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[发明专利]薄膜晶体管以及使用其的显示面板-CN201310047408.X有效
发明人：田尚勋;宋利宪;金昌桢;安承彦 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-02-06 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管以及使用其的显示面板。该晶体管包括∶栅极；第一钝化层，覆盖栅极；沟道层，设置在第一钝化层上；源极和漏极，设置在第一钝化层上并接触沟道层的两侧；第二钝化层，覆盖沟道层、源极和漏极；第一和第二透明电极层，设置在第二钝化层上并彼此间隔开；第一透明导电通道，穿透第二钝化层并连接源极和第一透明电极层；以及第二透明导电通道，穿透第二钝化层并连接漏极和第二透明电极层。栅极的横截面区域大于沟道层、源极和漏极组合的横截面区域。
薄膜晶体管以及使用显示面板

[发明专利]能够远程感测和触摸感测的光学触摸屏装置-CN201210051118.8有效
发明人：田尚勋;宋利宪;安承彦;金暎;金昌桢;全镕宇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-03-01 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： G06F3/042 文献下载
摘要：本申请提供的是通过使用包括氧化物半导体晶体管的光传感器晶体管能够远程感测和触摸感测的光学触摸屏装置。所述光学触摸屏装置包括沿多个行和多个列排列的多个感测像素的像素阵列。感测像素中的每一个包括用于感测由外部光源照射的光的光感测像素，以及用于感测通过屏幕触摸反射的显示光的触摸感测像素。所述光感测像素包括相互串联连接的第一光传感器晶体管和第一开关晶体管，所述触摸感测像素包括相互串联连接的第二光传感器晶体管和第二开关晶体管。
能够远程触摸光学触摸屏装置

[发明专利]光感测装置和驱动光感测装置的方法-CN201210115204.0有效
发明人：田尚勋;宋利宪;安承彦;金昌桢;金暎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-04-18 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： G01J1/44 文献下载
摘要：根据示例实施例，一种光感测装置可以包括光感测像素的阵列、第一栅极驱动器和信号输出单元。每一个光感测像素可以包括被配置为感测光的光传感器晶体管、被配置为输出来自光传感器晶体管的光感测信号的开关晶体管、以及在开关晶体管的光入射表面上的导电遮光膜。所述光传感器晶体管和开关晶体管可以具有相同的氧化物半导体晶体管结构。第一栅极驱动器可以被配置为向每一个光感测像素提供栅极电压和负偏置电压。所述信号输出单元可以被配置为从每一个光感测像素接收光感测信号并输出数据信号。
光感测装置驱动方法

[发明专利]电容式微加工超声换能器及其制造方法-CN201410443014.0在审
发明人：沈东植;洪硕佑;郑锡焕;金昌桢 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本发明提供了电容式微加工超声换能器及其制造方法。该电容式微加工超声换能器包括：器件基板，包括第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽限制对应于多个元件的多个第一部分，第二沟槽限制与多个第一部分分离的第二部分；支撑单元，提供在器件基板上用于限制对应于多个元件的每个的多个空腔；膜，提供在支撑单元上以覆盖多个空腔；上电极，提供在膜上并经由穿过膜和支撑单元的通孔电连接到第二沟槽中的第二部分；以及贯穿硅通路(TSV)基板，提供在器件基板的下表面上并包括连接到多个第一部分的多个第一通路金属和连接到第二部分的第二通路金属。
电容式微加工超声换能器及其制造方法

[发明专利]辐射探测器、制造该辐射探测器的方法和辐射成像系统-CN201410396055.9在审
发明人：李升协;金善日;金暎;金昌桢 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-08-13 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：辐射探测器可以包括：第一光电导体层，包括多个光敏颗粒；和/或第二光电导体层，在第一光电导体层上，并且包括通过晶体生长光敏材料获得的多个晶体。第一光电导体层的多个光敏颗粒中的至少一些可以填充第二光电导体层的多个晶体之间的间隙。一种制造辐射探测器的方法可以包括：通过向第一基板施加软膏而形成第一光电导体层，所述软膏包括与多个光敏颗粒混合的溶剂；通过在第二基板上晶体生长光敏材料而形成第二光电导体层；在第一光电导体层上按压晶体生长的第二光电导体层，所述第一光电导体层被施加到第一基板；和/或经由干燥工艺去除第一光电导体层中的溶剂。
辐射探测器制造方法成像系统

