专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基板处理方法及基板处理装置-CN202310815275.X在审
  • 奥谷学;阿部博史 - 株式会社斯库林集团
  • 2019-01-24 - 2023-09-29 - H01L21/67
  • 本发明提供一种基板处理方法,基板处理方法包括:基板保持工序,利用基板保持用具将基板保持为水平;液膜形成工序,通过向基板的上表面供给处理液,在基板的上表面形成处理液的液膜;液密加热工序,通过向设置在基板与基座之间的加热器单元与基板之间的空间供给热媒来使热媒充满空间,并且通过加热器单元加热热媒;开口形成工序,在通过液密加热工序加热基板使得基板的温度成为处理液的沸点以上的状态下,在基板上的液膜的中央区域形成开口;以及开口扩大工序,一边通过使基座旋转而使基板以沿着铅垂方向的旋转轴线为中心旋转,一边使开口扩展。液密加热工序在开口扩大工序的至少一部分的期间与开口扩大工序并行执行。
  • 处理方法装置
  • [发明专利]一种基板处理方法和基板处理装置-CN201811110408.9有效
  • 奥谷学;髙桥弘明;尾辻正幸;阿部博史;前田主悦;中井仁司;佐佐木悠太 - 株式会社斯库林集团
  • 2018-09-21 - 2023-08-11 - H01L21/02
  • 本发明提供一种基板处理方法,包括:处理液膜形成工序,向基板的图案形成面供给含有升华性物质的处理液,在所述图案形成面形成处理液膜;温度保持工序,将形成于所述图案形成面的所述处理液膜的温度保持在所述升华性物质的熔点以上且小于所述升华性物质的沸点的温度范围内;薄膜化工序,在所述处理液膜的温度处于所述温度范围内的期间使所述处理液膜变薄;凝固工序,在所述温度保持工序之后,使通过所述薄膜化工序变薄的所述处理液膜在所述图案形成面上凝固而形成所述升华性物质的凝固体;以及升华工序,使所述凝固体升华而从所述图案形成面去除所述凝固体。
  • 一种处理方法装置
  • [发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN201811447638.4有效
  • 吉田幸史;奥谷学;阿部博史;安田周一;金松泰范;中井仁司 - 株式会社斯库林集团
  • 2018-11-29 - 2023-06-30 - H01L21/67
  • 本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括:第一处理液供给工序,向上述基板的上表面供给第一处理液;保持层形成工序,使上述第一处理液固化或硬化,在上述基板的上表面形成颗粒保持层;保持层去除工序,将上述颗粒保持层从上述基板的上表面剥离并去除;液膜形成工序,在将上述颗粒保持层从上述基板上除去后,形成第二处理液的液膜;气相层形成工序,在上述基板的上表面与上述液膜之间形成保持上述液膜的气相层;以及液膜排除工序,通过使上述液膜在上述气相层上移动,将上述第二处理液从上述基板的上表面排除。
  • 处理方法以及装置
  • [发明专利]基板处理方法及基板处理装置-CN201910066183.X有效
  • 奥谷学;阿部博史 - 株式会社斯库林集团
  • 2019-01-24 - 2023-06-27 - H01L21/67
  • 本发明提供一种基板处理方法,基板处理方法包括:基板保持工序,利用基板保持用具将基板保持为水平;液膜形成工序,通过向基板的上表面供给处理液,在基板的上表面形成处理液的液膜;液密加热工序,通过向设置在基板与基座之间的加热器单元与基板之间的空间供给热媒来使热媒充满空间,并且通过加热器单元加热热媒;开口形成工序,在通过液密加热工序加热基板使得基板的温度成为处理液的沸点以上的状态下,在基板上的液膜的中央区域形成开口;以及开口扩大工序,一边通过使基座旋转而使基板以沿着铅垂方向的旋转轴线为中心旋转,一边使开口扩展。液密加热工序在开口扩大工序的至少一部分的期间与开口扩大工序并行执行。
  • 处理方法装置
  • [发明专利]基板处理装置-CN201780012577.6有效
  • 阿部博史;林豊秀;小林健司 - 株式会社斯库林集团
  • 2017-02-27 - 2023-03-24 - H01L21/304
  • 基板处理装置具备:旋转基座,设置有保持基板的周缘的夹具构件;马达,使上述旋转基座旋转;加热器单元,位于被上述夹具构件保持的基板与上述旋转基座的上表面之间;处理液供给单元,朝向被上述夹具构件保持的基板的表面供给处理液;以及微波产生单元,从上述加热器单元向上述基板的下表面产生微波。上述微波产生单元也可包括:微波产生构件,包括设置于上述加热器单元的波导管;微波振荡器,设置于上述加热器单元的外部;以及同轴缆线,连接上述波导管与上述微波振荡器。
  • 处理装置
  • [发明专利]基板处理装置-CN201810159654.7有效
  • 阿部博史;奥谷学;太田乔;吉原直彦 - 株式会社斯库林集团
  • 2018-02-26 - 2022-05-06 - H01L21/67
