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[发明专利]N 型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法-CN201310627365.2有效
发明人：袁广锋;何广川;陈艳涛;李雪涛 -专利权人：英利集团有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：发明公开了一种N型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法。硼扩散方法包括以下步骤：沉积阶段，将湿法刻蚀后的硅片放入扩散炉内升温至890℃～920℃，之后通入氮气、氧气和硼源使其硅片表面进行沉积；扩散阶段，在氮气气氛下将表面沉积后的硅片升温至预定温度，推进硼扩散；以及后氧化阶段，将硼扩散后的硅片降温，并同时通入氧气和氮气，得到硼扩散后的硅片。采用本发明的沉积扩散工艺降低了硅片表面的硼原子浓度，减小了表面的复合速率和晶格损伤，将方阻标准差（STDEV）控制在2.0左右，改善了硼扩散方阻均匀性，提高了电池的转换效率，也降低了硼源耗量，避免了生成过多的硼硅玻璃（BGS），节约了成本。
硅片扩散方法晶体太阳能电池及其制作方法

[发明专利]N型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法-CN201310625943.9有效
发明人：袁广锋;何广川;陈艳涛;李雪涛 -专利权人：英利集团有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：发明公开了一种N型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法。硼扩散方法包括以下步骤：沉积阶段，将湿法刻蚀后的硅片放入扩散炉内升温，并通入氮气、氧气和硼源对硅片进行表面沉积；扩散阶段，将表面沉积后的硅片升温至预定温度，推进硼扩散；以及降温阶段，将硼扩散后的硅片降温，并在降温过程中通入氮气，得到硼扩散后的硅片。采用本发明的沉积扩散工艺降低了硅片表面的硼原子浓度，减小了表面的复合速率和晶格损伤，将方阻标准差（STDEV）控制在2.0左右，改善了硼扩散方阻均匀性，提高了电池的转换效率，也降低了硼源耗量，避免了生成过多的硼硅玻璃（BGS），节约了成本。
硅片扩散方法晶体太阳能电池及其制作方法

[发明专利]用于探测硅块内部缺陷的红外探测装置及探测方法-CN201310610942.7有效
发明人：潘家明;何广川;陈艳涛;吕耀辉 -专利权人：英利集团有限公司
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于探测硅块内部缺陷的红外探测装置及探测方法。该红外探测装置包括：红外光源，用于发出红外线；旋转台，用于放置待测硅块；接收器，与显示系统连接，用于接收红外线并将红外信息传输给显示系统；还包括设置在所述红外光源与硅块之间的限光片，限光片由透光区和遮光区组成，透光区和遮光区间隔设置。通过在红外光源与硅块之间设置由透光区和遮光区间隔形成的限光片，将光源分割成数个面积小于缺陷区域的小光源，解决了在缺陷后方光线汇集导致无法准确地显示出硅块内部全部缺陷的问题，达到了准确探测的目的。将该红外探测装置用于硅块内部缺陷的全方位探测，提高了硅块缺陷检测的准确度，保障了后续切片工艺的顺利进行。
用于探测内部缺陷红外装置方法

[发明专利]用于生产类单晶硅锭的铸锭炉及类单晶硅锭的铸锭方法-CN201310574484.6有效
发明人：潘家明;何广川;陈艳涛 -专利权人：英利集团有限公司
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于生产类单晶硅锭的铸锭炉及类单晶的铸锭方法。其中，该铸锭炉包括：侧部隔热层；底部隔热层，与侧部隔热层共同围成一个腔体；坩埚，设置在腔体内；侧部加热器，设置在侧部隔热层与坩埚之间，顶部测温点，设置在侧部隔热层与坩埚之间，且位于侧部加热器的上方；底部隔热层为一层，在侧部隔热层中部，朝向坩埚设置有一圈中部隔热层。应用本发明的技术方案，通过调整铸锭炉内部热场结构，去掉一层底部隔热层，在侧部隔热层内壁添加一圈保温隔热石墨硬毡，将铸锭炉内部热场分为顶部高温区和底部低温区，从而保证籽晶在坩埚内不完全熔化，硅液在结晶段沿籽晶内的原子排列方向进行结晶生长，铸锭类单晶硅锭，便于类单晶批量推广。
用于生产单晶硅铸锭方法

