“陈秋豪”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种基于强化学习的量子编译方法和装置-CN202310205953.0在审
发明人：邬兴尧;杜宇轩;陈秋豪 -专利权人：京东科技信息技术有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F8/41 文献下载
摘要：本公开提供一种基于强化学习的量子编译方法和装置，所述方法包括：基于目标酉矩阵进行计算，得到从所述目标酉矩阵到各个初始状态的过程中获得的第一奖励函数；其中，所述状态为k个酉矩阵的乘积，k为正整数；将各个初始状态输入至预先训练好的强化学习网络中，输出从各个初始状态到达最终状态所需的动作序列及其对应的第二状态‑动作值函数；基于第一奖励函数和第二状态‑动作值函数，通过评估函数确定最优状态‑动作值函数，将所述最优状态‑动作值函数对应的动作序列作为所述目标酉矩阵对应的编译序列，实现利用训练好的强化学习网络作为启发函数，进行最优状态‑动作值函数的搜索，不仅适用于多个编译目标，泛化性高，且处理效率高。
一种基于强化学习量子编译方法装置

[发明专利]高压半导体器件及其形成方法-CN202010692681.8在审
发明人：林文新;林鑫成;胡钰豪;吴政璁;陈秋豪 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：高压半导体器件及其形成方法，所述高压半导体器件包括基底，栅极结构、漏极、第一绝缘结构、以及漏极掺杂区。栅极结构设置在基底上。漏极则设置于基底内，并位于栅极结构的一侧。第一绝缘结构设置于基底上，位于栅极结构的下方且部分重叠于栅极结构。漏极掺杂区设置于基底内，位在漏极与第一绝缘结构下方并且具有不连续的一底面。
高压半导体器件及其形成方法

[发明专利]能源管理系统的数据验证引擎-CN201880005507.2在审
发明人： 陈秋豪 -专利权人：新加坡商南洋永续科技有限公司
申请日： 2018-01-03 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： G06Q50/06 文献下载
摘要：在一个实施例中，验证能源管理系统的数据的方法包括接收来自所述能源管理系统内的多个装置的原始数据的步骤。所述方法还包括基于所述原始数据的统计计算来识别所述原始数据中的异常值的步骤。此外，所述方法包括基于所述原始数据的全局级统计计算来验证所述原始数据的步骤。随后，所述方法包括从所述原始数据中滤除异常值的步骤。最后，所述方法包括分析所述原始数据以确保所述原始数据传入的一致性的步骤。
原始数据能源管理系统统计计算验证多个装置数据验证传入的滤除引擎全局分析