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[发明专利]一种基于镓掺杂氧化锌微米线近带发射增强及调控的方法-CN202310852426.9在审
发明人：曹水艳;何思远;姜明明;阚彩侠;刘衍朋 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01G9/03 文献下载
摘要：一种基于镓掺杂氧化锌微米线近带发射增强及调控的方法，其特征是将所述镓掺杂氧化锌微米线固定于二氧化硅衬底上，通过对微米线进行高能X射线辐照，实现增强和调控微米线光致发光特性。本发明为增强和调控掺镓氧化锌微米线发射特性提供一种有效策略，操作简便，增强效果大，有效时间长。在调控微米线光电特性，构筑氧化锌基微纳米光电器件有着巨大的应用前景。
一种基于掺杂氧化锌微米线近带发射增强调控方法

[发明专利]复合型自驱动氧化锌同质结基紫外探测器及其制备方法-CN202210560525.5有效
发明人：姜明明;唐楷;施大宁;阚彩侠 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合型自驱动氧化锌同质结基紫外探测器，生长p‑ZnO:Sb微米线并在其上表面蒸镀Ag薄膜，并以n‑ZnO薄膜为衬底，在衬底上依次蒸镀MgO空穴阻挡层和Au薄膜电极，然后放置上表面蒸镀有Ag薄膜的p‑ZnO:Sb微米线，最后覆盖上有Au薄膜电极的ITO导电玻璃；本发明采用CVD法生长的p‑ZnO:Sb微米线与n‑ZnO薄膜，结合MgO空穴阻挡层和Ag薄膜构筑ZnO基同质结自驱动紫外光电探测器。该新型结构的紫外光电探测器通过MgO空穴阻挡层调控能带，降低器件中暗电流，引进Ag颗粒膜表面等离激元效应增大光电流，以此提高器件的探测效率和响应速率。
复合型驱动氧化锌同质紫外探测器及其制备方法

[发明专利]一种复合柔性透明电磁屏蔽薄膜及其制备方法与应用-CN202310486566.9在审
发明人：朱兴忠;张继哲;熊全;阚彩侠 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合柔性透明电磁屏蔽薄膜，依次包括基底、导电薄膜层、MXene层、保护层；导电薄膜层、MXene层间隔排布；基底为PET聚酯薄膜，导电薄膜层为银纳米线，MXene层为具有多层结构的二维片状MXene，保护层由聚甲基丙烯酸甲酯制成。本发明还公开了一种复合柔性透明电磁屏蔽薄膜的制备方法及其在电子触摸屏中的应用。本发明制备条件简单、可操作性强，通过调控银纳米线层和MXene层的交替涂布层数，调节电磁屏蔽薄膜的透过率和屏蔽效能，层数越多，透过率和屏蔽效能均逐渐变小。
一种复合柔性透明电磁屏蔽薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种超细铜纳米线的制备方法及其所得铜纳米线-CN202210414375.7有效
发明人：朱兴忠;徐娟;刘洋;阚彩侠 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种超细铜纳米线的制备方法，包括以下步骤：(a)将氯金酸溶液加入至十六烷基三甲基氯化铵溶液、氢氧化钠溶液和柠檬酸溶液的混合溶液中，搅拌均匀后，2s内注入硼氢化钠溶液，搅拌后在80～110℃水浴，老化生长得到金纳米晶；(b)将十六胺溶液、氯化铜溶液在室温下混合搅拌均匀后，加入葡萄糖溶液，继续搅拌均匀，得到淡蓝色的混合溶液；(c)将步骤(a)所得金纳米晶加入至步骤(b)所得混合溶液中，在90～120℃油浴反应，得到超细铜纳米线。本发明还公开了该方法所制得的超细铜纳米线。本发明制备条件简单，通过小尺寸金纳米晶引导铜纳米线生长，条件温和，反应温度低，可操作性强，所得超细铜纳米线纯度高。
一种超细铜纳米制备方法及其所得

[发明专利]一种钙钛矿异质结自驱动光电探测器及其制备方法-CN202310204240.2在审
发明人： 阚彩侠;蔺承鑫;姜明明 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿异质结自驱动光电探测器，包括绝缘衬底，绝缘衬底的表面设置InGaN薄膜，InGaN薄膜远离的绝缘衬底的一侧间隔设置金属电极、CsPbBr3微米带，CsPbBr3微米带远离InGaN薄膜的一侧设置ITO导电玻璃，金属电极远离InGaN薄膜的一侧设置In颗粒电极，ITO导电玻璃远离CsPbBr3微米带的一侧设置In颗粒电极。本发明还公开了一种钙钛矿异质结自驱动光电探测器的制备方法。本发明通过构筑CsPbBr3/InGaN异质结结构，在不加外部电压情况下，实现了高性能的光电探测器，器件响应度、探测率高，表现出较宽的响应带宽，有利于推广应用。
一种钙钛矿异质结驱动光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种银纳米结构生长机理的分析方法-CN202111168768.6有效
发明人：朱兴忠;徐娟;恽沁茹;阚彩侠 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种银纳米结构生长机理的分析方法，(a)制备金纳米双锥、以金纳米双锥为中心的金纳米框，分别作为长度可调的硬模板；(b)将硬模板分别离心分散入十六烷基三甲基氯化铵溶液中，测量颗粒的吸收峰，根据吸收峰的强度调节各硬模板的颗粒数相等；(c)加入等量硝酸银溶液和抗坏血酸溶液，摇匀并在50～70℃反应，制得银纳米棒；(d)比较步骤(c)银纳米棒形貌，确定混合反应体系中硬模板类型对银纳米棒形貌的影响，明确银纳米棒的生长机理。本发明通过构建形貌相近的金纳米结构为模板，简单直观地研究验证模板的选择于银原子的沉积机理与最终结构的重要影响，设计思路简洁，实验可操作性强，条件温和。
一种纳米结构生长机理分析方法

