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[实用新型]饲料车间除尘装置-CN201120048813.X无效
发明人：刘伟杰;付刚;崔洪波;肖建福;阚强;景栋;张圣军 -专利权人：潍坊盛泰药业有限公司
申请日： 2011-02-23 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： B01D46/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种饲料车间除尘装置，其包括：风力送料装置，所述风力送料装置包括采风管道、与采风管道连接的沙克龙、安装于沙克龙排气管上的袋式除尘器、以及安装于袋式除尘器出气口上的风机；设于饲料车间扬尘产生处的吸尘罩，所述吸尘罩的风管与所述采风管道连通。本实用新型结构合理，与车间内原有的风送饲料装置相结合，在不增加原有车间设备动力消耗的前提下，实现了很好的除尘效果，降低了企业的生产成本，改善了工人的工作环境。
饲料车间除尘装置

[发明专利]双通道微环形腔结构传感器与微流通道的集成结构及其制作方法-CN200910237844.7无效
发明人：王春霞;阚强;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-11-11 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： G01N21/41 文献下载
摘要：本发明公开了一种双通道微环形腔结构传感器与微流通道的集成结构及其制作方法。该结构包含两个直波导微环耦合传感单元结构和两个微流通道。直波导微环耦合单元结构位于硅材料衬底上，在传感单元上面是两个由PDMS材料制作的微流通道，该微流通道方向垂直于直波导方向，两个微流通道各自对应一个微环形腔结构。现有该类传感器结构主要是基于单通道单微环耦合单元结构，单环谐振腔传感结构对环境温度比较敏感，在具体检测中，容易产生温度漂移现象，这极大的限制了该类传感器的实际应用。本发明提供的这种基于微环形腔结构的双通道温度补偿传感器结构，有效地避免微环形谐振腔在传感应用中的环境温度变化对测试结果的干扰，提高了器件性能。
双通道环形结构传感器流通集成及其制作方法

[发明专利]微电极阵列与微流通道集成的传感器结构及其制作方法-CN201010256838.9无效
发明人：王春霞;阚强;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-08-18 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种微电极阵列与微流通道集成的传感器结构及其制作方法，该结构包括含磷酸根离子敏感膜的检测单元、微流通道及电信号输出接口。磷酸根离子检测单元及电信号输出接口位于硅片衬底材料上，在传感单元上面是由PDMS材料制作的微流通道。磷酸根离子检测单元是由金属钴电极和Ag/AgCl电极构成的对电极结构，金属钴电极对磷酸根有特异性响应，通过测量两个电极间电势差，即可得到溶液中磷酸根离子浓度。本发明提供的用于磷酸根离子检测的微电极阵列传感器可以利用半导体微加工技术进行制作，体积小，易于制作便携式检测仪器。
微电极阵列流通集成传感器结构及其制作方法

[发明专利]一种利用光谱强度变化检测介质折射率变化的装置-CN201010139176.7有效
发明人：刘宏伟;阚强;王春霞;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-03-31 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： G01N21/41 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用光谱强度变化检测介质折射率变化的装置，包括：耦合棱镜；在耦合棱镜表面蒸镀的金属层；在金属层表面涂覆的传感介质层；形变布拉格反射镜；CCD传感器；以及在CCD传感器表面涂覆的荧光物质层。宽谱传感光束通过耦合棱镜后，特定波长与棱镜表面金属层发生表面等离子体模式共振，金属层表面介质折射率会对表面等离子体共振波长调制，不同介质折射率对应不同的波长表面等离子体耦合，通过棱镜的传感光束反射光谱由形变布拉格反射镜分光反射至CCD探测器上，利用CCD探测器不同位置对应波长光谱强度变化探测特定波长的表面等离子体共振光吸收，达到探测棱镜上金属表面介质折射率变化的目的。
一种利用光谱强度变化检测介质折射率装置

[发明专利]一种制作纳米压印印章的方法-CN201010139179.0无效
发明人：刘宏伟;阚强;王春霞;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-03-31 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作纳米压印印章的方法，该方法通过电子束曝光在电子束胶上得到纳米图形，利用金属蒸发和电镀的方法将该纳米图形填充后转移到金属表面，然后将带有微纳结构的金属镀膜转移粘附在金属衬底上，得到可重复使用的纳米压印印章。该方法制作的金属纳米压印印章具有高硬度和良好的延展性能，同时制作成本较低，工艺实现简单，在微纳图形加工技术领域可以得到广泛应用。
一种制作纳米压印印章方法

