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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于用户设备和基站的集成电路-CN202211215108.3在审
发明人： A.巴姆里;铃木俊秀;王立磊 -专利权人：松下电器（美国）知识产权公司
申请日： 2017-08-11 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H04L5/00 文献下载
摘要：本公开涉及用于控制向/从基站发送和/或接收数据的用户设备的集成电路。该集成电路包括控制电路，接收定义用于向端口分派用于承载参考信号的相应资源的规则的参数，基于用户设备和基站已知的映射，生成层到端口的映射组合的集合，以及从基站接收指示层到端口的映射组合的集合中的将被应用于数据发送和/或接收的一个层到端口的映射组合的控制信息，其中，在该层到端口的映射组合的集合中，用于多层的双符号层到端口的映射组合包括具有连续端口编号的映射组合，该连续端口编号中至少一个端口编号在相同的多层的、连续索引的后一映射组合中被复制。
用于用户设备基站集成电路

[发明专利]新无线电(NR)解调参考信号(DMRS)端口映射及相关信令-CN201780093657.9有效
发明人： A.巴姆里;铃木俊秀;王立磊 -专利权人：松下电器（美国）知识产权公司
申请日： 2017-08-11 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H04L1/00 文献下载
摘要：本公开涉及用户设备、基站、用户设备的数据发送/接收方法以及基站的数据接收/发送方法。用户设备包括电路，该电路接收定义用于向端口分派用于承载参考信号的相应资源的规则的参数，基于用户设备和基站已知的映射生成层到端口的映射组合的集合，以及从基站接收指示层到端口的映射组合的集合中的将被应用于数据发送和/或接收的一个层到端口的映射组合的控制信息。
无线电 nr 解调参考信号 dmrs 端口映射相关

[发明专利]半导体装置-CN201410066514.7有效
发明人： 铃木俊秀;佐藤优 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2014-02-26 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体装置。根据本公开的半导体装置包括形成在衬底上的第一电极，第一电极是第一电位；以及形成在第一电极上的第二电极，第二电极包括传送信号的信号配线和具有规定面积的平面电极部分。第一电极的与平面电极部分相对应的形状被制成狭缝形状，使得狭缝的纵向方向平行于信号在平面电极部分中前进的方向。
半导体装置

[发明专利]载重轮胎-CN201280058093.2有效
发明人： 铃木俊秀 -专利权人：住友橡胶工业株式会社
申请日： 2012-11-26 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： B60C9/20 文献下载
摘要：提供一种载重轮胎，该载重轮胎构造成使得防止在胎肩主沟槽的在轮胎的径向方向上的内侧发生带束帘布层的分离。载重轮胎包括胎体(6)、带束层(7)、胎肩主沟槽(9)和带束缓冲橡胶(10)。带束层(7)包括第一至第四带束帘布层(7A-7D)。第一至第三带束帘布层(7A-7C)的外端(7Ae-7Ce)定位成比胎肩主沟槽(9)更接近轮胎的轴向外侧。第四带束帘布层(7D)的外端(7De)定位成比胎肩主沟槽(9)更接近轮胎的轴向内侧。带束缓冲橡胶(10)的内端(10e)定位成比胎肩主沟槽的内边缘线(L3)更接近轮胎的轴向内侧。带束缓冲橡胶(10)的内部区域(10A)的横截面面积(S)在从2.5mm²到20mm²的范围内。
载重轮胎

[发明专利]载重轮胎-CN201110360177.9有效
发明人： 铃木俊秀 -专利权人：住友橡胶工业株式会社
申请日： 2011-11-14 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： B60C9/18 文献下载
摘要：本发明的载重轮胎，带束层包括从胎体侧依次重叠的第一～第三带束层帘布，在带束层的外端部与胎体之间配置带束层缓冲胶。将从第三带束层帘布的帘线端到沟底假想线的径向距离设为La，将从第二带束层帘布的帘线端到沟底假想线的径向距离设为Lc，将带束层缓冲胶在通过第三带束层帘布的帘线端的径向线上的橡胶厚度设为Lb，将带束层缓冲胶在通过第二带束层帘布的帘线端的径向线上的橡胶厚度设为Ld，将从第三带束层帘布的外端到第二带束层帘布的带束层帘线的间隔距离设为Le时，满足：0.3≤La/Lb≤0.63；0.57≤Lc/Ld≤0.83；0.75≤La/Le≤1.25；Le≥2.5mm。
载重轮胎

