“钟福新”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果55个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种水热法制备Cu2-CN201810148516.9有效
发明人：高云鹏;钟福新;黎燕;江瑶瑶;莫德清 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： C23C22/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种水热法制备Cu2O纳米薄膜的方法。（1）取5.00 mL浓度为0.005~0.2 mol/L H2O2溶液与10.00 mL无水乙醇混合均匀放入20 mL反应釜中；（2）将规格1.5 cm×2.5 cm×0.1 cm的Cu片放入步骤（1）反应釜中并在90~180℃下反应1~12小时，即在Cu片上获得光电压值0.0821~0.2574 V的Cu2O纳米薄膜。本发明利用Cu片先氧化后还原合成Cu2O薄膜的水热法是首创的，Cu2O薄膜的光电压达0.2574V，具有优良的光电性能；此方法制备Cu2O薄膜，对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期短，生产过程绿色环保，产品光电性能优良。
一种法制 cu base sub

[发明专利]一种Ag/Cu₂O异质结纳米薄膜的制备方法-CN201810148539.X有效
发明人：伍泳斌;钟福新;高云鹏;黎燕;莫德清 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ag/Cu₂O异质结纳米薄膜的制备方法。将纯Cu片和浓度为0.01~0.10mol/L Cu(NO₃)₂溶液，于80℃~90℃下反应4~6小时，在Cu片上制得光电压值为0.0937V~0.3168V的Cu₂O薄膜；在Cu₂O薄膜中加入浓度为0.05~0.09mol/L的Cu(NO₃)₂溶液和浓度为0.0005~0.0025mol/L的AgNO₃溶液，于烘箱内反应2~8小时；得光电压值为0.3273V~0.3853V的Ag/Cu₂O异质结纳米薄膜。本发明工艺简单，周期较短，对原料以及设备要求不高，制得的异质结纳米薄膜更有利于被太阳光激发而产生光生电子，具有优良的光电性能。
纳米薄膜异质结光电压制备光电性能光生电子设备要求太阳光激发

[发明专利]一种Cd/Cu₂O纳米薄膜的制备方法-CN201811627613.2在审
发明人：赵英杰;钟福新;王晓娟;伍泳斌;莫德清 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种Cd/Cu₂O纳米薄膜的制备方法。(1)向聚四氟乙烯水热反应釜中加入CuSO₄•5H₂O溶液和CdSO₄溶液并搅拌混合均匀，再加入NaOH溶液。(2)将Cu片放入步骤(1)反应釜中并斜靠于反应釜内壁，盖紧盖子后，将反应釜置于50℃~120℃的烘箱中反应5~10小时，即在Cu片上制得光电压值为0.2473~0.4602 V的Cd/Cu₂O纳米薄膜。本发明采用一步水热合成法，工艺简单，周期较短，对原料以及设备要求不高且掺杂过后光电性能有明显提高。
纳米薄膜反应釜制备烘箱一步水热合成反应釜内壁聚四氟乙烯水热反应釜光电性能设备要求光电压盖子放入斜靠掺杂

[发明专利]一种Cl/Cu₂O纳米薄膜的制备方法-CN201811627614.7在审
发明人：赵英杰;钟福新;王晓娟;伍泳斌;莫德清 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： C01G3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种Cl/Cu₂O纳米薄膜的制备方法。(1)向聚四氟乙烯水热反应釜中加入CuSO₄•5H₂O溶液和KCl溶液并搅拌混合均匀，再加入KOH溶液;(2)将Cu片放入步骤(1)反应釜中并斜靠于反应釜内壁，盖紧盖子后，将反应釜置于50℃~110℃的烘箱中反应5~10小时，即在Cu片上制得光电压值为0.2063~0.4217 V的Cl/Cu₂O纳米薄膜。本发明采用一步水热合成法，工艺简单，周期较短，对原料以及设备要求不高且掺杂过后光电性能有明显提高。
纳米薄膜反应釜制备烘箱一步水热合成反应釜内壁聚四氟乙烯水热反应釜光电性能设备要求光电压盖子放入斜靠掺杂

[发明专利]一种CdSe量子点的制备方法-CN201710064967.X有效
发明人：江瑶瑶;钟福新;高云鹏;黎燕;莫德清 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2017-02-05 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： C25B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种CdSe量子点的制备方法。阴极电解液由0.023~0.211 mol/L CdCl₂、0.023~0.211 mol/L H₂SeO₃、0~0.016 mol/L Na₂H₂Y与0.012~0.134 mmol/L十六烷基三甲基溴化铵混合而成，阳极液由0.075~0.448 mol/L NaCl与0.533 mol/L HCl混合而成;于常温水浴中，以ITO作阴极，Pt片作阳极，施加1.6~3.2 V的电压，电解5~25分钟，即在ITO上获得CdSe量子点。本发明制备出尺寸较小、密度较高、稳定性和光电性能良好的CdSe量子点。整个制备工艺简单、周期短成本低。
一种 cdse 量子制备方法

