关M1的第二端还依次通过螺旋电感L2、电感L1、螺旋电感L3与开关M5的第一端连接，开关M5的第一端还与开关M6的第一端连接，螺旋电感L2和电感L1之间具有一接地电容C1，电感L1和螺旋电感L3之间具有一接地电容C2。本实用新型相比于开关线型移相器、加载线型移相器具有体积小，插入损耗低，移相精度高、响应速度快、一致性好等优点。
一种基于谐振网络数字移相器

[实用新型]一种高功率容量和高线性度的数控衰减结构及衰减器-CN202220731568.0有效
发明人：谭力;霍晓石;陈阳;郭焕熙 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H03H11/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高功率容量和高线性度的数控衰减结构及衰减器，属于微波技术领域，数控衰减器是采用硅基SOI工艺，在结构上，晶体管的栅极电阻将用于直流偏置电压和射频信号隔离，在串联的第一支路方向上，并联多个串联的晶体管，以增加电流容量，在并联的第二支路方向上，串联多个晶体管，以增加电压容量，选择合适的栅极电阻值而提供不同的栅源电压来改善其线性度；工艺上，基于硅基SOI工艺制作的数控衰减器它具有更低的结电容、弱的短沟道效应、高电阻率衬底等特性，能更好的改善数控衰减器的性能，特别适用于高线性、高功率容量和高集成度的微波毫米微波系统。
一种功率容量线性数控衰减结构衰减器

[实用新型]超宽带低噪声放大器、射频微波前端电路和无线通信设备-CN202220983093.4有效
发明人： 霍晓石;陈阳;贾沂沐;王昭笔 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H03F1/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超宽带低噪声放大器、射频微波前端电路和无线通信设备，放大器包括：输入端Input；输出端Output；晶体管Q1、晶体管Q2和晶体管Q3，晶体管Q1的基极与输入隔直电容Cin连接，晶体管Q1的发射极与晶体管Q2的基极连接，晶体管Q2的发射极接地，晶体管Q2的集电极与晶体管Q3的发射极连接，晶体管Q3的集电极与输出隔直电容Cout连接；第一匹配电阻Rb1和第二匹配电阻Rb2；有源偏置电路。本实用新型采用了晶体管Q1和晶体管Q2组成的达林顿复合放大，提高电流放大倍数，保证高增益特性；晶体管Q2和晶体管Q3组成的共射共基结构，作为提供负载信号的放大级，保证输出功率进而提高线性度。
宽带低噪声放大器射频微波前端电路无线通信设备