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[发明专利]一种防伪方法、装置、计算机设备及存储介质-CN202111214899.3在审
发明人：程烨;唐巧提;宁毅鹏 -专利权人： 闽都创新实验室
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： B41M3/14 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种防伪方法、装置、计算机设备及存储介质。该方法包括：采用CMYK颜色模式在标的物上进行彩色油墨印刷，以在所述标的物上形成微观编码图像，其中，所述微观编码图像包括至少一种颜色的码点；将所述微观编码图像作为防伪码用于防伪。本发明实施例提供的防伪方法，通过使用微观编码图像特别是彩色微观编码图像作为防伪码，增加了防伪码的复制难度，达到了更好的防伪效果，同时通过彩色油墨印刷将微观编码图像印刷在标的物上，使得微观编码图像可以包括多种颜色的码点，从而使得防伪码可以携带更多的信息，以适应各种产品数量需求，而且使用彩色的微观编码图像作为防伪码，还可形成色彩斑斓的视觉效果，使得标的物整体更加美观。
一种防伪方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]面向多租户提供SAAS服务的方法、装置、设备及介质-CN202111214896.X在审
发明人：程烨;杜宗飞;程礼邦 -专利权人： 闽都创新实验室
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G06F21/31 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种面向多租户提供SAAS服务的方法、装置、设备及介质。该方法包括：获取用户访问SAAS服务的登录地址；根据所述登录地址确定与所述登录地址绑定的租户标识；向所述用户提供登录界面，并接收所述用户输入的用户认证信息；根据所述租户标识确定对应的租户资源；根据所述租户资源以及所述用户认证信息对所述用户进行认证，并在认证通过后允许所述用户访问所述租户资源。通过将访问SAAS服务的登录地址与租户标识绑定的方式来确定SAAS服务中的租户身份，可以减少用户登录时所需输入的信息，即用户只需要记录登录地址和自身的账号信息即可，不再需要记住租户标识，从而为用户带来了极大的便利。
面向租户提供 saas 服务方法装置设备介质

[发明专利]防伪溯源的结果展示方法、装置、计算机设备及存储介质-CN202111214925.2在审
发明人：程烨;杜宗飞;姚智振 -专利权人： 闽都创新实验室
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G06Q30/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种防伪溯源的结果展示方法、装置、计算机设备及存储介质。该方法包括：接收用户的防伪查询请求，所述防伪查询请求中携带待验证溯源码；获取与所述待验证溯源码相关联的目标商品信息；根据预设匹配规则确定与所述目标商品信息匹配的目标溯源模板；根据所述目标溯源模板对溯源结果页面进行渲染，并将所述溯源结果页面展示给用户。本发明实施例所提供的防伪溯源的结果展示方法，通过将溯源码与商品信息相关联，并在接收到防伪查询请求时，直接根据其中携带的待验证溯源码确定目标商品信息，进而确定匹配的目标溯源模板，实现了针对不同的溯源码可以展示不同的溯源结果页面，满足了用户的多样化要求。
防伪溯源结果展示方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]一种共价有机-无机杂化超晶格材料作为化学电阻型气敏材料的应用-CN202110707377.0在审
发明人：付志华;文映壹;徐刚 -专利权人： 闽都创新实验室;中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种共价有机‑无机杂化超晶格材料作为化学电阻型气敏材料的应用。所述共价有机‑无机杂化超晶格材料包括有机亚晶格层和无机亚晶格层；所述有机亚晶格层为由二取代芳基形成的网络结构；所述无机亚晶格层为由M、X形成的网络结构，所述M和所述X的摩尔比为1:2，其中，M选自IVB族、VB族、VIB族、VIII族、IB族、IIB族、IIIA族、IVA族金属元素中的任一种，X选自S元素、Se元素、Te元素中的任一种；所述有机亚晶格层和所述无机亚晶格层交替堆叠；所述有机亚晶格层和所述无机亚晶格层之间通过C‑X共价键连接。所述应用具有更高的热和化学稳定性，以及高的选择性、敏感性。
一种共价有机无机杂化超晶格材料作为化学电阻型气敏应用

[发明专利]大相对孔径远心扫描场镜系统-CN202211241958.0在审
发明人：林文雄;吴鸿春;刘华刚;黄海洲;翁文;郑晖 -专利权人： 闽都创新实验室
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： B23K26/046 文献下载
摘要：本申请公开了一种大相对孔径远心扫描场镜系统，包括：从入瞳位置起，沿光轴方向依次设置的负透镜、第一正弯月透镜、第二正弯月透镜、正透镜、第三正弯月透镜、第四正弯月透镜和负弯月透镜。本申请可以避免现有二维扫描振镜系统由于两个反射镜安装位置差异造成的远心度不足问题，能够实现大扫描角度大聚焦角度的远心聚焦及远心扫描加工。本申请应用较广，包括但不限于激光贝塞尔光束对硬质透明材料的切割和加工，以及光镊的移动操作。
相对孔径扫描系统

