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[发明专利]一种氧退火钝化铜锌锡硫硒缺陷的方法及其应用-CN202310382233.1有效
发明人：辛颢;李苒;相春旭;郑媛元;相思彤;闫伟博 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧退火钝化铜锌锡硫硒缺陷的方法及其应用，其包括如下步骤：制备前驱体溶液、旋涂成膜、硒化处理、氧退火处理。本发明能够通过氧退火处理促进获得大晶粒、少晶界和无孔隙的铜锌锡硫硒薄膜，实现后续成品光电转化效率的提升。
一种退火钝化铜锌锡硫硒缺陷方法及其应用

[发明专利]一种Zn(O,S)薄膜的制备方法及其应用-CN202210578268.8有效
发明人：辛颢;韩帅琪;刘乃云;闫伟博 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本申请提供了一种Zn(O,S)薄膜的制备方法及其应用，制备方法包括以下步骤：将基底浸入含有硫源、锌源和络合剂的混合溶液中进行化学浴沉积，制备Zn(O,S)前驱体膜，将该前驱体膜进行两步退火，即先缓慢升温退火，然后经过恒定高温退火，得到均匀、致密、平整的Zn(O,S)薄膜；最后将Zn(O,S)薄膜作为缓冲层应用于铜铟镓硒薄膜太阳能电池。本申请优化了Zn(O,S)薄膜的制备方法，抑制了一步热退火对Zn(O,S)薄膜的损伤，提高了Zn(O,S)薄膜的均匀性、致密性、平整度，为实现溶液法、大面积、廉价制备无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池器件的工业化应用提供了技术支撑。
一种 zn 薄膜制备方法及其应用

[外观设计]电气开关-CN202330196704.0有效
发明人： 闫伟博 -专利权人： 闫伟博
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：电气开关。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于设备的电气开关。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
电气开关

[发明专利]一种制备铜铟硒薄膜的刮涂方法及其应用-CN202210391756.8有效
发明人：辛颢;马乘风;闫伟博;刘新格 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： B05D7/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备铜铟硒薄膜的刮涂方法及其应用。制备铜铟硒薄膜的刮涂方法包括以下步骤：将含有Cu、In、S元素的前驱体溶液刮涂到钼玻璃上，形成一层前驱体湿膜，将前驱体湿膜在低温下退火以除去薄膜中多余的溶剂来干燥薄膜，再将薄膜经过高温的热退火处理，得到表面平整、均一性良好的CuInS2前躯体薄膜，最后，将CuInS2前躯体薄膜高温硒化形成铜铟硒薄膜。本发明简化了铜铟硒薄膜的制备过程，避免了制造过程的溶液损失，极大的提高了材料的利用率，减少了制备成本，为实现溶液法制备大面积铜铟硒薄膜太阳能电池器件的工业化应用提供了技术支撑。
一种制备铜铟硒薄膜方法及其应用

[发明专利]基于苝酰亚胺n型半导体材料及其制备方法与应用-CN202310242785.2在审
发明人： 闫伟博;张康杰;何朝霞;辛颢 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C07D495/22 文献下载
摘要：本申请公开了基于苝酰亚胺n型半导体材料及其制备方法与应用，具体为在苝酰亚胺环湾部位引入噻吩基团的n型半导体材料及其制备方法，以及其作为钙钛矿与电子传输层之间界面的修饰层材料在钙钛矿太阳能电池中的应用，有效提高了电池的光电转换效率与空气中稳定性。本申请公开的一种苝酰亚胺n型半导体材料具有可溶液加工、电子迁移率高、热稳定性优异、能级适当、疏水性强、含有硫元素等优点，是理想的钙钛矿表面缺陷钝化材料和防止环境中的水分子对钙钛矿侵蚀的保护材料。
基于亚胺半导体材料及其制备方法应用

[发明专利]基于苝酰亚胺n型半导体材料及其制备方法与应用-CN202210517394.2在审
发明人： 闫伟博;杨文生;何朝霞;辛颢 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C07D471/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于苝酰亚胺n型半导体材料及其制备方法与应用，具体为在苝酰亚胺烷基链和环湾部位引入二甲氨基基团的n型半导体材料及其制备方法，以及其作为阴极界面修饰层材料在钙钛矿太阳能电池中的应用。本申请公开的一种苝酰亚胺n型半导体材料具有可溶液加工、电子迁移率高、热稳定性优异、能级适当、富含氮原子等优点，是理想的钙钛矿太阳能电池电子传输层材料和钙钛矿表面缺陷钝化材料。
基于亚胺半导体材料及其制备方法应用

