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[发明专利]一种磁相变材料-CN201510095068.7有效
发明人：刘恩克;魏志阳;王文洪;郗学奎;陈京兰;吴光恒 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2015-03-03 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： C30B29/52 文献下载
摘要：本发明提供一种磁相变材料，其化学式为：Nia‑mMnb‑nCom+nTic；其中，a+b+c＝100,20
一种相变材料

[发明专利]一种具有交换偏置效应的磁性材料及其制备方法-CN201010164927.0无效
发明人：马丽;陈京兰;王文洪;吴光恒 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2010-04-30 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01F1/047 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有交换偏置效应的磁性材料及其制备方法，该磁性材料的化学式为：MnmNinSno，其中，30≤m＜55，25≤n≤50，9≤o＜13，m+n+o＝100，m、n、o表示原子百分比含量。本发明的磁性材料的制备方法，其步骤为：(1)按化学式MnmNinSno称量原料；(2)将称好的原料盛放在坩埚中，采用常规的提拉法生长或电弧熔炼法，以及采用快淬甩带方法制备MnmNinSno磁性单晶或多晶。本发明磁性材料MnmNinSno与现有合金相比，具有更大的交换偏置场HE数值，具有更高的磁场可控制性，可用于制作驱动器、温度和/或磁性敏感元件、磁制冷器件和设备、磁存储器、微型机电器件和系统等等。
一种具有交换偏置效应磁性材料及其制备方法

[发明专利]一种磁性形状记忆合金单晶及制备方法-CN200810055808.4无效
发明人：朱伟;陈京兰;吴光恒 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2008-01-09 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： C22C19/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁性形状记忆合金的材料及其单晶制备方法。该磁性单晶材料的化学式为Ni_50+xFe_25－xGa_25+y，其中－2.00≤x≤2.00；－3.00≤y≤2.00；x、y表示原子百分比含量。其单晶制备方法包括将称好的料盛放在坩埚中，并加入SiO₂+B₂O₃玻璃，采用提拉法生长Ni_50+xFe_25－xGa_25+y单晶。本发明的单晶制备过程中加入了SiO₂+B₂O₃玻璃，有效地控制了本发明规定成分的NiFeGa材料在单晶生长过程中容易产生的第二相析出。此外，本发明提供的制备方法适用于常规的提拉晶体的设备，而不需要附加设备，因此，成本低、易于工业化批量生产。
一种磁性形状记忆合金制备方法

[发明专利]一种采用增感屏提高胶片曝光效率的方法-CN200710304022.7无效
发明人： 陈京兰;吴光恒 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2007-12-24 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： G01N23/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用增感屏提高胶片曝光效率的方法，本发明提高Laue照相效率的方法是在Laue照相机中放置医用增感屏的方法，所述增感屏在x射线的照射下，可发出蓝－紫色波段的可见光，并使所用的专用胶片曝光。于是，在这些可见光和x射线的共同曝光作用下，所用的胶片曝光作用大大提高，在比不使用增感屏缩短5－10倍的时间内，即可完成胶片的曝光。本发明可以增强专用胶片的曝光效率，缩短曝光时间。同时，本发明使用增感屏的方法还可以有效消除杂散x射线的曝光对胶片背景的影响，提高胶片曝光的质量，增强斑点的清晰度。
一种采用增感屏提高胶片曝光效率方法

[发明专利]具有磁场驱动马氏体相变效应的磁性材料及其制备方法-CN200710064282.1无效
发明人：于淑云;代学芳;刘国栋;陈京兰;吴光恒 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2007-03-08 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： H01F1/047 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有磁场驱动马氏体相变效应的磁性材料，其化学式为：Ni_mCo_nMn_oSb_p；其中，35＜m＜55，2＜n＜17，28＜o＜42，10＜p＜18，m+n+o+p＝100，m、n、o、p表示原子百分比含量。本发明还公开了一种上述具有磁场驱动马氏体相变效应的磁性材料的制备方法，其步骤为：(1)按化学式Ni_mCo_nMn_oSb_p称量原料，(2)将称好的原料盛放在坩埚中，采用常规的提拉法生长Ni_mCo_nMn_oSb_p磁性单晶或多晶，(3)使坩埚中的原料在1000～1330℃的熔融的温度条件下保持10～30分钟后，再制备单晶或多晶。本发明磁性材料Ni_mCo_nMn_oSb_p与现有合金相比，具有更高的可控制性，因而用途更加广泛，如驱动器，温度和/或磁性敏感元件，磁制冷器件和设备，磁存储器，微型机电器件和系统等。
具有磁场驱动马氏体相变效应磁性材料及其制备方法

