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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202310744230.8在审
发明人：庄宗翰;林志昌;陈仕承;张荣宏;姚茜甯;庄凯麟;江国诚;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在实施例中，半导体器件包括：第一纳米结构；接触第一纳米结构的第一伪区域的第一未掺杂的半导体层；位于第一未掺杂的半导体层上的第一间隔件；位于第一间隔件上的第一源极/漏极区域，第一源极/漏极区域接触第一纳米结构的第一沟道区域；以及环绕第一纳米结构的第一沟道区域和第一伪区域的第一栅极结构。本发明的实施例还提供了形成半导体器件的方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310546205.9在审
发明人：林志昌;张荣宏;陈仕承;王志豪;姚茜甯;庄宗翰;江国诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了具有背侧接触结构的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：第一和第二S/D区域；纳米结构半导体层的堆叠件，与第一S/D区域相邻设置；栅极结构，围绕每个纳米结构半导体层；第一对间隔件，设置在第一S/D区域的相对侧壁上；第二对间隔件，设置在第二S/D区域的相对侧壁上；第三对间隔件，设置在栅极结构的相对侧壁上；第一接触结构，设置在第一S/D区域的第一表面上；以及第二接触结构，设置在第一S/D区域的第二表面上。第一表面和第二表面彼此相对。第一对间隔件设置在第二接触结构的相对侧壁上。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件结构及其形成方法-CN202210714199.9在审
发明人： 陈仕承;林志昌;张荣宏;姚茜甯;庄宗翰;江国诚;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了半导体器件结构及其形成方法。半导体器件结构包括在垂直方向上堆叠在衬底上方的多个第一纳米结构。半导体器件结构还包括相邻于第一纳米结构形成的第一底部层，以及在第一底部层上方形成的第一介电层。半导体器件结构还包括形成在第一介电层上方的第一源极/漏极(S/D)结构，并且第一S/D结构通过第一介电层与第一底部层隔离。
半导体器件结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件结构及其形成方法-CN202210989882.3在审
发明人：庄宗翰;林志昌;陈仕承;张荣宏;姚茜甯;庄凯麟;江国诚;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了形成半导体器件结构的方法。半导体器件结构包括在垂直方向上堆叠在衬底上方的多个第一纳米结构。半导体器件结构包括邻近第一纳米结构形成的第一底层，以及形成在第一底层上方的第一绝缘层。半导体器件结构包括形成在第一绝缘层上方的第一源极/漏极(S/D)结构，并且第一绝缘层与第一纳米结构中的一个直接接触。本申请的实施例还涉及半导体器件结构。
半导体器件结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件结构及其形成方法-CN202210585879.5在审
发明人：张荣宏;林志昌;陈仕承;姚茜甯;庄宗翰;庄凯麟;江国诚;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了用于形成半导体器件结构的方法。半导体器件结构包括多个第一纳米结构，其沿着垂直方向堆叠在衬底上方。半导体器件结构还包括：第一底层，其形成为邻接第一纳米结构；以及第一介电衬垫层，其形成在第一底层上方，并且邻接第一纳米结构。半导体器件结构还包括第一源极/漏极(S/D)结构，其形成在介电衬垫层上方，并且第一S/D结构通过第一介电衬垫层与第一底层隔离。
半导体器件结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202210657449.X在审
发明人： 陈仕承;林志昌;张荣宏;姚茜甯;庄宗翰;江国诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底和形成在衬底上方的底部隔离部件。半导体结构还包括形成在底部隔离部件上方的底部半导体层和形成在底部半导体层上方的纳米结构。半导体结构还包括连接到纳米结构并且覆盖底部隔离部件的部分的源极/漏极结构。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]集成电路装置-CN202210962225.X在审
发明人：庄宗翰;林志昌;陈仕承;张荣宏;姚茜甯;江国诚;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种集成电路装置，包括基板、基板之上第一纳米结构通道及基板与第一纳米结构通道之间的第二纳米结构通道。内间隔物位于第一纳米结构通道与第二纳米结构通道之间。栅极结构抵接第一纳米结构通道、第二纳米结构通道与内间隔物。衬层位于内间隔物与栅极结构之间。
集成电路装置

[发明专利]半导体装置结构-CN202210938017.6在审
发明人：张荣宏;林志昌;陈仕承;姚茜甯;江国诚;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体装置结构，包含多个半导体层，并具有第一组半导体层、设置于第一组半导体层上且与之对准的第二组半导体层、设置于第二组半导体层上且与之对准的第三组半导体层。所述结构还包含第一源极/漏极外延部件，其与第一组半导体层的第一数量的半导体层接触，以及第二源极/漏极外延部件，其与第三组半导体层的第二数量的半导体层接触。所述第一组半导体层的第一数量的半导体层与第三组半导体层的第二数量的半导体层不同。
半导体装置结构