[发明专利]一种用于叠层电池透明电极的高透过率缓冲层结构的制备方法-CN201910796855.2有效
发明人：辛颢;王子龙;闫伟博;鲁迪;龚元才 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于叠层电池透明电极的高透过率缓冲层结构的制备方法，在透明电池的有机界面层上直接沉积Ag2MoO4作为缓冲层，沉积Ag2MoO4的方法包括：旋涂Ag2MoO4分散液、蒸镀Ag2MoO4粉末、原位化学反应生成；该缓冲层材料来源广，种类多，沉积方法多且简便，透过率高，并且能够有效地起到保护透明有机界面层的作用，是理想的透明电池的缓冲层材料。
一种用于电池透明电极透过缓冲结构制备方法

[发明专利]基于二甲胺基取代萘酰亚胺-联噻吩的有机n型半导体材料及其制备方法与应用-CN202210418148.1在审
发明人： 闫伟博;范浩;虞惠;辛颢 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C07D519/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于二甲胺基取代萘酰亚胺‑联噻吩的有机n型半导体材料及其制备方法与应用，具体为基于二甲胺基取代萘酰亚胺为拉电子单元，联二噻吩为给电子单元的n‑型有机共轭半导体材料及其制备方法，以及其作为阴极界面修饰层材料在钙钛矿太阳能电池中的应用。本申请公开的一种基于二甲胺基取代萘酰亚胺‑联噻吩的有机n型半导体材料具有可溶液加工、电子迁移率高、热稳定性优异、能级适当等优点，是理想的钙钛矿太阳能电池电子传输层材料。
基于二甲胺基取代亚胺噻吩有机半导体材料及其制备方法应用

[发明专利]前驱体溶液及其制备银铜锌锡硫薄膜太阳能电池的方法-CN202011281856.2有效
发明人：辛颢;邱瑞婵;龚元才;牛传友;闫伟博 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种前驱体溶液及其制备银铜锌锡硫薄膜太阳能电池的方法，合成了银、铜和锌的硫脲配合物或硫脲衍生物配合物，合成了锡与二甲基亚砜或N,N‑二甲基甲酰胺的配合物；以金属配合物为原料，溶解于溶剂二甲基亚砜(DMSO)或N,N‑二甲基甲酰胺(DMF)中，配制出银铜锌锡硫前驱体溶液。该前驱体溶液制备的银铜锌锡硫太阳能电池的吸收层材料具有结晶优良的大晶粒、薄膜形貌好、无二次相的特点。金属配合物的使用避免了溶液中氧化还原反应与元素丢失的发生，简化了前驱体溶液的制备过程，有利于工业化生产。通过银配合物进行银掺杂，精准控制了银的含量，且制备的银铜锌锡硫薄膜太阳能电池具有高的开路电压、填充因子和光电转换效率。
前驱溶液及其制备银铜锌锡硫薄膜太阳能电池方法

[发明专利]一种基于萘酰亚胺与噻吩的n-型有机半导体材料及其制备方法和应用-CN202111293842.7在审
发明人：虞惠;闫伟博;辛颢;范浩 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： C07D471/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于萘酰亚胺与噻吩的n‑型有机半导体材料及其制备方法和应用，该n‑型有机半导体材料的化学结构式如式Ⅰ所示。本发明利用具有平面刚性萘酰亚胺为强吸电子单元，利用强导电性的噻吩衍生物为给电子单元，构成了有机小分子n‑型半导体材料(NDIN‑2S)，并用核磁、质谱表征了这些聚合物及其中间体的结构，用紫外可见光分光光度计表征了其光物理性质，通过热重分析了其热稳定性。结果表明这类材料具有高的电子迁移率，良好的吸光性，优异的热稳定性，合适的能级，是理想的钙钛矿太阳能电池阴极修饰层材料。
一种基于亚胺噻吩有机半导体材料及其制备方法应用

[发明专利]基于萘酰亚胺-硒吩衍生物的有机n型半导体聚合物材料及其制备方法与应用-CN201910341859.1有效
发明人： 闫伟博;唐成诚;辛颢;郭世赣 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于萘酰亚胺‑硒吩衍生物的有机n型半导体聚合物材料及其制备方法与应用，该有机n型半导体聚合物材料基于长链萘酰亚胺或其衍生物为吸电子单元，烷氧基取代硒吩或硒吩衍生物为给电子单元，其中，烷氧基取代硒吩或硒吩衍生物的3‑位或4‑位，或者取代硒吩或硒吩衍生物的3‑位和4‑位。本发明公开的基于萘酰亚胺与硒吩衍生物的n‑型共轭聚合物半导体具有可溶液加工、电子迁移率高、能级适当、优异的成膜性等优点，是理想的非富勒烯受体材料。
基于亚胺衍生物有机半导体聚合物材料及其制备方法应用

