专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体存储器装置及其操作方法-CN201811100533.1有效
  • 洪龙焕;金炳烈 - 爱思开海力士有限公司
  • 2018-09-20 - 2023-09-15 - G11C29/14
  • 半导体存储器装置及其操作方法。一种半导体存储器装置包括存储器单元阵列、读/写电路和控制逻辑。存储器单元阵列包括多个存储块。读/写电路对存储器单元阵列的所选页执行读/写操作。地址解码器存储关于所述多个存储块中的每一个的坏块标记数据,并响应于地址信号而输出坏块标记数据。控制逻辑控制读/写电路测试所述多个存储块中是否发生了缺陷,并且控制地址解码器存储表示所述多个存储块中是否发生了缺陷的测试结果作为坏块标记数据。
  • 半导体存储器装置及其操作方法
  • [发明专利]存储器装置、存储器控制器和存储器系统-CN202111345593.1在审
  • 李宰荣;洪龙焕;金炳烈 - 爱思开海力士有限公司
  • 2021-11-15 - 2022-08-30 - G06F12/0882
  • 本申请涉及存储器装置、存储器控制器和存储器系统。一种存储器装置包括:包括多个页的存储块;外围电路,其被配置为执行用于存储第一页数据的第一编程操作并且在第一编程操作之后执行用于存储第二页数据的第二编程操作;状态寄存器,其被配置为存储状态信息;缓存编程操作控制器,其被配置为控制外围电路以在第一编程操作正在被执行时从外部控制器加载第二页数据;以及状态寄存器控制器,其被配置为在状态寄存器中存储指示第一编程操作是否通过的第一失败信息,在从在第二编程操作开始时起的预定时间段内在状态寄存器中存储指示第一失败信息是否是有效信息的有效性信息,并且向外部控制器提供包括第一失败信息和有效性信息的状态信息。
  • 存储器装置控制器系统
  • [发明专利]存储器系统、存储器装置和操作存储器装置的方法-CN202110404062.9在审
  • 洪龙焕;金炳烈 - 爱思开海力士有限公司
  • 2021-04-15 - 2022-03-25 - G06F11/14
  • 本申请公开了存储器系统、存储器装置和操作存储器装置的方法。本技术涉及一种存储器装置。根据本技术的存储器装置包括:存储器单元阵列,其包括备份块和数据块;数据输入/输出电路,其包括对从主机接收的数据进行缓冲的多个页缓冲器;外围电路,其被配置为执行将数据存储在数据块中的编程操作;以及备份操作控制器,其被配置为当在编程操作期间从外部控制器接收到指示发生突然断电的备份命令时,控制外围电路执行停止编程操作的重置操作和将数据存储在备份块中的备份编程操作,并且重置操作是维持在所述多个页缓冲器中缓冲数据的状态并重置外围电路的操作。
  • 存储器系统装置操作方法
  • [发明专利]半导体存储器装置和半导体存储器装置的操作方法-CN202110154376.8在审
  • 洪龙焕;金炳烈 - 爱思开海力士有限公司
  • 2021-02-04 - 2022-03-01 - G06F3/06
  • 提供一种半导体存储器装置和半导体存储器装置的操作方法。根据一个实施方式,一种半导体存储器装置包括:多个存储器块,其包括第一保证块至第m保证块,其中,m为大于1的整数;修复逻辑,其被设置为通过检测第一保证块至第m保证块当中的缺陷存储器块来生成坏块信息并基于坏块信息确定分别与第一保证块至第m保证块相对应的第一偏移值至第m偏移值;以及地址解码器,其被设置为当块地址与第一保证块至第m保证块中的任何一个相对应时通过将从第一偏移值至第m偏移值中选择的偏移值反映到块地址上来生成块选择地址,并且当块地址与除第一保证块至第m保证块之外的任何一个存储器块相对应时通过将第m偏移值反映到块地址上来生成块选择地址。
  • 半导体存储器装置操作方法
  • [发明专利]存储器装置及其操作方法-CN202110370653.9在审
  • 洪龙焕;金炳烈 - 爱思开海力士有限公司
  • 2021-04-07 - 2022-03-01 - G11C16/34