[发明专利]一种高稳定性银纳米线图形化导电薄膜的制备方法-CN202110519898.3有效
发明人：周雄图;陈桂雄;郭太良;张永爱;吴朝兴;林志贤;叶芸 -专利权人：福州大学;闽都创新实验室
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高稳定性银纳米线图形化导电薄膜的制备方法。所述方法：先在银纳米线导电膜上实现光刻胶的图形化，接着利用半导体氧化物薄膜对未被光刻胶覆盖的银纳米线网络进行加固，最后通过超声使图形化光刻胶粘附底部银纳米线一起剥离出基板，从而实现银纳米线导电膜的图形化。本发明制作工艺简单、成本低，容易实现高分辨率的图形化银纳米线导电膜，同时能增强银纳米线的抗氧化能力和在基板上的附着性。
一种稳定性纳米线图导电薄膜制备方法

[发明专利]一种可寻址纳米LED发光显示阵列结构及其制备方法-CN202110596386.7有效
发明人：周雄图;陈晶晶;郭太良;张永爱;吴朝兴;林志贤;叶芸 -专利权人：福州大学;闽都创新实验室
申请日： 2021-05-30 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种可寻址纳米LED发光显示阵列结构及其制备方法，该结构包括纳米LED发光像元阵列以及像元与像元独立部分之间的隔离区域，所述纳米LED发光像元包括纳米LED发光像元阵列共用的衬底、n型半导体层和公共n接触电极，以及各个纳米LED发光像元独立的多量子阱、p型半导体层和p接触电极，所述多量子阱、p型半导体层和p接触电极自下而上依次层叠在n型半导体层上，所述公共n接触电极从n型半导体层引出，所述像元与像元独立部分之间的隔离区域包括为使其不能发光而被破坏的多量子阱结构，以及具有高电阻率的p型半导体层。该结构及其制备方法简化了制备工艺流程，可以减少刻蚀工艺中可能会产生的边缘效应和尺寸效应。
一种寻址纳米 led 发光显示阵列结构及其制备方法

[发明专利]基于阴离子交换合成全光谱钙钛矿量子点的方法-CN202111084146.5有效
发明人：陈恩果;王晨辉;蔡俊虎;徐胜;叶芸;张永爱;郭太良 -专利权人：福州大学;闽都创新实验室
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于阴离子交换合成全光谱钙钛矿量子点的方法，包括以下步骤：步骤S1:获取CsPbBr3钙钛矿量子点母液；步骤S2:将阴离子交换树脂分别与Cl离子和I离子的无机盐溶液混合，获取Cl型和I型阴离子交换树脂；步骤S3:将CsPbBr3钙钛矿量子点母液与Cl型和I型阴离子交换树脂分别按照预设比例混合，并进行进行纯化处理，分别得到实现绿色光谱至近紫色光谱转变的CsPbBrxCl3‑x和实现绿色光谱至红色光谱转变的CsPbBrxI3‑x。本发明采用阴离子交换树脂作为钙钛矿量子点阴离子交换的媒介，在不引入非发光杂质的前提下在全光谱范围内（400nm‑700nm）对荧光发射光谱实现纳米级精确调控。
基于阴离子交换成全光谱钙钛矿量子方法

[发明专利]一种红光闪烁陶瓷及其制备方法和应用-CN202211268415.8在审
发明人：黄鑫;冯桂青;王帅华;吴少凡;郑熠 -专利权人： 闽都创新实验室;中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本申请公开了一种红光闪烁陶瓷及其制备方法和应用，所述红光闪烁陶瓷的化学式为[Lu0.5Gd0.5‑xEux]2O3，制备方法包括：S1、将含有Lu2O3、Gd2O3、Eu2O3、烧结助剂的粉体压制成型后获得素坯；S2、将步骤S2获得的素坯预烧结、真空烧结、退火，获得所述红光闪烁陶瓷。该系列红光闪烁陶瓷具有高密度、稳态发光特性、优异的光输出、良好的辐照稳定性。并且由于闪烁透明陶瓷的结构稳定，可以实现在X射线照射下的长期稳定工作。
一种红光闪烁陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种Ce过量掺杂的磁光透明陶瓷及其制备方法和应用-CN202211268481.5在审
发明人：吴少凡;吴以恒;黄鑫;郑熠;王帅华 -专利权人： 闽都创新实验室;中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本申请公开了一种Ce过量掺杂的磁光透明陶瓷及其制备方法和应用，所述磁光透明陶瓷的化学通式为xwt％Ce:Tb3Sc2Al3O12，所述制备方法包括:S1，将含有Tb4O7、Sc2O3、Al2O3、CeO2、烧结助剂的粉体压制成型、冷等静压后获得素坯；S2，将步骤S1获得的素坯预烧结、真空烧结、退火，获得所述磁光透明陶瓷。该系列磁光透明陶瓷具有高费尔德常数、高致密度特性，光学质量优异、内部晶粒均匀，作为核心材料装载在磁光隔离器中，对磁光隔离器小型化具有重要意义。
一种 ce 过量掺杂透明陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种材料电磁参数测量装置及测量方法-CN202211141899.X在审
发明人：杨辉;许志阳;吴刚;崔亚琪;苏丽评 -专利权人： 闽都创新实验室
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本申请公开了一种材料电磁参数测量装置及测量方法，所述测量装置包括：测试夹具，所述测试夹具包括转接器单元、外导体I、内导体I和待测样品夹具，其中，所述转接器单元具有与矢量网络分析仪连接的反射测试端口和传输测试端口；所述外导体I由两个完全相同的半圆形柱体组成的空心圆柱体；矢量网络分析仪，用于测量测试夹具的反射测试端口和传输测试端口的端接面的散射参数；数据计算装置，用于对反射测试端口和传输测试端口的端接面的散射参数进行相位及幅值补偿，获得待测样品复磁导率和/或复介电常数。本申请的装置不仅适用于刚性固体材料测量，也适用于凝胶态、液态、粉末及刚性小易形变的固体材料测量。
一种材料电磁参数测量装置测量方法