[发明专利]基于萘酰亚胺-硒吩的有机n型半导体聚合物材料及其制备方法与应用-CN201810611490.7有效
发明人： 闫伟博;王子龙;辛颢;郭世赣 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于萘酰亚胺‑硒吩的有机n型半导体聚合物材料及其制备方法与应用，基于长链萘酰亚胺为拉电子单元，硒吩及其衍生物联二硒吩、联三硒吩为给电子单元的n‑型有机共轭聚合物半导体材料及其制备方法，以及该类聚合物作为阴极界面修饰层材料在钙钛矿太阳能电池中的应用。本发明公开的基于萘酰亚胺与硒吩衍生物的n‑型共轭聚合物半导体具有可溶液加工、电子迁移率高、热稳定性优异、能级适当等优点，是理想的钙钛矿太阳能电池阴极界面修饰材料。
基于亚胺有机半导体聚合物材料及其制备方法应用

[发明专利]一种制备高效铜铟硒和铜铟镓硒薄膜太阳能电池的方法-CN201810569850.1有效
发明人：辛颢;江晶晶;吴三平;闫伟博;余绍棠 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备高效铜铟硒和铜铟镓硒薄膜太阳能电池的方法，预先合成铜与铟或镓的硫脲配合物，以此为原料配置前驱体溶液，用该前驱体溶液来制备CIS及CIGS薄膜太阳能电池的吸光层；通过寻找合适的铜、铟和镓的化合物作为前驱体制备前驱体溶液，以期制备大面积均匀稳定的CIS、CIGS太阳能电池吸光材料。本发明方法对原料的纯度要求较低，铜硫脲配合物用铜粉就能合成，铟和镓的配合物可以用较低纯度的InCl3·4H2O和GaCl3合成，然后通过重结晶就能提纯得到高纯度的配合物，通过该方法可以节约原料成本。
一种制备高效铜铟硒铜铟镓硒薄膜太阳能电池方法

[发明专利]溶液法制备高效铜铟硒和铜铟镓硒薄膜太阳能电池-CN201910042288.1有效
发明人：吴三平;辛颢;江晶晶;闫伟博;余绍棠 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种溶液法制备高效铜铟硒和铜铟镓硒薄膜太阳能电池，以水和醇类溶剂为配制前驱体溶液的溶剂，合成铜、铟和镓的硫脲配合物或硫脲衍生物配合物，以这些合成的配合物为原料或者合成的铜配合物和金属氯化物的组合为原料，将其溶解在水或醇类溶剂中配制前驱体溶液，用该前驱体溶液来制备CIS及CIGS薄膜太阳能电池的吸光层。该方法所用溶剂绿色环保、廉价且易于获得，能大幅降低生产成本；可以防止金属离子水解和在退火过程中金属氧化物的形成，同时可防止CIS和CIGS中二价铜缺陷的形成；铜铟硫和铜铟镓硫前驱体薄膜在外界大气环境下制备，不需要惰性气氛保护。
溶液法制高效铜铟硒铜铟镓硒薄膜太阳能电池

[发明专利]装配式耗能框架剪力墙-CN201610356304.0有效
发明人：张延年;闫伟博 -专利权人：沈阳建筑大学
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： E04B2/58 文献下载
摘要：装配式耗能框架剪力墙，它由梁槽钢、柱槽钢、钢板墙、节点销轴、节点螺栓、框架螺栓、内垫板、加劲螺栓、槽钢加劲肋组成；框架梁由两块梁槽钢组成，框架柱由两块柱槽钢、两块内垫板组成，在梁柱连接的位置，将梁槽钢的翼缘割除，插入框架柱内与内垫板对应的位置。梁柱腹板分别从两侧将钢板墙加在中间，并通过位于框架上的框架螺栓和位于梁柱节点位置的节点销轴、节点螺栓将钢板墙固定，钢板墙上通过加劲螺栓固定槽钢加劲肋。本发明具有较大的水平刚度和竖向刚度，改善了钢板剪力墙的抗震性能，实现了钢板剪力墙和耗能器合二为一，且便于批量生产，可广泛用于装配式结构的抗震耗能。
装配式耗能框架剪力

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