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- [发明专利]电子源和图像显示装置-CN200910132265.6无效
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铃木伸昌
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佳能株式会社
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2009-04-30
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2009-11-04
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H01J29/04
- 本发明提供电子源和图像显示装置。所述电子源包括：与衬底上的扫描线和调制线的矩阵布线连接的多个电子发射器件，其中，电子发射器件中的每一个包含与扫描线连接的阴电极、与调制线连接的栅电极、和多个电子发射构件，阴电极被配置成用于向多个电子发射构件施加阴极的电势的第一梳齿状结构，栅电极被配置成用于向多个电子发射构件施加栅极的电势的第二梳齿状结构，并且第一和第二梳齿状结构中的每一个具有多个梳齿；和与第一和第二梳齿状结构中的至少一个中的多个齿体电连接的连接电极。
- 电子图像显示装置
- [发明专利]处理装置及方法-CN200410008504.4无效
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铃木伸昌
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佳能株式会社
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2004-03-11
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2005-05-11
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H01L21/00
- 一种处理装置和方法，是对被处理基体实施等离子体处理的处理装置和方法，其特征在于，所述处理装置具有收纳所述被处理基体并产生等离子体的处理室和将气体导入所述处理室内的装置，而且，还具有将所述被处理基体配置在比所述等离子体发生区域更接近所述气体上游位置的机构，配置在比所述被处理基体更接近所述等离子体发生区域的位置的排气机构，及将所述被处理基体上活性种浓度维持在109～1011cm－3范围内的机构。
- 处理装置方法
- [发明专利]表面改质方法-CN200310115486.5有效
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北川英夫;铃木伸昌;内山信三
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佳能株式会社
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2003-11-26
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2004-06-09
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H01L21/30
- 提供一种在短处理时间内生成能够充分减小氧化硅薄膜与硅基板界面的氮浓度且提高氧化硅膜中的氮浓度、减少损伤的高品位的氧氮化硅薄膜的表面改质方法。在利用等离子体对被处理基体的表面进行改质的方法中，其特征在于，该方法具有以下将被处理基体的温度调节至200℃以上、400℃以下的步骤；向等离子体处理室内导入含有氮原子的气体或含有氮原子的气体与惰性气体的混合气的步骤；将上述等离子体处理室内的压力调节至13.3Pa以上的步骤；在上述等离子体处理室内生成等离子体的步骤；以及以10eV以下的能量使上述等离子体中的离子入射到上述被处理基体中的步骤。
- 表面方法
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