[发明专利]利用全反射角的改变进行传感的折射率传感方法-CN200810240936.6无效
发明人：於丰;阚强;许兴胜;王春霞;刘宏伟;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2008-12-24 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： G01N21/41 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用全反射角的改变进行传感的折射率传感方法，该方法包括：光从折射率为N的材料入射至折射率为n1的传感物质时，测出在不同入射角时的反射率，得到反射数据与曲线，其中N＞n1；对反射率求角度微分，得到反射率角度微分数据与曲线，从反射率角度微分数据与曲线中提取出全反射角θ1；光从折射率为N的材料入射至折射率为n1+Δn的传感物质时，测出不同入射角时的反射率，得到反射数据与曲线，其中N＞n1+Δn；对反射率求角度微分，得到反射率角度微分数据与曲线，从反射率角度微分数据与曲线中提取出全反射角θ2；根据公式Δn＝N(sin(θ1)-sin(θ2))计算出折射率的变化。本发明实现起来简单，测试容易；能精确定出全反射角，提高了传感精度和灵敏度。
利用反射角改变进行传感折射率方法

[实用新型]外腔大功率三有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器-CN200920109744.1无效
发明人：徐晨;解意洋;刘英明;王宝强;阚强;王春霞 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2009-06-26 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：外腔大功率三有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器，属于半导体光电子领域。普通的垂直腔面发射半导体激光器存在单程光增益小、多横模激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本实用新型在器件的有源区上采用了多有源区结构。同时将缺陷型光子晶体结构引入到垂直腔面发射半导体激光器的上DBR中，通过合理的优化光子晶体周期，空气孔径，刻蚀深度，器件直径，氧化孔径等，得到了单模工作氧化孔径几十微米、单模功率几个毫瓦、串联电阻几十欧姆、边模抑制35分贝以上的外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体面发射激光器。
大功率有源光子晶体垂直发射半导体激光器

[实用新型]低阈值内腔三有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器-CN200920109746.0无效
发明人：徐晨;解意洋;王宝强;刘英明;阚强;王春霞 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2009-06-26 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：低阈值内腔三有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器，属于半导体光电子领域。普通氧化限制性垂直腔面发射半导体激光器多横模激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本实用新型在器件的有源区上采用了多有源区结构。同时将缺陷型光子晶体结构引入到垂直腔面发射半导体激光器的上DBR中，通过合理的优化光子晶体周期，空气孔径，刻蚀深度，器件直径，氧化孔径等，得到了单模工作氧化孔径几十微米、单模功率几个毫瓦、串联电阻几十欧姆、边模抑制40分贝以上的内腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体面发射激光器。
阈值内腔三有源光子晶体垂直发射半导体激光器

[发明专利]借助保护层的取样光栅的制作方法-CN200810116415.X无效
发明人：王桓;阚强;周帆;王宝君;朱洪亮 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2008-07-09 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：一种借助保护层的取样光栅的制作方法，包括：在衬底上依次生长缓冲层、下波导层、有源区、上波导层和保护层；在保护层之上，均匀地涂上一层光刻胶，借助于取样光栅光刻版，在光刻胶上曝光出需要制作光栅的区域；将曝光后的结构进行选择性腐蚀；去除剩余的光刻胶，并清洗，将半导体波导结构再涂上一层均匀的光刻胶，并对其进行全息曝光，使光刻胶上印制出光栅轮廓，然后显影；对半导体波导结构进行离子刻蚀，然后再用腐蚀液修整光栅形貌，此时光栅间隔地周期性地制作于保护层和上波导层之上；对半导体波导结构进行选择性腐蚀，将剩余的保护层腐蚀掉，从而在上波导层上获得完整的取样光栅。
借助保护层取样光栅制作方法

[发明专利]外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器-CN200910087714.X无效
发明人：沈光地;徐晨;解意洋;陈弘达;阚强;王春霞;刘英明;王宝强 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2009-06-19 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器属于半导体光电子领域。普通的垂直腔面发射半导体激光器存在单程光增益小、多横模激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本发明在器件的有有源区上采用了多有源区结构。同时将缺陷型光子晶体结构引入到垂直腔面发射半导体激光器的上DBR中，通过合理的优化光子晶体周期，空气孔径，刻蚀深度，器件直径，氧化孔径等，得到了单模工作氧化孔径几十微米、单模功率几个毫瓦、串联电阻几十欧姆、边模抑制35分贝以上的外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体面发射激光器。
外腔式多有源光子晶体垂直发射半导体激光器

[发明专利]内腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器-CN200910087713.5无效
发明人：徐晨;解意洋;沈光地;陈弘达;阚强;王春霞;刘英明;王宝强 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2009-06-19 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明涉及内腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器，属于半导体光电子领域。普通氧化限制性垂直腔面发射半导体激光器多横模激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本发明在器件的有有源区上采用了多有源区结构。同时将缺陷型光子晶体结构引入到垂直腔面发射半导体激光器的上DBR中，通过合理的优化光子晶体周期，空气孔径，刻蚀深度，器件直径，氧化孔径等，得到了单模工作氧化孔径几十微米、单模功率几个毫瓦、串联电阻几十欧姆、边模抑制40分贝以上的内腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体面发射激光器。
内腔式多有源光子晶体垂直发射半导体激光器

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