“霍丽华”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果66个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种原位制备铁系尖晶石异质结阵列材料的方法-CN202310163326.5在审
发明人：徐英明;李保生;程晓丽;王婷婷;霍丽华;张现发 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C01G53/00 文献下载
摘要：一种原位制备铁系尖晶石异质结阵列材料的方法，本发明涉及一种铁系尖晶石异质结阵列材料的方法。解决现有技术仅能通过两步法制备金属氧化物异质结阵列结构，且无广谱性的问题。方法：用室温浸渍提拉及高温煅烧法，在基底表面覆盖种子层，然后利用一步水热及高温煅烧法，在种子层的表面原位生长Fe2O3/RFe2O4铁系尖晶石异质结阵列材料。本发明用于原位制备铁系尖晶石异质结阵列材料。
一种原位制备尖晶石异质结阵列材料方法

[发明专利]一种气相聚合法制备聚邻甲氧基苯胺/氧化锌纳米阵列气敏元件的方法及应用-CN202011303888.8有效
发明人：徐英明;高蕊;霍丽华;程晓丽;张现发 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C08G73/02 文献下载
摘要：一种气相聚合法制备聚邻甲氧基苯胺/氧化锌纳米阵列气敏元件的方法及应用，它涉及一种制备氧化锌气敏元件的方法及应用。本发明主要解决现有聚合物/金属氧化物复合材料无法在高湿条件下进行低浓度氨气的检测，导致无法检测人体呼出气体中的氨气问题。制备方法：一、ZnO纳米棒阵列；二、气体扩散。本发明用于一种气相聚合法制备聚邻甲氧基苯胺/氧化锌纳米阵列气敏元件的方法及应用。
一种相聚合法制备聚邻甲氧基苯胺氧化锌纳米阵列元件方法应用

[发明专利]一种利用气体扩散制备柔性的二维聚苯胺薄膜的方法-CN202010444367.8有效
发明人：程晓丽;朱崇绘;徐英明;霍丽华;张现发 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C08G73/02 文献下载
摘要：一种利用气体扩散制备柔性的二维聚苯胺薄膜的方法，它涉及一种制备聚苯胺薄膜的方法。本发明是为了解决现有方法制备的聚苯胺膜，操作比较复杂，后续处理较为繁琐，且在室温环境中对氨气的响应较低，响应‑恢复时间较慢，检测限较高的问题。制备方法：一、将过硫酸铵与盐酸混合，磁力搅拌，得到过硫酸铵溶液；二、将过硫酸铵溶液置于敞口容器中，将苯胺液体置于另一敞口容器中，然后将装有过硫酸铵溶液的容器与装有苯胺液体的容器置于同一密闭空间中，气体扩散反应，在过硫酸铵溶液表面得到柔性的二维聚苯胺薄膜。本发明用于利用气体扩散制备柔性的二维聚苯胺薄膜。
一种利用气体扩散制备柔性二维苯胺薄膜方法

[发明专利]一种制备镧系金属氧化物阵列材料的方法及应用-CN202210288097.5在审
发明人：徐英明;郭传宇;程晓丽;霍丽华;张现发 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C01F17/235 文献下载
摘要：一种制备镧系金属氧化物阵列材料的方法及应用，本发明涉及制备阵列材料的方法及应用。解决现有现有镧系金属氧化物的合成阵列方式无普适性，无法完全适用于全部镧系稀土材料合成阵列结构，且现有湿度测绘受限于传感器的灵敏度及响应恢复速度，并不能达到精准成像及识别扫描的问题。方法：一、利用浸渍提拉法，得到表面覆盖种子层的基底，煅烧，得到煅烧后的基底；二、镧系元素的乙酰丙酮盐与尿素溶解在溶剂，得到搅拌均匀的溶液；三、将煅烧后的基底浸渍于搅拌均匀的溶液中反应，最后煅烧，得到镧系金属氧化物阵列材料；应用：以镧系金属氧化物阵列材料为湿度传感器，利用检测湿度进行测绘。本发明用于制备镧系金属氧化物阵列材料的方法及应用。
一种制备金属氧化物阵列材料方法应用