[发明专利]基于十字交叉微米线构筑的隧穿发光二极管及其制备方法-CN202010360720.4有效
发明人：姜明明;季姣龙;阚彩侠;冒王琪 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了基于十字交叉微米线构筑隧穿发光二极管及其制备方法，该隧穿发光二极管包括一石英衬底；两根不同Ga掺杂浓度ZnO微米线；用铟颗粒将交叉的两根不同Ga掺杂浓度氧化锌微米线固定在石英衬底上。两根微米线之间的I‑V特征曲线呈现明显Schottky接触特性，通过调节施加在两根微米线上的电压可以使得该器件的发光区局限于交叉区。通过光谱分析，发光峰位不同于两根微米线单独发光的峰位，并且通过改变实验条件可以控制交叉区发光峰位的移动。结合十字交叉区电子传输的特性分析：基于两根不同Ga掺杂浓度ZnO微米线构建的十字交叉结构实现了隧穿效应。
基于十字交叉微米构筑发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种中空铑纳米结构及其制备方法-CN202211190362.2在审
发明人： 阚彩侠;吴鑫 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： B22F1/054 文献下载
摘要：本发明涉及一种中空铑纳米结构及其制备方法，该结构由不连续的铑薄层和离散的铑纳米团簇形成。该结构的制备方法为：将铑沉积于金纳米结构上，然后将金蚀刻后，得到中空铑纳米结构。本发明制备条件温和，利用模板生长结合蚀刻过程得到中空铑纳米结构，尤其可制得中空铑纳米苍耳结构，步骤简单，可操作性强。
一种中空纳米结构及其制备方法

[发明专利]一种新型定向可控电激励纳米光源的构筑方法-CN202211005018.1在审
发明人：曹水艳;刘金果;刘衍朋;张伟;姜明明;阚彩侠 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G01Q60/10 文献下载
摘要：一种新型定向电激励纳米光源的构筑方法，其特征是它包括以下步骤：首先，构筑一种强定向性的电激励的STM纳米光源；将金纳米片样品溶液滴于ITO导电玻璃膜基底，使之分散分布，方便后续探测；其次，构建基于傅里叶空间成像原理的出射光探测系统；通过CCD记录的成像，分析探测结果；当激励位置位于金纳米片侧边中点时出射光的定向性明显优于激励位置位于顶点时，而激励位置位于金三角薄片中心时出射光不具有明显的定向性。本发明构筑了一种操作简单、具有强定向性的纳米光源实现系统，且利用傅里叶变换原理，设计了一款高分辨率且较为简易的出射光观测装置。
一种新型定向可控激励纳米光源构筑方法

[发明专利]基于硒化锑微米带的多面近红外偏振探测器及制备方法-CN202210712431.5在审
发明人： 阚彩侠;万鹏;姜明明;魏筠;许统;刘洋 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硒化锑微米带的多面近红外偏振探测器及制备方法。探测器的结构包括：绝缘衬底、硒化锑微米带、MXene电极。首先通过化学气相沉积的方法生长出高结晶质量的硒化锑微米带，将硒化锑微米带转移至绝缘衬底，在微米带两端制备MXene电极。硒化锑微米带的宽面和窄面均可作为探测偏振光的窗口，实现基于硒化锑微米带的多面近红外偏振探测器结构。由于硒化锑材料带隙较窄，该器件可在偏置电压的条件下实现近红外波段的光探测功能。利用硒化锑微米带几何形态和材料本身三个维度的各向异性实现了器件多面对偏振光的响应，为实现稳定且多面的近红外偏振探测器的设计与制备提供了可行的方案。
基于硒化锑微米多面红外偏振探测器制备方法

