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- [发明专利]荧光体薄膜、其制造方法及EL板-CN03102240.5有效
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矢野义彦;大池智之;高桥圣树;长野克人
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TDK株式会社
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2003-01-28
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2003-08-20
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H05B33/14
- 通过降低使用硫代铝酸盐系和硫代镓酸盐系荧光体材料成为问题的高工艺温度，实现高质量低价格的荧光体薄膜。而且使用本荧光体薄膜，实现全彩色EL用EL显示板。一种荧光体薄膜，含有母体材料和发光中心，母体材料由下述组成式表示：组成式：MIIvAxByOzSw(在上述组成式中，MII是选自Zn、Cd和Hg中的至少1种元素，A是选自Mg、Ca、Sr、Ba和稀土类元素中的至少1种元素，B是选自Al、Ga和In中的至少1种元素，v、x、y、z和w表示原子比，v＝0.005～5，x＝1～5，y＝1～15，z＝0～30(0除外)，w＝0～30(0除外)。
- 荧光薄膜制造方法el
- [发明专利]电致发光元件及其制造方法-CN01125950.7有效
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白川幸彦;三轮将史;长野克人
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TDK株式会社
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2001-07-06
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2002-07-17
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H05B33/22
- 本发明的目的在于,解决以往的电致发光元件存在的问题,即在介电体层中产生缺陷,尤其是解决使用铅系介电体材料形成介电体层的电致发光元件的发光亮度降低或亮度不匀、发光亮度随时间发生变化的问题能够在不提高成本的情况下提供得到高显示质量的电致发光元件及其制作方洗,为了达到此目的,本发明的电致发光元件至少具有有电绝缘性的基板11和在该基板11上层叠电极层12、介电体层13、14、15和发光层17及透明电极层19的结构,上述介电体层13、14、15是至少在其组成中含有铅的第1厚膜陶瓷高介电常数介电体层13、至少在其组成中含有铅的第2厚膜高介电常数介电体层14、和至少在其组成中不含铅的第3高介电常数介电体层15的叠层体。
- 电致发光元件及其制造方法
- [发明专利]EL器件-CN00800539.7有效
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长野克人;野村武史;武石卓;高山胜
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TDK株式会社
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2000-04-06
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2001-06-20
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H05B33/22
- 本发明提供一种EL器件,该器件具有在电绝缘衬底11上顺序叠置的按照预定图形形成的第一电极12、第一绝缘层13、电致发光的发光层14、第二绝缘层15和第二电极层16。第一绝缘层13和第二绝缘层15中的至少一个包含作为主要成分的钛酸钡和作为次要成分的氧化镁、氧化锰、氧化钇,选自氧化钡和氧化钙的至少一个氧化物以及氧化硅。按分别基于MgO、MnO、Y2O3、BaO、CaO、SiO2和BaTiO3的计算,氧化镁、氧化锰、氧化钇、氧化钡、氧化钙和氧化硅相对于100摩尔的钛酸钡的比例如下MgO0.1—3摩尔,MnO0.05—1.0摩尔,Y2O31摩尔或以下,BaO+CaO2—12摩尔,和SiO22—12摩尔。
- el器件
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