[实用新型]一种同轴结构的氧化铝陶瓷与金属密封焊接件-CN202221377538.0有效
发明人： 霍丽华;王磊;陈锦晖;施华;王冠文;吴官健 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种同轴结构的氧化铝陶瓷与金属密封焊接件，其特征在于，包括同轴装配的不锈钢法兰、陶瓷、无氧铜内导体、无氧铜铜套、钼环、无氧铜焊接圈和钼焊接圈；不锈钢法兰与无氧铜铜套端部焊接固定；陶瓷装配在无氧铜铜套内部，并且陶瓷凸台外圆面与无氧铜铜套内壁套封焊接；钼环装配在无氧铜铜套外下侧；陶瓷、无氧铜焊接圈和钼焊接圈的中心均设有与无氧铜内导体匹配的通孔，无氧铜内导体的下端依次插入陶瓷、无氧铜焊接圈和钼焊接圈的通孔并与陶瓷下端部孔内表面、无氧铜焊接圈和钼焊接圈的通孔内表面焊接；无氧铜焊接圈与陶瓷下端部、钼焊接圈上端部焊接。本实用新型的焊接件在满足高真空密封要求的同时能够承受高电压冲击。
一种同轴结构氧化铝陶瓷金属密封焊接

[发明专利]一种同轴结构的氧化铝陶瓷与金属密封焊接件-CN202210622896.1在审
发明人： 霍丽华;王磊;陈锦晖;施华;王冠文;吴官健 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种同轴结构的氧化铝陶瓷与金属密封焊接件，其特征在于，包括同轴装配的不锈钢法兰、陶瓷、无氧铜内导体、无氧铜铜套、钼环、无氧铜焊接圈和钼焊接圈；不锈钢法兰与无氧铜铜套端部焊接固定；陶瓷装配在无氧铜铜套内部，并且陶瓷凸台外圆面与无氧铜铜套内壁套封焊接；钼环装配在无氧铜铜套外下侧；陶瓷、无氧铜焊接圈和钼焊接圈的中心均设有与无氧铜内导体匹配的通孔，无氧铜内导体的下端依次插入陶瓷、无氧铜焊接圈和钼焊接圈的通孔并与陶瓷下端部孔内表面、无氧铜焊接圈和钼焊接圈的通孔内表面焊接；无氧铜焊接圈与陶瓷下端部、钼焊接圈上端部焊接。本发明的焊接件在满足高真空密封要求的同时能够承受高电压冲击。
一种同轴结构氧化铝陶瓷金属密封焊接

[实用新型]一种高压射频同轴真空穿墙件-CN202123389896.1有效
发明人： 霍丽华;施华;陈锦晖;王磊;王冠文;吴官健 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H02G15/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高压射频同轴真空穿墙件，其特征在于，包括焊接组件、内导体、内导体转接零件、绝缘件、外壳体和螺纹环；其中焊接组件包括法兰、焊接件内导体和陶瓷件；陶瓷件的中心设有与焊接件内导体匹配的通孔，焊接件内导体的下端插入通孔与陶瓷件密封固定；陶瓷件与法兰密封连接固定；法兰与外壳体的上端接触，内导体、内导体转接件位于绝缘件和所述外壳体的中心，内导体的上端与焊接件内导体的下端连接，下端与内导体转接件连接；内导体、内导体转接零件与外壳体之间安装绝缘件；螺纹环与外壳体的下端连接并压紧绝缘件。本实用新型的穿墙件能够满足高真空、耐高压、脉冲功率匹配传输中的低损耗，并且适用于辐射环境。
一种高压射频同轴真空穿墙