[发明专利]一种Cu₂O纳米阵列的制备方法-CN201710064972.0有效
发明人：江瑶瑶;钟福新;高云鹏;黎燕;莫德清 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2017-02-05 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： C25D11/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种Cu₂O纳米阵列的制备方法。将8.8 mmol/L~0.115 mol/L NH₄F溶液、7.54 mol/L~7.99 mol/L甘油水溶液与0.027 mmol/L~0.295 mmol/L十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)溶液混合均匀，配制成弱酸性电解液;以Cu片作阳极，Pt片作阴极，在15 V~35 V的阳极氧化电压下氧化2~18分钟，即在Cu片上获得Cu₂O纳米阵列。其光电压达到0.0801～0.2693 V。本发明制备工艺简单、周期短，通过改变工艺条件能有效地控制样品Cu₂O纳米阵列的厚度及其光电性能。
一种 cu2o 纳米阵列制备方法

[发明专利]一种Cu₂O纳米薄膜的制备方法-CN201810148552.5在审
发明人：丁红;钟福新;高云鹏;黎燕;莫德清 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： C01G3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种Cu2O纳米薄膜的制备方法。（1）分别取10.00 mL 0.10~0.40 mol/L Cu(Ac)2溶液、0.50 mL 0.027~0.227 mmol/L CTAB溶液、5.00 mL 0.05~0.30 mol/L NaOH溶液、0.0975~0.0985 g Zn粉混合均匀配制成反应溶液。（2）将反应溶液置于高压反应釜中，插入ITO导电玻璃，在140~200 ℃烘箱中反应4~10 小时，即在ITO导电玻璃上获得光电压值为0.0252~0.2866 V的Cu2O纳米薄膜。本发明对原料及仪器要求不是很高、工艺简单、周期较短，产品的光电性能稳定。
纳米薄膜反应溶液制备烘箱高压反应釜光电性能仪器要求光电压

[发明专利]一种Co/Cu₂O纳米薄膜的制备方法-CN201810148525.8在审
发明人：丁红;钟福新;高云鹏;黎燕;莫德清 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： C23C18/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种Co/Cu2O纳米薄膜的制备方法。将CoC4H6O4（摩尔比nCo：nCu=0.0%~3.0%）溶于Cu(Ac)2溶液中混合均匀并转入反应釜中，加入CTAB溶液、NaOH溶液和Zn粉混合均匀配制成反应溶液。将反应溶液置于高压反应釜中，插入规格为5.0 cm×1.5 cm×0.1 cm的ITO导电玻璃，在烘箱中反应，即在ITO导电玻璃上获得光电压值为0.0252~0.3583 V的Co/Cu2O纳米薄膜。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期较短，产品的光电性能稳定较好。
纳米薄膜反应溶液制备烘箱高压反应釜光电性能仪器要求反应釜光电压摩尔比转入

[发明专利]一种CdSe纳米薄膜的制备方法-CN201810180713.9在审
发明人：高云鹏;钟福新;苏泉;黎燕;莫德清 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2018-03-05 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： C25D9/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种CdSe纳米薄膜的制备方法。以DMF作为溶剂配制20.0mL浓度为0.071~0.150mol/L的Cd(NO3)2溶液、30.0mL浓度为0.067~0.119mol/L的H2SeO3溶液和5.0mL浓度为0.000~0.120mol/L的PVP溶液，上述三种溶液混合均匀配制成电解液；在匀速磁力搅拌下，铂片作阳极，ITO作阴极，在1V~5V沉积电压下沉积5~25分钟，在ITO上电沉积合成CdSe纳米薄膜，所得CdSe纳米薄膜光电压值为0.1258V~0.3680V。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期非常短，制备的样品光电性能优良。
纳米薄膜制备沉积阴极配制成电解液阳极沉积合成磁力搅拌光电性能溶剂配制溶液混合仪器要求光电压铂片上电

[实用新型]吸附式天花板-CN201720577369.8有效
发明人： 钟福新;张铁山;王凯峰;靳鑫;赵延伟 -专利权人：中国建筑第八工程局有限公司
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： E04F13/074 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种吸附式天花板，包括载料框体，安装于室内屋顶的下方；底板，安装于所述载料框体的底部，所述底板与所述载料框体形成有容置空间，所述底板上设有连通于所述容置空间的进气口；以及用于吸附空气中有害物质的芯材，容置于所述容置空间中。本实用新型解决了对工业生产车间的空气中的有害物质的净化的问题。
吸附天花板

