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[发明专利]一种纳米钨针尖制备方法-CN202310927421.8在审
发明人： 阴生毅;郭家美;孙万众;张永清;高向阳 -专利权人：中国科学院空天信息创新研究院
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01Q60/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米钨针尖制备方法，该方法包括：配制电化学腐蚀溶液，将单晶钨丝浸入电化学腐蚀溶液中进行电化学腐蚀；引入视频显微镜观察并记录单晶钨丝的电化学腐蚀过程；观察视频显微镜的图像，在单晶钨丝形成钨针尖时切断电源；取出钨针尖，将钨针尖置于富氧环境中进行高温富氧处理，得到纳米钨针尖。通过电化学腐蚀和高温富氧处理相结合制备纳米钨针尖，可获得表面充分净化及尺寸符合要求的单晶钨针尖，解决了目前采用常规方法难以获得尖端曲率半径50nm以下且表面光滑的纳米钨针尖的问题。
一种纳米针尖制备方法

[发明专利]发射材料、制备方法及应用-CN202011264784.0有效
发明人： 阴生毅;吕昕平;任峰;卢志鹏 -专利权人：中国科学院空天信息创新研究院
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01J1/142 文献下载
摘要：一种发射材料、制备方法及应用，其中，发射材料包括如下物质的量百分比的组分：40～50at％Ba、5～15at％Sr、5～15at％Ca、10～20at％Al和20～30at％Sc。本发明调整发射材料组分含量，利用机械方法进行混合，得到了新的高活性发射材料；采用这种新材料浸渍的阴极，在1100℃条件下的脉冲发射测试中，拐点处发射电流密度提升至318.06A/cm2。此外，本发明还以冷冻干燥法为前驱工艺，制备出了新的发射材料，解决了传统机械研磨、混合过程中原料混合不均匀及其所导致的阴极发射性能不一致的问题，改善了阴极的可靠性。
发射材料制备方法应用

[发明专利]插拔式单晶硼化物阴极及其制备方法、和电子器件-CN202110986671.X在审
发明人： 阴生毅;张永清;高向阳 -专利权人：中国科学院空天信息创新研究院
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01J1/148 文献下载
摘要：本发明公开了一种插拔式单晶硼化物阴极，包括：陶瓷体，陶瓷体上设置有两个通孔；两个电极杆，从陶瓷体的第一侧延伸穿过第二侧，制作电极杆的材料与陶瓷体具有大致相同的线膨胀系数；两个夹持机构，每个夹持机构包括与从第二侧伸出的电极杆螺纹连接的基部，以及从基部延伸的夹持臂；两个热解石墨块，设置在两个夹持臂之间；以及发射体，由单晶硼化物制成，两个热解石墨块利用夹持臂的夹持力夹紧发射体。
插拔式单晶硼化物阴极及其制备方法电子器件

[发明专利]热场发射阴极及其制备方法、及应用其的真空电子器件-CN201710794394.6有效
发明人： 阴生毅;卢志鹏;张永清;张兆传;任峰 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2017-09-05 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01J1/142 文献下载
摘要：热场发射阴极及其制备方法、及应用其的真空电子器件，其中热场发射阴极包括钼筒及固定于其上的钨海绵体，其中：钨海绵体的上表面具有微尖阵列，该微尖阵列内部具有孔隙；钨海绵体内部的孔隙与微尖阵列内部的孔隙形成连通孔隙；连通孔隙内填充有活性物质。由于在钨海绵体表面形成有微尖阵列，且构成从钨海绵体直达微尖阵列内部孔隙的连通孔隙，该连通孔隙填有活性物质，从而在热扩散作用下，该活性物质可达到微尖阵列顶部，为实现低功函数的发射提供了条件，因此本发明的热场发射阴极的发射性能相较于传统的热发射阴极，工作温度及功耗大幅降低；相较于传统的场发射阴极，发射电流密度更高，且具有较强的抗打火能力。
发射阴极及其制备方法应用真空电子器件

[发明专利]一种阴极活性发射材料的制备方法-CN201310009451.7有效
发明人： 阴生毅;彭真;王宇;李阳;王欣欣;郑强 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2013-01-10 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：发明是一种阴极活性发射材料的制备方法，制备步骤如下：第一步：将碳酸钡锶钙盐置于镍舟中，再将镍舟推入氢炉进行加热分解，获得钡锶钙氧化物；第二步：用研钵分别地将钡锶钙氧化物、411钡铝酸盐和氧化钪材料研成粉末，研磨时避免不同材料间产生交叉污染；第三步：按照钡锶钙氧化物35～50wt％∶411钡铝酸盐35～50wt％∶氧化钪为5～30wt％的比例，分别称取钡锶钙氧化物、411钡铝酸盐和氧化钪这三种物质的粉末，倒入同一研钵中，混合研磨约30分钟，得到活性发射材料；第四步：将制备好的活性发射材料倒入广口瓶中，封盖后置于低湿柜或干燥器中保存。本发明材料适用于各种规格的浸渍扩散阴极和覆膜浸渍扩散阴极，满足阴极批量生产的需要。
一种阴极活性发射材料制备方法