[发明专利]一种高稳定性的微米级立方体钴基普鲁士蓝类似物的制备方法和应用-CN202110551702.9有效
发明人： 霍丽华;于海霞;徐英明;程晓丽;张现发 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C01C3/11 文献下载
摘要：一种高稳定性的微米级立方体钴基普鲁士蓝类似物的制备方法和应用，它涉及一种普鲁士蓝类似物的制备方法和应用。本发明要解决现有单源法在反向微乳溶液法合成钴基普鲁士蓝类似物存在体系可控性差，难以得到尺寸形貌均一的产物，煅烧时形貌的稳定性差，且体系过于复杂，所用有机溶剂对人体有危害且环境不友好的问题。制备方法：将聚乙烯吡咯烷酮溶于水中，然后加入柠檬酸和K3[Co(CN)]6；二、在高温下反应。本发明用于高稳定性的微米级立方体钴基普鲁士蓝类似物的制备。
一种稳定性微米立方体基普鲁士蓝类似物制备方法应用

[发明专利]一种高压射频同轴真空穿墙件-CN202111649474.5在审
发明人： 霍丽华;施华;陈锦晖;王磊;王冠文;吴官健 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H02G15/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压射频同轴真空穿墙件，其特征在于，包括焊接组件、内导体、内导体转接零件、绝缘件、外壳体和螺纹环；其中焊接组件包括法兰、焊接件内导体和陶瓷件；陶瓷件的中心设有与焊接件内导体匹配的通孔，焊接件内导体的下端插入通孔与陶瓷件密封固定；陶瓷件与法兰密封连接固定；法兰与外壳体的上端接触，内导体、内导体转接件位于绝缘件和所述外壳体的中心，内导体的上端与焊接件内导体的下端连接，下端与内导体转接件连接；内导体、内导体转接零件与外壳体之间安装绝缘件；螺纹环与外壳体的下端连接并压紧绝缘件。本发明的穿墙件能够满足高真空、耐高压、脉冲功率匹配传输中的低损耗，并且适用于辐射环境。
一种高压射频同轴真空穿墙

[发明专利]一种制备不同形貌氧化钬纳米材料的方法-CN202010137106.1有效
发明人：徐英明;郭传宇;程晓丽;霍丽华;张现发 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C01F17/224 文献下载
摘要：一种制备不同形貌氧化钬纳米材料的方法，本发明涉及制备氧化钬纳米材料的方法。本发明要解决现有氧化钬纳米材料的制备方法不能通过对反应物的调节，实现对氧化钬纳米材料形貌的调控，合成步骤复杂及难度高，且无法合成纳米管形貌和三维结构氧化钬纳米材料，制备的氧化钬纳米片尺寸较厚，表面并无多孔结构的问题。方法：一、将乙酰丙酮钬与尿素溶解在溶剂中，得到搅拌均匀的溶液；二、将搅拌均匀的溶液密封反应，然后自然冷却至室温并离心分离，得到淡黄色沉淀，将淡黄色沉淀洗涤后干燥，得到氧化钬纳米材料前驱体，在空气条件下煅烧氧化钬纳米材料前驱体，得到氧化钬纳米材料。本发明用于制备不同形貌氧化钬纳米材料。
一种制备不同形貌氧化纳米材料方法

[实用新型]一种自流型多功能氧化电位水生成器-CN202022737686.6有效
发明人：王珍;王岸明;霍丽华 -专利权人：王珍
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C02F1/461 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自流型多功能氧化电位水生成器，涉及水处理设备领域，包括集成箱体，集成箱体内顶部位置设置有溶解箱，溶解箱顶部设置有用于投放电解质原料的投料管，投料管底部延伸至溶解箱内，溶解箱顶部向下设置有液位计，集成箱体内对应溶解箱正下方位置设置有电解箱，电解箱内设置有电解器，电解器连接有高频开关电源，集成箱体上设置有进水管和出水管，具备体积小、多功能、简单实用的特点。
一种自流多功能氧化电位水生成器