[实用新型]一种大跨度索网式施工装置-CN201720603407.2有效
发明人：王凯峰;钟福新;靳鑫;郭亮亮;刘海旭;王树伟;李曾涛;崔瑞国 -专利权人：中国建筑第八工程局有限公司
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： E04G3/24 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种大跨度索网式施工装置，包括拉设于大跨度的第一主体结构和第二主体结构之间的绳索网；以及铺设于所述绳索网上的施工平台。本实用新型通过在第一主体结构与第二主体结构之间拉设绳索网作为本实用新型的结构支撑，在绳索网上铺设施工平台来实现现场施工，相比于传统的满堂脚手架的方式，其结构更加简单、支设更为方便，更重要的是，其空间占比率大大减小，提升了施工现场的施工空间，进而提高了施工效率。
一种跨度索网式施工装置

[发明专利]一种Cu2O纳米薄膜的制备方法-CN201610106968.1有效
发明人：江瑶瑶;钟福新;王晶晶;高云鹏;莫德清 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2016-02-28 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： C01G3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种Cu2O纳米薄膜的制备方法。（1）配制质量百分比浓度为0.3～1%的HF溶液和质量百分比浓度为25～65%的HNO3溶液，两种配好的溶液取相同体积混合均匀，得混酸溶液；（2）将铜片剪成1.5cm×5cm×0.1cm大小，置于步骤（1）所得混酸溶液中，20～50秒后待铜表面呈紫红色取出，依次用二次蒸馏水、分析纯丙酮和分析纯酒精各超声清洗铜片10分钟，随即在25～65℃水浴中静置3～7天，得Cu2O纳米薄膜。本发明与其他相关技术相比，最显著的特点是常温水浴法制备Cu2O纳米薄膜，其制备工艺简单、周期短，制备的样品有较好的光电性能。
一种 cu sub 纳米薄膜制备方法

[发明专利]一种Cu2-CN201710064971.6在审
发明人：高云鹏;钟福新;黎燕;江瑶瑶;莫德清 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2017-02-05 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： C25D11/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种Cu2O纳米薄膜的制备方法。配制含0.0244~0.1220mol/L CuSO4、0.0006~0.0122mol/L十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、0.0244~0.0854mol/L N2H4.H2O、0.0390~0.1951mol/L NaOH四种溶液的电解液，在匀速磁力搅拌下，以Cu片作阳极，Pt片作阴极，在5V~20V电压下氧化5~15分钟，即在Cu片上获得光电压值0.0985V~0.3035V的Cu2O纳米薄膜。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期非常短，制备的样品光电性能优良。
一种 cu base sub

[发明专利]一种纳米红硒光电材料的制备方法-CN201510045938.X有效
发明人： 钟福新;王伟;王苏宁;黎燕;莫德清;朱义年 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2015-01-29 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： C25B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米红硒光电材料的制备方法。（1）将0.076～0.152g硫脲和40mL 浓度为0.020～0.030mol/L的 H2SeO3溶液均匀混合，配制成电沉积液；（2）将步骤（1）所得电沉积液置于30～50℃水浴中，以铂片为阳极，ITO玻璃为阴极，在直流电压1.5～1.9V下电沉积时间3～7分钟，即在ITO玻璃上制得纳米红硒光电材料。在模拟太阳光下CdSxSey的开路光电压达到0.5894～0.8684V。本发明与其它相关技术相比，最显著的特点是电沉积法一步制备纳米硒电极，制备工艺简便、无污染，制备的纳米硒有较好的光电性能。
一种纳米光电材料制备方法

[实用新型]临时路面体系-CN201620656403.6有效
发明人：靳鑫;张宏建;崔爱珍;钟福新;张伟光;刘海旭 -专利权人：中国建筑第八工程局有限公司
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： E01C9/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种临时路面体系，其包括路基，顶面铺设有缓冲层；硬路肩，设置于所述路基的两旁侧；所述硬路肩靠近所述路基一侧的边缘凹设有与所述缓冲层齐平的限位口；以及钢板路面，铺设于所述缓冲层的顶面。如此，通过硬路肩的顶撑作用和缓冲层的缓冲作用来防止路基受到大重量载荷和雨水的冲击时出现坍塌的情况，再通过路基两侧硬路肩上的限位口来限制钢板路面的横向偏移，并且凭借缓冲层和两侧硬路肩的支撑作用来避免钢板路面出现弯曲损坏。
临时路面体系