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- [发明专利]作为用于电子器件的半导体材料的3-(2,3,5-三氟-6-(三氟甲基)吡啶-4-基)戊烷-2,4-二酮和类似配体的金属络合物-CN202180059132.X在审
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弗拉迪米尔·乌瓦罗夫;马克斯·皮特·纽伦;乌尔里希·黑格曼;马库斯·赫默特;斯特芬·维尔曼;雷吉娜·卢舍蒂尼特兹
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诺瓦尔德股份有限公司
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2021-07-26
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2023-06-06
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C07D209/86
- 本发明涉及一种由式(I)表示的化合物，其中M是金属；L是电荷中性配体，其与金属M配位；n是选自1至4的整数，其对应于M的氧化数；m是选自0至2的整数；R1、R2和R3是取代基；其中至少一个R1、R2和/或R3选自被取代的C2至C24杂芳基基团，其中至少一个取代基选自卤素、F、Cl、CN、部分或完全氟化的C1至C6烷基、部分或完全氟化的C1至C6烷氧基。本发明还涉及包含至少一种式(I)的化合物的半导体材料、包含至少一种式(I)的化合物的半导体层和包含至少一种式(I)的化合物的电子器件。示例性化合物是例如3‑(2,3,5‑三氟‑6‑(三氟甲基)吡啶‑4‑基)戊烷‑2,4‑二酮的金属络合物，例如三(((Z)‑4‑氧代‑3‑(2,3,5‑三氟‑6‑(三氟甲基)吡啶‑4‑基)戊‑2‑烯‑2‑基)氧基)铁和双(((Z)‑4‑氧代‑3‑(2,3,5‑三氟‑6‑(三氟甲基)吡啶‑4‑基)戊‑2‑烯‑2‑基)氧基)铜。
- 作为用于电子器件半导体材料甲基吡啶戊烷类似金属络合物
- [发明专利]包括有机半导体层的有机电子器件和装置-CN201880033940.7有效
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雷吉娜·卢舍蒂尼特兹;本杰明·舒尔策
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诺瓦尔德股份有限公司
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2018-05-18
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2022-12-20
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H01L51/54
- 本发明涉及式1化合物和包括有机半导体层的有机电子器件，其中至少一个有机半导体层包含式1化合物，其中X选自O、S或Se；Ar1选自未被取代或被取代的C2至C60杂芳亚基，并且其中所述被取代的C2至C60杂芳亚基包含至少约一个至约六个取代基，其中所述被取代的C2至C60杂芳亚基的取代基独立地选自C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、CN、OH、卤素、C6至C36芳亚基或C2至C25杂芳亚基；n为1或2；L1选自单键、C1至C4烷基、被取代或未被取代的C6至C36芳亚基，其中被取代的C6至C36芳亚基的取代基选自C1至C12烷基、C6至C18芳亚基；L2选自单键或C1至C6烷基；R1、R2独立地选自被取代或未被取代的C1至C16烷基，其中被取代的C1至C16烷基的取代基选自C6至C18芳亚基或C2至C12杂芳亚基；其中所述式1化合物包含至少约4个C6芳亚基环并且分子质量为至少约400g/mol至约1800g/mol。
- 包括有机半导体有机电子器件装置
- [发明专利]化合物和包含该化合物的有机半导体层-CN201880086886.2在审
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朱莉恩·弗雷;雷吉娜·卢舍蒂尼特兹
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诺瓦尔德股份有限公司
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2018-12-18
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2020-09-18
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C07F9/53
- 本发明涉及一种由通式(I)表示的化合物，包含该化合物的有机半导体层，包括该有机半导体层的有机电子器件以及包括该有机电子器件的显示装置或照明装置，在通式(I)中，X选自O、S和Se；R1和R2独立地选自C1‑C12烷基、C6‑C20芳基和C5‑C20杂芳基，其中各个C1‑C12烷基可以任选地被C6‑C20芳基取代；L代表单键或选自C6‑C18芳亚基或C2‑C20杂芳亚基；其中环B、C和D各自可以是未取代的或取代的，并且B和C是增环的芳族6元环；R3和R4独立地选自未取代或取代的C1‑C12烷基、未取代或取代的C1‑C12氟化烷基、未取代或取代的C6‑C20芳基和未取代或取代的C5‑C20杂芳基；其中如果B、C、D、R3和R4中存在取代基的话，则取代基独立地选自C1‑C20直链烷基、C3‑C20支链烷基、C3‑C20环状烷基、C1‑C20直链烷氧基、C3‑C20支链烷氧基、直链氟化C1‑C12烷基、直链氟化C1‑C12烷氧基、C3‑C12支链氟化环状烷基、C3‑C12氟化环状烷基、C3‑C12氟化环状烷氧基、CN、C6‑C20芳基、C2‑C20杂芳基、OR、SR、(C＝O)R、(C＝O)NR2、SiR3、(S＝O)R、(S＝O)2R、CR＝CR2、氟、NR2、NO2；其中R独立地选自C1‑C20直链烷基、C1‑C20烷氧基、C1‑C20硫代烷基、C3‑C20支链烷基、C3
- 化合物包含有机半导体
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