  • 本申请涉及存储器装置及其操作方法。根据实施方式的存储器装置包括:多个单元串,各个单元串包括串联连接的存储器单元和选择晶体管;外围电路,其被配置为将验证电压施加到选择晶体管并对存储器单元执行内部操作;以及控制逻辑,其被配置为控制外围电路施加用于内部操作的操作电压。控制逻辑包括不良串管理组件,该不良串管理组件被配置为:验证选择晶体管的阈值电压;并且根据选择晶体管的验证结果来控制外围电路对包括验证通过的选择晶体管的单元串执行内部操作。
  • 存储器装置及其操作方法
  • [发明专利]存储器系统和包括在其中的存储器装置的操作方法-CN202110365974.X在审
  • 洪龙焕;金炳烈 - 爱思开海力士有限公司
  • 2021-04-06 - 2022-02-22 - G11C16/06
  • 本申请公开了存储器系统和包括在其中的存储器装置的操作方法。一种存储器系统包括:包括具有多个平面的存储器单元阵列的多个存储器装置,所述多个存储器装置通过通道共同连接到存储控制器;超块,其包括所述多个存储器装置当中的至少两个存储器装置的平面中所包括的页;以及存储控制器,其向存储器装置发送指示对超块的操作的至少一个命令以及与命令对应的地址。各个存储器装置包括:外围电路,其用于对存储器单元阵列执行操作;组选择信号发生器,其用于输出指示构成超块的所述至少两个存储器装置的组选择信号;以及控制逻辑,其用于基于组选择信号来控制外围电路执行与命令对应的操作。
  • 存储器系统包括中的装置操作方法
  • [发明专利]存储器装置和该存储器装置的操作方法-CN202110367272.5在审
  • 洪龙焕;金炳烈 - 爱思开海力士有限公司
  • 2021-04-06 - 2022-02-22 - G11C16/06
  • 本申请涉及存储器装置和该存储器装置的操作方法。一种存储装置包括:外围电路,其被配置为执行与从存储控制器输入的多个内部操作命令对应的多个内部操作;温度信息控制器,其被配置为生成与在执行与所述多个内部操作命令当中的第一内部操作命令对应的内部操作时的内部温度对应的第一温度代码以及表示在设定时段期间已生成第一温度代码的信息的温度代码生成信息;以及操作控制器,其被配置为响应于在所述多个内部操作命令当中的第一内部操作命令输入之后输入的第二内部操作命令来基于第一温度代码和温度代码生成信息控制外围电路执行与第二内部操作命令对应的内部操作。
  • 存储器装置操作方法
  • [发明专利]存储器装置及其操作方法-CN202011083276.2在审
  • 金宣学;洪龙焕;金炳烈;李宰荣 - 爱思开海力士有限公司
  • 2020-10-12 - 2021-09-17 - G06F3/06
  • 存储器装置及其操作方法。本文提供了一种存储器装置及其操作方法。该存储器装置可以包括:CAM块,其被配置为存储各种操作所需的CAM数据;页缓冲器组,其被配置为存储通过CAM读取操作从CAM块读取的CAM数据;额外寄存器,其被配置为存储通过对CAM数据执行运算而生成的额外数据;操作逻辑,其被配置为执行检查额外寄存器中的缺陷的操作;寄存器,其被配置为依次存储通过缺陷检查操作生成的运算数据;固定寄存器,其被配置为存储通过为了检查CAM数据中的错误而执行的操作所获得的固定数据;以及核心电路,其被配置为执行CAM读取操作,并且向额外寄存器、运算寄存器和固定寄存器传输运算数据和CAM数据。
  • 存储器装置及其操作方法
  • [发明专利]半导体存储器装置及其操作方法-CN201710488355.3有效
  • 洪龙焕;金炳烈 - 爱思开海力士有限公司
  • 2017-06-23 - 2021-02-19 - G11C8/08
  • 本文提供了一种半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法。半导体存储器装置包括存储器单元阵列,其包括多个存储器单元;外围电路,其被配置为对多个存储器单元中被选择的存储器单元执行包括多个编程循环的编程操作;以及控制电路,其被配置为控制外围电路,使得在各编程循环的预设时间段期间,施加到与选择的存储器单元联接的选择的字线的编程电压从编程开始电压阶梯式地增加阶跃电压直到目标编程电压,其中阶跃电压是所述编程电压的电压增量的。
  • 半导体存储器装置及其操作方法

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