[发明专利]集成电路及其形成方法-CN202210719174.8在审
发明人：林志昌;姚茜甯;陈仕承;张荣宏;庄宗翰;江国诚;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了集成电路及其形成方法。集成电路包括第一纳米结构晶体管，第一纳米结构晶体管包括：多个第一半导体纳米结构，位于衬底上方；和源极/漏极区，与每个第一半导体纳米结构接触。集成电路包括第二纳米结构晶体管，第二纳米结构晶体管包括：多个第二半导体纳米结构；和第二源极/漏极区，与一个或者多个第二半导体纳米结构接触，但是不与一个或者多个其他第二半导体纳米结构接触。
集成电路及其形成方法

[发明专利]集成电路的形成方法-CN202210670330.6在审
发明人：林志昌;潘冠廷;陈仕承;张荣宏;张罗衡;姚茜甯;江国诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：集成电路的形成方法包括形成多个半导体纳米片。方法包括形成覆层内侧间隔物于晶体管的源极区与晶体管的栅极区之间。方法包括形成片状物内侧间隔物于半导体纳米片之间，且片状物内侧间隔物的沉积制程与覆层内侧间隔物的沉积制程分开。
集成电路形成方法

[实用新型]一种换杆小车-CN202221731817.2有效
发明人：索婷;冯卓;刘敏;李振明;陈仕承 -专利权人：中钢集团西安重机有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C21B7/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种换杆小车，属于开铁口机技术领域，解决现有技术中更换钻杆工作环境差，劳动强度大，操作工安全性差、人工成本高的问题，小车本体内设有旋转驱动机构、旋转体、举升驱动机构、升降机和旋转筒体；小车本体上连接有钻杆托举架，钻杆托举架上用于放置钻杆；旋转驱动机构连接旋转体，旋转体连接旋转筒体的侧面，旋转筒体与旋转体垂直；举升驱动机构和升降机连接在旋转筒体上，且举升驱动机构和升降机连接，升降机连接在钻杆托举架的底部。本申请可实现机械化自动换杆作业区、节省人力、操作者远离炉前作业、提高了炉前操作工的安全。
一种小车

[发明专利]半导体装置-CN202210313577.2在审
发明人：张荣宏;林志昌;陈仕承;姚茜甯;江国诚;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体装置。采用一个图案化掩模与一个自对准掩模形成n型源极/漏极结构与p型源极/漏极结构，以增加误差容许范围并提供多种形状及/或体积的源极/漏极结构所需的弹性。本发明亦包括形成沟槽于相邻的源极/漏极结构之间，以移除相邻的源极/漏极结构之间的桥接。在一些实施例中，源极/漏极结构之间的沟槽的形成方法，可为自基板背侧进行蚀刻。
半导体装置

[发明专利]集成电路-CN202210276255.5在审
发明人：张荣宏;林志昌;陈仕承;姚茜甯;江国诚;王志豪;林家彬;李威养;吕衍昇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开提供一种集成电路，包括基板上的第一纳米结构晶体管以及第二纳米结构晶体管。第一纳米结构晶体管的源极/漏极区域通过底部介电区域与半导体基板电性隔离。第二纳米结构晶体管的源极/漏极区域与半导体基板直接接触。
集成电路

[发明专利]半导体结构-CN202210315554.5在审
发明人：林志昌;潘冠廷;陈仕承;张荣宏;张罗衡;姚茜甯;江国诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体结构。半导体结构包含基板及鳍结构，鳍结构位于基板之上。鳍结构包含堆叠鳍结构、鳍底部部分及隔离层，鳍底部部分设置于堆叠鳍结构之下，隔离层设置于堆叠鳍结构与鳍底部部分之间。半导体结构还包含介电衬及间隔物结构，介电衬与堆叠鳍结构的端部接触，间隔物结构与介电衬接触。
半导体结构

[发明专利]半导体装置-CN202210330288.3在审
发明人： 陈仕承;江国诚;林志昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括基板；第一与第二源极/漏极结构位于基板上；第一与第二半导体层，位于第一与第二源极/漏极结构之间；以及栅极位于第一与第二源极/漏极结构之间。栅极的一部分更位于第一与第二半导体层之间。此外，半导体装置包括第一与第二内侧间隔物。第一内侧间隔物位于第一与第二半导体层之间，且更位于栅极的部分与第一源极/漏极结构的部分之间。第一源极/漏极结构的部分位于第一与第二半导体层之间。第一内侧间隔物具有U形轮廓。第二内侧间隔物位于第一内侧间隔物与第一源极/漏极结构的部分之间。
半导体装置

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