[发明专利]一种含硅混阴离子非线性光学晶体及其制备方法和应用-CN202211248737.6在审
发明人：林华;朱起龙;石永芳 -专利权人： 闽都创新实验室
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C30B1/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种含硅混阴离子非线性光学晶体，化学式为：Ba5Ga2SiO4S6，具有优良的二阶非线性光学性质，即在红外波段能够实现相位匹配，具有宽的光学带隙(如Eg＝4.03eV)，其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的0.65倍，且其激光损伤阈值是AgGaS2晶体的17.5倍，很好地实现了大的二阶倍频系数和宽的光学带隙的平衡，且制备方法简洁，在激光频率转换、近红外探针、光折变信息处理等高科技领域有着重要的应用价值，尤其是用于红外探测器和红外激光器。
一种含硅混阴离子非线性光学晶体及其制备方法应用

[发明专利]一种蓝光发光晶体材料及其制备方法和应用-CN202011505586.9有效
发明人：李宝义;郑发鲲;卢健;王文飞;高娟;郭国聪 -专利权人： 闽都创新实验室;中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C07F3/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种蓝光发光晶体材料及其制备方法和应用。所述蓝光发光晶体材料的化学式为[Zn(Nyaia)·(DMA)]n；Nyaia代表5‑[(萘‑1‑亚甲基)氨基]‑间苯二甲酸失去2个氢后形成的Nyaia2+；DMA为N,N‑二甲基乙酰胺。该蓝光发光晶体材料，在320nm的激发光照射下能够表现出蓝光发射现象，在制备蓝光LED灯的应用中具有很高的应用价值。
一种发光晶体材料及其制备方法应用

[发明专利]高速可变脉宽幅值信号合成电路-CN202210850737.7在审
发明人：游伟琳;任策;贺坤;张晓鹏;王永榕 -专利权人： 闽都创新实验室;福州市纳飞光电科技有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H03K5/01 文献下载
摘要：本发明提出一种高速可变脉宽幅值信号合成电路，其x+1路DAC数模转换电路分别经x+1路恒流电路连接至x+1路差分开关电路，再经负载电阻进行合成信号输出；FPGA/CPLD电路产生x路差分信号至x路PECL电路，每一所述PECL电路产生2路差分信号脉冲接入对应的一路差分开关电路；最后一路所述差分开关电路接入非差分的I/O直流信号控制整体信号的下限值，用于产生一个脉冲激光的初始电流；所述DAC数模转换电路由MCU通过SPI信号设置产生多路用于电流设置的电压信号。以实现MOPA脉冲激光器中脉冲信号光种子源的超低上升沿和下降沿信号的脉宽可调、多脉冲、幅值可调功能。
高速可变宽幅信号合成电路

[发明专利]基于响应面法的双相不锈钢3D打印件性能的预测方法-CN202210844212.2在审
发明人：向红亮;陈光磊;赵伟;郑开魁 -专利权人： 闽都创新实验室;福州大学
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： B22F10/28 文献下载
摘要：本发明提出一种基于响应面法的双相不锈钢3D打印件性能的预测方法，首先采用不同水平的选区激光熔化工艺参数制备双相不锈钢试样；进而测量双相不锈钢试样的相关性能参数；最后，根据工艺参数和性能参数，建立选区激光熔化技术制备双相不锈钢性能预测模型。本发明提供的方法，综合考虑了不同工艺参数之间的耦合作用，合理构建性能预测模型，能够通过工艺参数有效预测试样致密度和力学性能，进而确定合理的工艺参数范围，能有效简化对SLM打印工艺参数的探索流程，为制备高性能双相不锈钢提供理论参考。
基于响应不锈钢印件性能预测方法