专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果9个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [实用新型]一种高导热玻璃纤维基板LED集成封装光源-CN201720670680.7有效
  • 王海峰;闫占彪 - 朝阳晶石半导体科技有限公司深圳分公司
  • 2017-06-11 - 2018-05-01 - H01L25/13
  • 本实用新型公开了一种高导热玻璃纤维基板LED集成封装光源,包括封装光源主体、光学凹透镜片、光学V型反射镜片、LED灯芯片、光学透镜、基板、电极、吸热管、散热小型风扇、总集成电源、胶圈底座、工型导热条、三角形散热片、横向导热条,所述封装光源主体内置有若干LED集成光源,与现有技术相比,本实用新型的有益效果是该新型一种高导热玻璃纤维基板LED集成封装光源,设计合理,结构简单,通过吸热管和导热架实现对封装内部热量的吸收传导,且又通过散热小型风扇和散热片热量有效处理,独有的光学V型反射镜片与光学凹透镜极大提高了光源散发的亮度,节约了能量,故其广泛应用在封装光源各场合。
  • 一种导热玻璃纤维led集成封装光源
  • [实用新型]一种LED灯的散热配件-CN201721047350.9有效
  • 王海峰;闫占彪 - 朝阳晶石半导体科技有限公司深圳分公司
  • 2017-08-21 - 2018-05-01 - F21V29/77
  • 本实用新型公开了一种LED灯的散热配件,包括灯体和散热件,散热件安装在灯体的外侧,灯体通过第一滑槽活动连接散热件,散热件包括安装套、散热片和槽条,安装套通过槽条活动连接灯体,安装套的两端分别设有卡扣和卡扣槽,安装套通过第二滑槽活动连接散热片的一端,散热片包括连接座、主散热壁和辅散热壁;本LED灯的散热配件,散热件给灯体散热,散热件可以在灯体的外侧自由拆装,安装套的两端分别设有卡扣和卡扣槽,安装套不仅可以通过卡扣连接灯体,还可以通过卡扣与卡扣槽配合,完成个安装套间的自由组装,散热件调节方便,能满足不同使用环境,适应性好。
  • 一种led散热配件
  • [实用新型]半导体发光器件-CN201220129152.8有效
  • 林朝晖;王树林;闫占彪;陈元金;徐国俊 - 泉州市博泰半导体科技有限公司
  • 2012-03-31 - 2012-11-28 - H01L33/64
  • 本实用新型公开了一种半导体发光器件,包括基板,和位于所述基板表面的蓝宝石衬底;以及在所述蓝宝石衬底表面形成的LED芯片;在所述LED芯片表面的p电极形成区域覆盖有高导电导热材料层,且所述高导电导热材料层延伸至LED芯片和蓝宝石衬底的侧面以及所述基板的表面,为LED芯片提供将热量导向基板的导热通道。本实用新型的半导体发光器件LED能够使芯片在工作过程中产生的热量更快的散发出去,从而提高了芯片的性能和使用寿命。
  • 半导体发光器件
  • [实用新型]半导体发光器件-CN201220129138.8有效
  • 林朝晖;王树林;闫占彪;陈元金;徐国俊 - 泉州市博泰半导体科技有限公司
  • 2012-03-31 - 2012-11-28 - H01L33/02
  • 本实用新型公开了一种半导体发光器件,包括经图形化工艺形成的、至少包括彼此绝缘的第一区域和第二区域的导电导热基板;和位于所述第一区域表面的导电导热衬底;以及位于所述导电导热衬底表面的垂直结构LED芯片;在所述LED芯片表面的至少部分区域覆盖有高导电导热材料层,且所述高导电导热材料层延伸至所述LED芯片和导电导热衬底的侧面以及所述第二区域的表面,为LED芯片提供将热量导向基板的导热和/或导电通道。本实用新型的半导体发光器件LED能够使芯片在工作过程中产生的热量更快的散发出去,从而提高芯片的性能和寿命。
  • 半导体发光器件
  • [发明专利]GaN基薄膜芯片的制备方法-CN201110132402.3有效
  • 闫占彪;赵汉民;朱浩;周印华;熊传兵;陈栋 - 晶能光电(江西)有限公司;易美芯光(北京)科技有限公司
  • 2011-05-19 - 2012-11-21 - H01L33/00
  • 本发明提供一种GaN基薄膜芯片的制备方法,涉及半导体发光器件的制备工艺,用于解决在剥离蓝宝石衬底时发生的外延薄膜破裂的问题。该制备方法包括以下步骤:在蓝宝石衬底上依次生长n型GaN层、活性层、p型GaN层,形成半导体多层结构;对蓝宝石衬底进行减薄和抛光处理;在半导体多层结构和导电反射复合金属层上涂第一胶,与第一临时基板进行固化;将蓝宝石衬底进行激光剥离,在剥离面涂第二胶,并固化到第二临时基板;将第一临时基板和第一胶去掉;采用共晶键合方式将所述半导体多层结构与永久支撑基板结合;去掉第二临时基板和第二胶。本发明可以降低对氮化镓膜的损伤,可以大大提高通过这种工艺得到的GaN基薄膜芯片的良率。
  • gan薄膜芯片制备方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top