[发明专利]一种具有磁场驱动马氏体相变效应的磁性材料及其制备方法-CN200710064895.5无效
发明人：于淑云;罗鸿志;朱志永;刘国栋;陈京兰;吴光恒 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2007-03-28 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： C22C19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有磁场驱动马氏体相变效应的磁性材料，其化学式为：Ni_mCo_nMn_oGa_p；其中，30＜m＜55，2＜n＜20，25＜o＜37，13＜p＜25，m+n+o+p＝100，m、n、o、p表示原子百分比含量。本发明还公开了一种上述具有磁场驱动马氏体相变效应的磁性材料的制备方法，其步骤为：(1)按化学式Ni_mCo_nMn_oGa_p称量原料，(2)将称好的原料盛放在坩埚中，采用常规的提拉法生长Ni_mCo_nMn_oGa_p磁性单晶或多晶，(3)使坩埚中的原料在1000～1330℃的熔融的温度条件下保持10～30分钟后，再制备单晶或多晶。本发明磁性材料Ni_mCo_nMn_oGa_p与现有合金相比，具有更高的可控制性，可用于制作驱动器、温度和/或磁性敏感元件、磁制冷器件和设备、磁存储器、微型机电器件和系统，等等。
一种具有磁场驱动马氏体相变效应磁性材料及其制备方法

[发明专利]具有高自旋极化率的半金属磁性材料-CN200510109166.8无效
发明人：刘国栋;代学芳;柳祝红;朱志永;陈京兰;吴光恒 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2005-10-20 - 公布日： 2006-03-22 - 主分类号： H01F1/047 文献下载
摘要：本发明涉及一系列具有高自旋极化率的金属磁性材料，该系列材料具有化学式：Mn_xCo_yN_zM_w，其中，N是III－V族元素，如：Al，Ga，In，Si，Ge，Sn，Sb等的一种或多种，M为过渡族元素，如：V，Cr，Fe，Ni等的一种或多种；2.2≥x≥1.8，1.2≥y＞0，1.2≥z＞0，0.99≥w≥0，x+y+z+w＝4。所述的Mn_xCo_yN_zM_w系列材料：自旋极化率最高的为100％，是典型的半金属磁性材料，最低的自旋极化率是80％。
具有自旋极化金属磁性材料

[发明专利]具有磁场可控的超弹性的磁性单晶及制备方法-CN200410003419.9无效
发明人： 陈京兰;代学芳;柳祝红;刘国栋;吴光恒 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2004-02-25 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： H01F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及具有磁场可控超弹性效应的磁性单晶及其制备方法。该磁性单晶具有Co_xNi_yFe_wGa_z化学式，其中：40＜x＜60；10＜y＜30；10＜z＜30；0.01＜w＜15，x+y+z+w＝100。该方法包括采用常规的提拉法生长，其生长条件为：加热原料到使之熔融；其在熔融环境下以0.5－50转/分钟的速率旋转的带有籽晶的籽晶杆；在1050－1320℃的熔融温度下保持10－30分钟，用籽晶下端接触熔体的液面，然后以3－80mm/小时的均匀速率提升籽晶杆，将凝固结晶的单晶向上提拉，并使生长的单晶直径变大或保持一定；当生长的单晶达到所需尺寸时，将单晶提拉脱离熔融的原料表面，以0.5－20℃/分钟的缓慢降低温度冷却至室温，最后取出。该材料能够产生的超弹性，在自由样品上达到20％，当外加一个0.1－2.0T的磁场时，超弹性形变的大小和方向可随磁场的变化而变化。
具有磁场可控弹性磁性制备方法

[发明专利]具有磁场可控的双向形状记忆效应的磁性单晶及制备方法-CN200310116066.9无效
发明人： 陈京兰;张铭;柳祝红;刘国栋;代学芳;吴光恒 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2003-12-30 - 公布日： 2005-07-06 - 主分类号： C30B29/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有磁诱导高应变形状记忆效应的磁性单晶及其制备方法。该磁性单晶具有Co_xNi_yGa_z化学式，其中：40＜x＜60；10＜y＜30；10＜z＜30；x+y+z＝100其制备方法包括将称好的料盛放在坩埚中，采用常规的提拉法生长Co_xNi_yGa_z磁性单晶，其生长条件为：加热Co_xNi_yGa_z原料到使之熔融；其熔融环境下以0.5－50转/分钟的速率旋转的带有籽晶的籽晶杆；在1050－1320℃的熔融温度条件下保持10－30分钟，用籽晶下端接触熔体的液面，然后以3－80mm/小时的均匀速率提升籽晶杆，将凝固结晶的单晶向上提拉，并使生长的单晶直径变大或保持一定；当生长的单晶达到所需尺寸时，将单晶提拉脱离熔融的原料表面，以0.5－20℃/分钟的缓慢降低温度冷却至室温，最后取出。
具有磁场可控双向形状记忆效应磁性制备方法