[发明专利]图像形成设备-CN201010272074.2有效
发明人： 铃木俊秀 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2010-09-01 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H04N1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种图像形成设备。第一电源单元向访问存储单元的第一控制单元供电。由第二控制单元控制的图像形成单元配置有用于形成图像的负载。第二电源单元向负载和存储单元供电。开关单元被操作以对图像形成设备通电和断电。第一控制单元在接收到指示断电的状态信号时，使存储单元关机，并向第二控制单元发送用于使负载关机的指示。第二控制单元在即使当已经检测到指示断电的状态信号时、也没有接收到关机指示的情况下，进行用于停止负载、然后停止从第二电源单元的供电的控制。
图像形成设备

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200880124601.6有效
发明人：岛昌司;常信和清;铃木俊秀 -专利权人：富士通半导体股份有限公司
申请日： 2008-01-10 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供半导体器件及其制造方法，该半导体器件具有能够抑制正向电阻的增加并且能够实现耐压性提高的MIS型晶体管。该半导体器件具有：第一低浓度漏极区域，其进入MIS型晶体管的栅电极的下方；高浓度漏极区域，其在第一低浓度漏极区域内，从栅电极分离，且杂质浓度比第一低浓度漏极区域的杂质浓度高；逆导电型区域，其在第一低浓度漏极区域内，形成在上述高浓度漏极区域和上述栅电极之间的表面区域，其具有与漏极区域相反的导电型，且与漏极区域形成pn结。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]放大器电路以及收发机-CN201010151093.X有效
发明人： 铃木俊秀 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2010-03-23 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： H03F3/68 文献下载
摘要：本发明提供一种放大器电路以及收发机，该放大器电路包括：包括有第一栅极、第一源极和第一漏极的场效应晶体管，第一栅极接收两个差动信号中的一个差动信号，并且第一源极被连接到参考电位节点；包括有第二栅极、第二源极和第二漏极的场效应晶体管，第二栅极接收两个差动信号中的另一个差动信号，并且第二源极被连接到参考电位节点；包括相互磁耦合的第一初级电感线圈和第一次级电感线圈的第一变压器，第一初级电感线圈被连接到第一场效应晶体管的第一漏极与第二场效应晶体管的第二漏极之间，并且第一次级电感线圈被连接到输出端与参考电位节点之间；以及第一开关电路，将电源电位节点或参考电位节点连接到第一初级电感线圈的中间点。
放大器电路以及收发

[其他]氯气制备方法-CN101985000009387在审
发明人：清浦忠光;味冈正伸;藤本尚志;铃木俊秀;小暮靖雄;永山时男;金谷一雄 -专利权人：三井东圧化学有限公司
申请日： 1985-11-28 - 公布日： 1989-03-08 - 主分类号：文献下载
摘要：在低温和高时空速度条件下，并在催化剂存在下，用含氧气体氧化氯化氢可以有效地制备氯气，其中催化剂是通过焙烧下面一种化合物，或者最好是在低于８００℃下通过焙烧这种化合物和硅化合物的混合物来制得的，而这里所指的这种化合物又是通过硝酸铬，氯化铬，有机酸的铬盐或类似物与氨反应来制得的。
氯气制备方法

[发明专利]氯气制备方法-CN85109387.6无效
发明人：清浦忠光;味冈正伸;藤本尚志;铃木俊秀;小暮靖雄;永山时男;金谷一雄 -专利权人：三井东圧化学有限公司
申请日： 1985-11-28 - 公布日： 1989-03-08 - 主分类号： C01B7/04 文献下载
摘要：在低温和高时空速度条件下，并在催化剂存在下，用含氧气体氧化氯化氢可以有效地制备氯气，其中催化剂是通过焙烧下面一种化合物，或者最好是在低于800℃下通过焙烧这种化合物和硅化合物的混合物来制得的，而这里所指的这种化合物又是通过硝酸铬、氯化铬，有机酸的铬盐或类似物与氨反应来制得的。
氯气制备方法

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