[发明专利]氧化锌同质结基紫外激子极化发光二极管及其制备方法-CN202210573207.2在审
发明人：姜明明;刘茂生;施大宁;阚彩侠 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L33/28 文献下载
摘要：本发明公开了基于锑掺杂p型氧化锌(p‑ZnO:Sb)微米线与n型ZnO薄膜所构筑的同质结基紫外激子极化发光二极管的制备方法，其中包括p型ZnO微米线的制备与发光二极管的构筑方法。本发明采用高品质的具有六边形横截面的p‑ZnO:Sb微米线，结合n‑ZnO薄膜(n‑ZnO衬底)构筑了一种基于ZnO同质结的紫外发光二极管。此发光二极管在正向偏压下发射出稳定的紫外光，由于p‑ZnO:Sb微米线拥有高结晶质量及天然形成的谐振腔，电子与空穴辐射复合产生的光子与激子发生耦合相互作用，呈现出典型的激子极化发光特性。本发明提供的紫外发光二极管采用的同质结构规避了传统异质结基器件中晶格失配等问题，展现出良好的光谱稳定性及更高的发光效率。
氧化锌同质紫外激子极化发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种ZnO微米线异质结高亮红光发光二极管及其制法-CN202210562359.2在审
发明人： 阚彩侠;徐凯;姜明明;施大宁 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种ZnO微米线异质结高亮红光发光二极管及其制法，该二极管包括p‑PGaAs衬底，设置于p‑PGaAs衬底一侧的Ti/Pt/Au合金电极，设置于p‑PGaAs衬底上的n‑ZnO:Ga微米线，n‑ZnO:Ga微米线上旋涂有AgNWs；n‑ZnO:Ga微米线上覆盖有导电玻璃。本发明在n‑ZnO:Ga微米线表面旋涂AgNWs，以p‑PGaAs为衬底，构筑复合结构异质结发光二极管。本发明通过构筑n‑AgNWs@ZnO:Ga/p‑PGaAs异质结结构，在正向偏压下实现了高亮红光发光二极管，避免了在GaAs衬底上直接生长ZnO薄膜而导致晶格失配，有效地实现了异质结器件稳定的高亮红光发光。
一种 zno 微米线异质结高亮红光发光二极管及其制法

[发明专利]厘米级增强型钙钛矿微米线基柔性光电探测器的制备方法-CN202210518188.3在审
发明人： 阚彩侠;韩祁百合;姜明明 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ag准粒子薄膜增强的单根厘米级钙钛矿CsPbBr3微米线基柔性光电探测器的制备方法，其中包括厘米级CsPbBr3微米线的简单有效制备、Ag准粒子薄膜的包覆和光电探测器的构筑。本发明采用液相化学的一步法生长了高品质的CsPbBr3微米线，利用磁控溅射技术在CsPbBr3微米线表面包覆Ag准粒子薄膜，采用Ag胶做电极，构筑了一种Ag准粒子增强的钙钛矿微米线基光电探测器。此光电探测器构筑过程能耗低、简单有效。一步化学法获得的CsPbBr3微米线结晶质量高，表面光滑，以此可得到响应度高、灵敏度高、稳定性高的光电探测器。此外，本发明提供的光电探测器还具有良好的柔性等特点。
厘米增强型钙钛矿微米柔性光电探测器制备方法

[发明专利]一种碳纳米角修饰的高性能异质结光电探测器的制备方法-CN202210538909.7在审
发明人： 阚彩侠;尤海明;刘洋;姜明明 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纳米角修饰的高性能有机/无机异质结光电探测器的制备方法。此光电探测器由4个部分组成：n型Ga掺杂ZnO(n‑ZnO:Ga)微米线，微米线一端的铟(In)电极，碳纳米角(Carbon nanohorns：CNHs)修饰的3,4‑乙撑二氧噻吩：聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)薄膜和薄膜上的银(Ag)电极。本发明基于PEDOT:PSS薄膜和单根ZnO:Ga微米线，构筑有机/无机异质结光电探测器，采用CNHs修饰PEDOT:PSS薄膜，改善其电学性质，从而提升光电探测器性能。与未使用CNHs修饰的PEDOT:PSS薄膜构筑的光电探测器相比，光电流、响应度、探测率、抑制比得到显著增强，促进了ZnO基半导体光电探测器的发展。
一种纳米修饰性能异质结光电探测器制备方法

[发明专利]一种银纳米结构上金原子沉积的控制方法-CN202110365092.3有效
发明人：朱兴忠;徐娟;恽沁茹;阚彩侠 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： B22F1/054 文献下载
摘要：本发明公开了一种银纳米结构上金原子沉积的控制方法，包括以下步骤：步骤一，以金纳米双锥为核，外延生长银制得银纳米棒，其高表面能面与尖端位置呈异位分布；步骤二，以银纳米棒为反应模板，分散到十六烷基三甲基溴化铵溶液中，加入抗坏血酸溶液，搅拌均匀；步骤三，调节混合溶液的pH值，进而调节抗坏血酸溶液的还原性，实现反应系统中置换反应与共还原反应之间比率的调节；步骤四，向所得反应系统中滴加金前驱体溶液，随反应系统由置换反应体系转变为共还原反应体系，被还原的金原子的沉积位置由高表面能面逐渐迁移至银纳米棒的尖端位置。本发明通过调节反应系统的pH值即可实现金原子的可控沉积，条件简单，条件温和，可操作性强。
一种纳米结构原子沉积控制方法

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