  • 本发明的目的在于,在加热器与附着有处理液的基板的下表面接触加热时防止基板弯曲,从而能够均匀地加热基板的整个面。基板处理装置(1)的旋转基座(21)具备把持基板W的周缘的多个卡盘销(20)。加热器主体(60)配置在旋转基座(21)与由卡盘销(20)把持的基板(W)之间。在加热器主体(60)的上表面设置有多个气体嘴(61)。气体嘴(61)与非活性气体供给机构(68)和抽吸机构(69)连通,通过从气体嘴(61)喷出非活性气体来防止向加热器主体(60)下落的处理液进入气体嘴(61),通过由气体嘴(61)抽吸能够使基板(W)均匀地吸附于加热器主体(60)的上表面。由此,防止基板弯曲,从而能够均匀地加热基板的整个面。
  • 处理装置
  • [发明专利]基板干燥方法和基板处理装置-CN201810858082.1有效
  • 奥谷学;菊本宪幸;吉原直彦;阿部博史 - 株式会社斯库林集团
  • 2018-07-31 - 2022-03-15 - H01L21/67
  • 本发明提供一种基板干燥方法和基板处理装置,所述基板干燥方法使具有图案的基板的表面干燥,其中,所述基板干燥方法包括:升华剂液膜配置工序,在所述基板的所述表面配置液体的升华剂的液膜;高蒸汽压液体配置工序,在配置于所述基板的所述表面的升华剂的液膜之上配置具有比所述升华剂高的蒸汽压且不含水的高蒸汽压液体的液膜;气化冷却工序,伴随高蒸汽压液体的气化夺走气化热使升华剂冷却,由此,使所述升华剂的液膜固化在所述基板的所述表面形成升华剂膜;以及升华工序,使所述升华剂膜升华。
  • 干燥方法处理装置
  • [发明专利]基板处理方法及基板处理装置-CN201711458281.5有效
  • 阿部博史;奥谷学;吉原直彦 - 株式会社斯库林集团
  • 2017-12-28 - 2022-02-08 - H01L21/02
  • 本发明提供基板处理方法,包括:基板保持工序,使基板保持单元将基板保持为水平;密闭工序,在将保持有基板的基板保持单元收纳于腔室的内部空间的状态下密闭内部空间;液膜形成工序,对基板的上表面供给用于处理基板的上表面的处理液,在基板上形成处理液的液膜;加压工序,通过对内部空间供给气体,对内部空间加压直至内部空间的压力为高于大气压的第一压力;加热工序,加热基板,使得在内部空间的压力达到第一压力的状态下在液膜与基板之间形成处理液的蒸气层;液膜排除工序,通过一边维持在液膜与基板之间形成处理液的蒸气层的状态,一边对内部空间减压直至内部空间的压力为小于第一压力的第二压力,使处理液蒸发,从基板上排除液膜。
  • 处理方法装置
  • [发明专利]衬底处理方法及衬底处理装置-CN201811083916.2有效
  • 阿部博史;奥谷学;太田乔 - 株式会社斯库林集团
  • 2018-09-17 - 2022-01-14 - H01L21/67
  • 本发明涉及衬底处理方法及衬底处理装置。本发明的课题在于提供一种能够提高改变衬底表面的化学性质的改性处理液的反应性的技术。本发明的解决手段为对衬底W的表面进行处理的衬底处理方法,其包括下述工序:(a)一边使衬底W旋转一边向该衬底W的表面供给IPA并进行处理的第一溶剂供给工序S4;和(b)在第一溶剂供给工序S4之后供给硅烷化液体从而形成液膜的改性处理液供给工序S5;和(c)在第一溶剂供给工序S4及改性处理液供给工序S5中加热衬底W的工序。所述工序(c)为在改性处理液供给工序S5中对衬底W施加的每单位时间的热量H2大于在第一溶剂供给工序S4中对衬底W施加的每单位时间的热量H1的工序。
  • 衬底处理方法装置
  • [发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN201710850685.2有效
  • 吉原直彦;奥谷学;太田乔;阿部博史 - 株式会社斯库林集团
  • 2017-09-20 - 2022-01-04 - H01L21/67
  • 本发明提供能由有机溶剂良好地处理基板,并使基板良好地干燥的基板处理方法和装置。该方法包括:基板保持工序,将基板保持为水平;基板旋转工序,使基板以沿着铅垂方向的旋转轴线为中心旋转;液膜形成工序,向基板的上表面供给处理上表面的第一有机溶剂,在上表面形成第一有机溶剂的液膜;蒸气供给工序,向具有与基板的下表面相向的相向面的加热器单元的相向面和下表面之间的空间,供给第二有机溶剂的蒸气;基板加热工序,与基板旋转工序和液膜形成工序并行,由第二有机溶剂的蒸气加热旋转状态的基板;基板干燥工序,在基板加热工序后,从基板排除第一有机溶剂的液膜,使基板停止旋转,在将基板与加热器单元接触的状态下,使基板的上表面干燥。
  • 处理方法装置
  • [发明专利]基板干燥方法和基板处理装置-CN201810858104.4有效
  • 奥谷学;菊本宪幸;吉原直彦;阿部博史 - 株式会社斯库林集团
  • 2018-07-31 - 2021-11-23 - H01L21/67
  • 本发明提供一种基板干燥方法和基板处理装置,该基板干燥方法使具有图案的基板的表面干燥,其中,所述基板干燥方法包括:升华剂液膜配置工序,在所述基板的所述表面配置液体的升华剂的液膜;高蒸汽压液体供给工序,向所述基板中的与所述表面相反侧的面即背面供给具有比所述升华剂的蒸汽压高的蒸汽压且不含水的高蒸汽压液体;气化冷却工序,通过在所述基板的所述表面配置升华剂的液膜之后停止供给高蒸汽压液体,伴随高蒸汽压液体的气化夺走气化热使升华剂冷却,由此,使所述升华剂的液膜固化而在所述基板的所述表面形成升华剂膜;以及升华工序,使所述升华剂膜升华。
  • 干燥方法处理装置

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