[实用新型]一种升降式辅助清洗伤口支架-CN202020520117.3有效
发明人：黄定月;黄滨;黄莉梅;卢金桂;霍丽华;杨国龙 -专利权人：南宁市第九人民医院
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： A61G12/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及医疗器械领域，具体公开了一种升降式辅助清洗伤口支架，包括：支架杆，套在支架杆上的第一调节座和第二调节座，固定在第一调节座上的接水篮，设于第二调节座上的伸长臂，安装在伸长臂上的支托，安装在支托底部的可拆卸的导流斗和软管。本实用新型中的支托能够通过伸长臂灵活调节高度和伸出长度，不仅可以在病床旁进行清创，还能够伸入至病床上进行清创；接水篮配合塑料袋使用，便于清洁，卫生性好；导流斗和软管不仅能够防止水飞溅到床上污染病床，而且还方便拆卸；装置整体的形态通过一个人就可以方便地完成调节，省时省力。
一种升降辅助清洗伤口支架

[发明专利]一种聚苯胺/氧化铁复合材料的制备方法-CN201810143007.7有效
发明人：程晓丽;朱崇绘;徐英明;霍丽华;张现发 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2018-02-11 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C08G73/02 文献下载
摘要：一种聚苯胺/氧化铁复合材料的制备方法，它涉及一种气敏材料。本发明是为了解决现有的PANI/Fe2O3复合材料的合成方法较为复杂、很难实现氧化铁与聚合物的高度分散，进而影响其气敏性能的技术问题。制备方法：将FeCl3溶液和苯胺的盐酸溶液混合，于不锈钢自压反应釜中，密封，在60‑140℃下反应2‑6h，自然冷却至室温后离心分离，得到墨绿色沉淀，洗涤、冻干，即得。本发明的合成方法简单，采用一步水热合成法制备出PANI/Fe2O3复合材料，合成所需成本低，后处理简单，产物易于分离提纯。易于大规模生产。本发明的材料结构稳定，形貌均一，并对氨气具有优异的检测性能，最低检出限为0.3ppm，对于100ppm氨气的灵敏度为3.79，响应时间较快，为76.2s。本发明属于气敏材料的制备领域。
一种苯胺氧化铁复合材料制备方法

[发明专利]一种可单手完成焊接的一体式电烙铁-CN201910369711.9在审
发明人：张森;张政;霍丽华;徐子昂;王国岩 -专利权人：张森
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： B23K3/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种可单手完成焊接的一体式电烙铁，包括壳体、定位传送机构和加热机构，所述壳体的外壁表面设置有安装口，且安装口的内部贯穿有焊锡丝，所述定位传送机构设置于焊锡丝的两侧，所述加热机构设置于壳体的一端内部，且壳体的一侧设置有电路板，所述电路板的上方设置有电子元件管脚。本发明加热头与加热管之间的连接处设置为弧形状结构，该弧形结构的设置有效的增大了焊锡丝与加热头之间的接触面积，从而使得加热头可对其内部的焊锡丝进行充分的加热，即对加热管没能对焊锡丝加热的部位进行二次加热处理，且通过底端表面为扁平状结构的加热头与电路板之间的充分接触，对焊接工件的焊接质量进行保障。
一种可单手完成焊接体式电烙铁

[发明专利]一种具有交联网墙结构NiO材料的制备方法-CN201810097809.9有效
发明人：徐英明;杨铭;霍丽华;张现发;高山;程晓丽 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： C01G53/04 文献下载
摘要：一种具有交联网墙结构NiO材料的制备方法，它涉及一种NiO交联网墙气敏材料的制备方法。本发明是为了解决现有NiO纳米墙成本高、最佳工作温度高的技术问题。本方法如下：将气敏元件基底浸入镍‑氨配合物水溶液中于室温下保持敞口磁力搅拌，待NH3挥发后，将气敏元件基底取出，用去离子水冲洗其表面，并烘干，烧结，得到NiO交联网墙气敏元件。本发明材料的最佳工作温度仅为50℃，远远低于绝大多数的金属氧化物半导体气敏材料；其对100ppm H2S气体的响应灵敏度达到137.26，最低检测限低至10ppb，并显示出极佳的H2S选择性，本发明属于H2S气敏材料的制备领域。
一种具有联网结构 nio 材料制备方法

1
2
3
4
5
下一页»
尾页
共 66 条