[发明专利]一种阴极三元合金膜及制备覆膜浸渍扩散阴极的方法-CN200710118004.X有效
发明人： 阴生毅;张永清;张洪来;王宇 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2007-06-27 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H01J1/146 文献下载
摘要：本发明一种阴极三元合金膜及制备覆膜浸渍扩散阴极的方法，涉及微波电真空器件制造技术。阴极三元合金膜，为钨铼锇三元合金膜。一种制备覆膜浸渍扩散阴极的方法，A.在浸渍发射材料之前，用表面溅射法在阴极表面先溅射沉积铼膜，再溅射沉积锇钨膜，接下来浸渍发射材料，利用发射材料的高温浸渍过程，实现阴极表面膜层的合金化；B.浸渍发射材料之后，利用钨铼锇三元合金靶，在阴极表面溅射沉积钨铼锇三元合金膜。用本发明的阴极三元合金膜制备的阴极，可使阴极发射电流密度成倍提高，加大了阴极发射能力，并可较容易地制备成各种规格并易于实现批量生产。本发明阴极可应用于各类微波电真空器件，也可在电视机的电子管以及电子显微镜中使用。
一种阴极三元合金制备浸渍扩散方法

[发明专利]一种制备钨海绵体的方法-CN200610086550.5无效
发明人： 阴生毅;王宇 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2006-06-22 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： B22F3/10 文献下载
摘要：本发明一种制备钨海绵体的方法，属于微波电真空器件制造技术，包括对市售钨粉进行真空炉低温预烧除气，钨粉灌装和冷等静压制备钨坯，氢炉低温烧结钨坯，粗车，氢炉高温烧结钨坯，氢炉中对钨坯浸铜获得钨铜棒，精车钨铜棒，化学法和高频法去除钨铜件中的铜，最终获得所需的钨海绵体零件；其在真空炉低温预烧除气后，增加一道对钨粉的高速射流分级处理工序，去除钨粉中的超细颗粒和偏粗颗粒，获得粒经与钨粉标示粒度接近的分级钨粉。本发明方法将微米级市售钨粉中约85％以上粒径为2微米以下的超细钨颗粒和90％的偏粗颗粒有效去除，减少了超细颗粒堵塞钨颗粒间孔隙、以及偏粗颗粒容易形成粗大孔隙的现象，达到制备孔隙均匀钨海绵体的目的。
一种制备海绵方法

[发明专利]钢轨表面焊接合金层的方法及其材料-CN200610001060.0无效
发明人： 阴生毅;张建忠 -专利权人： 阴生毅
申请日： 2006-01-18 - 公布日： 2006-07-19 - 主分类号： B23K11/06 文献下载
摘要：本发明属于金属材料焊接及铁路信号控制领域。现有铁路钢轨表面获得耐蚀导电合金层存在结合强度低、钢轨损伤大、以及生产效率低的问题。本发明方法：包括对钢轨表面进行打磨获得新鲜的金属表面，利用电阻滚焊装置进行电阻滚焊，获得所需的合金层，其特征在于，在上述钢轨新鲜表面上预先涂覆合金粉末材料后进行电阻滚焊，该合金粉末材料为熔点1000℃～1130℃的自熔合金粉末材料。所述的自熔合金粉末材料为现有堆焊层硬度为HRC20－HRC45的NiCrBSi系自熔合金粉末或者NiCrBSiCu合金系统，NiCrBSiCu合金系统质量百分比组成如下：C 0.2－0.5％，B 0.5－5.0％，Si 1.0－5.0％，Cr 3.0－15％，Fe 2－12％，Cu 3－20％，Ni余量。本发明全面地解决合金层与钢轨表面结合差、对钢轨损伤大以及生产效率低的问题。
钢轨表面焊接合金方法及其材料

[发明专利]热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积方法及装置-CN200310110350.5无效
发明人：陈光华;阴生毅 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2003-12-31 - 公布日： 2004-12-22 - 主分类号： C23C16/48 文献下载
摘要：热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积方法及装置，属微波低温等离子体领域。本发明方法包括利用电子回旋共振系统中的微波源、磁场线圈在谐振腔内产生电子回旋共振的等离子体，特征在于，在谐振腔出口与沉积室的样片台之间，增加对等离子体产生热辐射的热丝单元，促使等离子体中的气体更充分分解，且环位于等离子体之外，不会阻碍薄膜沉积。装置特征：在谐振腔10出口与沉积室11内的样片台12之间设置促使气体充分分解的热丝单元，该热丝单元由置于沉积室11的热丝环15，固定热丝环15的夹持电极16，真空封装电极17及置于沉积室11外的热丝电源18组成，沉积室11内的等离子体23从热丝环15中穿过。本发明较好地解决等离子体中气体及基团分解不充分问题。
辅助微波电子回旋共振化学沉积方法装置

[发明专利]微波电子回旋共振等离子体均匀化方法及装置-CN02155430.7无效
发明人： 阴生毅;陈光华 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2002-12-13 - 公布日： 2003-05-07 - 主分类号： H05H1/30 文献下载
摘要：微波电子回旋共振等离子体均匀化方法及装置属于微波低温等离子体技术领域。其特征在于，使微波通过在位置上存在相互旋转180度关系的双三角形波导管产生两束微波，使这两束微波经过双三角形的波导管后直接通过微波窗片耦合进入谐振腔，并在谐振腔内进行叠加，形成一种新的双束微波场。为达到本方法的目的，所设计的装置特征是，在过渡矩形波导管6与陶瓷微波窗片8及窗片法兰9之间，接入了一段在矩形波导管内部插入均分板19后、形成的双三角形的波导管7，其横截面被分为了两个三角形。本发明不仅较好地解决了电子回旋共振设备等离子体不均匀性的问题，且制造安装简便，对等离子体无污染，避免了采用同轴波导和多槽天线带来的制造安装复杂等问题。
微波电子回旋共振等离子体均匀方法装置

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