专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种纺纱清花多仓观察窗-CN201420858640.1有效
  • 李晓华;陈正坤;陈舒 - 张家港市金纱纺织有限公司
  • 2014-12-30 - 2015-06-10 - D01G23/00
  • 本实用新型涉及一种纺纱清花多仓观察窗,包括观察窗支架和透明端盖,所述观察窗支架的中心处开设有圆形观察孔,所述的透明端盖活动连接在观察窗支架上的圆形观察孔处,所述的观察窗支架通过第一螺栓连接在滑块上,所述的滑块上对应圆形观察孔的位置开设有通孔,所述的观察窗支架通过滑块滑动连接在进料仓体外侧的两条轨道上,所述两条轨道之间的进料仓体上对应圆形观察孔的位置开设有矩形观察槽。本设计可以通过自由调节观察窗的位置使观察者能够更加全方位的了解进料仓体内的情况,以便及时发现和处理故障。
  • 一种纺纱清花多仓观察窗
  • [实用新型]一种纺纱清花圆盘联动加湿装置-CN201420859052.X有效
  • 曾忠辉;陈正坤;陈舒 - 张家港市金纱纺织有限公司
  • 2014-12-30 - 2015-06-10 - D01H13/30
  • 本实用新型涉及一种纺纱清花圆盘联动加湿装置,包括水箱、第一水泵、喷头和“V”形导流槽,所述的水箱固定连接在挡板的上方,所述的“V”形导流槽设置在挡板的下方,所述的“V”形导流槽与挡板之间还设有传输装置,所述的“V”形导流槽内的两侧壁上分别连接有一个喷头,所述的第一水泵穿过挡板连接在水箱的底部,所述的第一水泵通过三向阀分别与两条出水管相连,所述的两条出水管分别穿过“V”形导流槽的两个侧壁与两个喷头相连,所述的“V”形导流槽的底部开设有泄流孔,所述的V”形导流槽上的泄流孔处还连接有循环过滤装置。本设计对于加湿过程中多余的水分进行采集再使用,起到节约水资源和降低成本的作用。
  • 一种纺纱圆盘联动加湿装置
  • [发明专利]一种新型纺纱梳棉机盖板花清洁装置-CN201410843676.7有效
  • 曾忠辉;陈正坤;陈舒 - 张家港市金纱纺织有限公司
  • 2014-12-30 - 2015-04-08 - D01G15/46
  • 本发明涉及一种新型纺纱梳棉机盖板花清洁装置,包括“Z”字形清洁支架、清洁套筒、第一电机和转动轴,所述的第一电机固定连接在平移支架的一侧,所述的第一电机与转动轴的一端水平连接,所述转动轴的另一端活动连接在平移支架的另一侧,所述的“Z”字形清洁支架套装在转动轴上,所述的“Z”字形清洁支架的前后两端各套装有一个清洁套筒、所述的清洁套筒的外侧包裹有弹性针布,所述的平移支架通过连接块与平移机构相连,所述的平移机构又与升降机构相连。本设计通过弹性针布代替钢锯片对纺纱梳棉机的盖板进行清洁,起到防止盖板被刮花的作用,并且通过弹性针布进行清洁能够使清洁进行的更加彻底和完全。
  • 一种新型纺纱梳棉机盖板清洁装置
  • [实用新型]可调无堵式施胶机喷嘴装置-CN201420727874.2有效
  • 杨先龙;李长兵;陈正坤 - 湖北骏马纸业有限公司
  • 2014-11-28 - 2015-04-08 - B05C1/12
  • 本实用新型公开了一种可调无堵式施胶机喷嘴装置,包括并排设置的两个施胶辊,处于施胶辊上方的支撑杆且纸幅通过支撑杆表面并穿过两个施胶辊之间,处于所述施胶辊上方在所述纸幅的正反两面分别设有两根施胶管,所述施胶管上安装施胶喷嘴,还包括支架和挡板,所述施胶辊之间的位置处于所述纸幅的两端边缘外分别设有挡板,所述挡板的侧壁呈弧形状且与施胶辊的局部弧形状吻合,所述挡板安装在支架上。本实用新型通过在施胶辊两边安装的档板,并通过螺母来调节档板的高度来控制施胶液液位的水平高度,通过两者的调节纸幅使表面胶的液位整幅都达到水平一置的效果,从而使整个纸幅的吸胶量达到平稳一致的目的。
  • 可调无堵式施胶机喷嘴装置
  • [发明专利]半导体元件的制造方法-CN201210241593.1有效
  • 陈祖强;廖玉梅;陈正坤 - 力晶科技股份有限公司
  • 2012-07-12 - 2014-01-15 - H01L21/28
  • 本发明公开一种半导体元件的制造方法,包括下列步骤。首先,于基底上形成多个堆叠结构,其中各堆叠结构由下而上依序包括穿隧介电层、浮置栅极、栅间介电层以及控制栅极。接着,形成覆盖于堆叠结构的第一介电层,其中第一介电层具有多个悬突,悬突包覆堆叠结构的顶部。然后,进行干式共形蚀刻制作工艺,以共形地移除第一介电层,直到移除位于控制栅极顶部的高度以下的第一介电层。接下来,在堆叠结构上形成第二介电层,其中第二介电层连接相邻的悬突,而在堆叠结构之间形成气隙。
  • 半导体元件制造方法

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