[发明专利]石墨加热器及其制备方法-CN201310564225.5无效
发明人：潘家明;何广川;陈艳涛 -专利权人：英利集团有限公司
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了石墨加热器及其制备方法。其中石墨加热器包括石墨加热器主体和隔离层，隔离层包覆在石墨加热器主体的表面上，且隔离层材料的高温稳定性优于石墨。石墨加热器的制备方法包括以下步骤：提供石墨加热器主体；在石墨加热器主体的表面上形成高温稳定性优于石墨的隔离层。在本发明中通过在石墨加热器本体的表面上包覆隔离层，能够将石墨加热器本体与外界隔离开来。通过使用高温稳定性优于石墨的材料作为隔离层材料，能够避免石墨加热器在多晶硅铸锭和单晶棒拉制的过程中与铸锭炉或单晶炉中的气体发生反应，进而避免石墨加热器被腐蚀。
石墨加热器及其制备方法

[实用新型]脱模工具-CN201320389082.4有效
发明人：潘家明;冯天顺;陈艳涛 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2013-07-01 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种脱模工具。脱模工具用于硅锭铸造后分离硅锭与坩埚，脱模工具包括：本体部，包括相对设置的第一端和第二端；抓取部，抓取部的第一端与本体部的第一端连接并沿远离本体部的第一方向延伸，抓取部的第二端形成抓钩；支撑部，支撑部的第一端连接于本体部的第一端和第二端之间，并沿第二方向延伸，支撑部的第二端用于与坩埚的外侧壁抵接以为抓取部提供施力支撑点。根据本实用新型，可以有效防止硅锭脱模过程中造成的硅锭易出现裂纹的现象，提高硅锭质量。
脱模工具

[发明专利]多晶硅的结晶工艺和多晶硅的铸锭工艺-CN201310299472.7有效
发明人：潘家明;何广川;陈艳涛 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2013-07-17 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅的结晶工艺和多晶硅的铸锭工艺。结晶工艺包括：当硅料处于固态硅与液态硅的共存物的状态时，保持铸锭炉内顶部的温度，以继续熔化固态硅，并逐步降低铸锭炉内底部的温度，以使液态硅再结晶形成多晶硅锭。由于当硅料处于固液混合物状态时就对液态硅进行结晶处理，因而保证每台铸锭炉内的液态硅的温度基本一致，也就保证了液态硅所含的潜热一致，从而使液态硅的结晶速度稳定、提高了液态硅的结晶稳定性，进而提高了由多晶硅锭制成的太阳能电池片的性能。同时，本发明中的多晶硅的结晶工艺具有工艺简单、生产效率高的特点。
多晶结晶工艺铸锭

[发明专利]一种多晶硅铸锭炉及其铸锭方法-CN201310299798.X有效
发明人：潘家明;陈艳涛;田伟华 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2013-07-17 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅铸锭炉及其铸锭方法，涉及制备具有一定结构的均匀多晶硅装置技术领域。所述铸锭炉包括炉体隔热层、顶部加热器、石英坩埚、散热台和散热窗口，还包括底部加热器，所述底部加热器位于所述散热台的下侧。底部加热器同顶部加热器采用独立变压器控制，同顶部加热器区分开来调整，底部加热器额定功率在5kw至100kw，在铸锭炉运行过程中的加热、熔化段开启，硅液结晶过程中完全关闭，从而在硅料熔化迅速提高坩埚底部硅料温度，减小硅料熔化时长，提高铸锭炉产能。
一种多晶铸锭及其方法

[实用新型]单晶炉的承载装置-CN201220203201.8有效
发明人：李盼;陈艳涛;赵曙光 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2012-05-08 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种单晶炉的承载装置，所述承载装置的底部嵌入地面，所述承载装置的顶部通过螺栓与所述单晶炉的炉体相连，所述承载装置采用钢筋混凝土材质。根据本实用新型实施例，将采用钢筋混凝土材质的承载装置的一端嵌入地面，使承载装置与地面成为一体，避免承载装置相对地面的移动，保证了单晶炉的稳定性。
单晶炉承载装置

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