[发明专利]具有双向形状记忆效应的磁性材料及其单晶制备方法-CN200410080015.X无效
发明人：刘国栋;柳祝红;代学芳;朱志永;陈京兰;吴光恒 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2004-09-24 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： H01F1/047 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有双向形状记忆效应的磁性材料及其单晶制备方法。该磁性单晶材料的化学式为Mn_xNi_yGa_z，其中，37＜x＜55，20＜y＜38，20＜z＜30，x+y+z＝100，x、y、z表示原子百分比含量。其单晶制备方法包括将称好的料盛放在坩埚中，采用提拉法生长Mn_xNi_yGa_z磁性单晶。本发明提供的具有双向形状记忆效应的磁性材料，其马氏体相变的各个特征温度点可通过改变Mn，Ni，Ga组成比而被转变或根据用途加以调整，马氏体相变的开始温度可被选为在36K和350K范围内符合应用的需要，而居里点Tc可被选为在140℃和330℃的范围内符合应用的需要。此外，本发明提供的制备方法适用于常规的提拉晶体的设备，因此成本低，易于工业化批量生产。
具有双向形状记忆效应磁性材料及其制备方法

[发明专利]一种具有高应变形状记忆效应的磁性带材及制备方法-CN02149352.9无效
发明人：张铭;崔玉亭;柳祝红;王文洪;陈京兰;吴光恒 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2002-11-13 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： H01F1/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高应变形状记忆效应的磁性材料及其制备方法。该磁性材料具有Ni_50+xFe_25+yGa_25+z化学式，其中：－24.9950+xFe_25+yGa_25+z磁性材料，其制备条件为：加热NiFeGa原料到使之熔融；其熔融环境下以1.0－1.50大气压的氩气将其喷出到以1－50米/秒的线速率旋转的铜轮表面上实现5－2000℃/秒的急速冷却，获得厚度在0.01－1毫米之间，宽度在1－20毫米之间长度在10－1000毫米之间的快淬薄带。快淬的加热方式包括：用50－245千赫兹的射频加热，或电阻加热方式。该材料马氏体相变的开始温度可被选为在120K和350K范围内符合应用的需要，由于含铁，韧性比不含有铁的好。其居里温度达到140℃。
一种具有应变形状记忆效应磁性制备方法

[发明专利]具有磁诱导高应变和形状记忆效应的磁性单晶及制备方法-CN02125681.0无效
发明人：柳祝红;崔玉亭;张铭;王文洪;陈京兰;吴光恒 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2002-07-29 - 公布日： 2004-02-04 - 主分类号： C30B29/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有磁诱导高应变形状记忆效应的磁性单晶及其制备方法。该磁性单晶具有Ni_50+xMn_25－yFe_yGa_25+z化学式，其中：－24.9950+xMn_25－yFe_yGa_25+z磁性单晶，其生长条件为：加热NiMnFeGa原料到使之熔融；其熔融环境下以0.5－50转/分钟的速率旋转的带有籽晶的籽晶杆；在1020－1250℃的熔融温度条件下保持10－30分钟，用籽晶下端接触熔体的液面，然后以3－80mm/小时的均匀速率提升籽晶杆，将凝固结晶的单晶向上提拉，并使生长的单晶直径变大或保持一定；4.当生长的单晶达到所需尺寸时，将单晶提拉脱离熔融的原料表面，以0.5－20℃/分钟的缓慢降低温度冷却至室温，最后取出。该NiMnFeGa单晶由于含铁，而韧性比不含有铁的好。该NiMnFeGa单晶含有铁，其居里温度比不含有铁得以提高。
具有诱导应变形状记忆效应磁性制备方法

[发明专利]一种利用帕尔贴效应实现单晶生长控制的方法-CN00132620.1无效
发明人： 陈京兰;吴光恒;王文洪;贾克昌;张效昌 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2000-11-17 - 公布日： 2003-12-17 - 主分类号： C30B15/18 文献下载
摘要：一种利用帕尔帖效应实现单晶生长控制的方法，在磁悬浮冷坩埚射频加热提拉法单晶生长系统上，通过控制射频加热功率及选择坩埚内的投料量，使熔体适当接触坩埚内表面来达到电流通过固液界面等步骤来实现单晶生长尺寸控制、生长界面标记和调制掺杂的目的。本发明可制备高质量、超晶格结构体单晶，可研究单晶生长界面状态。本发明反应快、控制精确；可实现更精细，边缘更完整的生长界面标记和调制掺杂。本发明适于所有导电材料。
一种利用帕尔效应实现生长控制方法

[实用新型]一种显微镜样品观测台-CN00252995.5无效
发明人： 陈京兰;吴光恒;王文洪;贾克昌;张效昌 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2000-11-20 - 公布日： 2001-08-22 - 主分类号： G01N1/42 文献下载
摘要：一种显微镜样品观测台,由电源、帕尔贴制冷器件、样品、传热基座、冷却水槽、金属样品盒、薄玻璃片、橡胶圈、抽真空装置及温差电偶等构成。利用帕尔贴器件制冷效应并与冷却方式相结合,用金属导热,通过密封样品室即可使被显微镜观察的样品在－149℃至200℃的温度范围内变化;也可在此温度范围内稳定在某一温度。在此温度范围内,样品不出现水蒸气凝结在样品表面和样品在较高温度下被氧化的问题。
一种显微镜样品观测

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