[发明专利]光子计数探测器及读出电路-CN201310651552.4在审
发明人：尹大健;金昌桢 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-12-04 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： A61B6/00 文献下载
摘要：本发明提供了用于探测在多能量辐射中包括的光子的光子计数探测器和读出电路。该光子计数探测器包括：光子入射到其上的像素区域，以及偏置电路，其提供偏置电压或电流，其中，偏置电路被布置在像素区域中。
光子计数探测器读出电路

[发明专利]驱动器电路和读出电路-CN201310180851.4无效
发明人：尹大健;金暎;李采勋;金昌桢;朴宰彻 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-05-16 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： G01T1/00 文献下载
摘要：提供了一种驱动器电路，用于向列线输出根据能量电平来分类和计数光子的结果，所述驱动器电路包括：复用器，用于从计数器接收所述结果；驱动逆变器，用于从所述复用器和电源接收信号；以及，在所述电源和所述驱动逆变器的输入端之间连接的第一开关。
驱动器电路读出

[发明专利]电阻开关材料元件以及采用该电阻开关材料元件的器件-CN201310349372.0在审
发明人：金京旻;金英培;金昌桢;金成镐;金世珍;李承烈;张晚;赵银珠 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-08-12 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了电阻开关材料元件以及采用该电阻开关材料元件的器件。电阻开关材料元件包括设置在第一电极与第二电极之间的电阻开关材料层以及设置在电阻开关材料层与第一和第二电极中的任一个之间的自整流层。
电阻开关材料元件以及采用器件

[发明专利]非易失性存储元件及包括该非易失性存储元件的存储装置-CN201210447188.5无效
发明人：李昌范;金英培;金京旻;金昌桢;李东洙;李明宰;李承烈;张晚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-11-09 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供非易失性存储元件、包括该非易失性存储元件的存储装置以及存储装置的操作方法和制造方法。非易失性存储元件可以包括第一电极和第二电极之间的存储层，其中存储层可以具有多层结构。存储层可以包括第一材料层和第二材料层且由于离子物种和离子空位的至少之一在该第一材料层和该第二材料层之间的移动而具有电阻变化特性。第一材料层和第二材料层当中至少第一材料层可以掺杂金属。第一材料层可以是氧供应层，且第二材料层可以是氧交换层。例如，金属可以包括钨（W）。非易失性存储元件可以具有多位存储特性。
非易失性存储元件包括装置

[发明专利]图像传感器以及包括该图像传感器的X射线图像感测模块-CN201210349575.5无效
发明人：韩相旭;金贤植;曹圭亨;金昌桢;朴宰彻;成映勋;金暎;梁峻赫 -专利权人：三星电子株式会社;韩国科学技术院
申请日： 2012-09-19 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：根据示例实施例，一种图像传感器包括被配置为放大由感测单元感测到的电荷的电荷感测放大器。所述电荷感测放大器包括输入端、放大端、输出端、连接在输入端和放大端之间的第一电容器、连接在输入端和放大端之间的第一开关、连接在放大端和输出端之间的第二电容器、以及连接在输出端和参考电压端之间的第二开关。
图像传感器以及包括射线图像模块

[发明专利]光感测装置、驱动方法、以及光学触摸屏装置-CN201210186006.3有效
发明人：安承彦;宋利宪;田尚勋;金暎;全镕宇;金昌桢 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-06-07 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： G01J1/44 文献下载
摘要：一种光感测装置、驱动光感测装置的方法以及包含光感测装置的光学触摸屏装置，其中，光感测像素中的光传感器晶体管由光敏氧化物半导体晶体管形成。光感测装置包括：光感测像素阵列，具有按照行和列排列的多个光感测像素；以及多条栅极线，按照行方向排列并且分别向光感测像素提供栅极电压，其中，光感测像素的每一个包括用于感测光的光传感器晶体管以及用于输出来自光传感器晶体管的光感测信号的开关晶体管。栅极线被连接到在光感测像素阵列中的每一行中的开关晶体管的栅极，且复位线被连接到在光感测像素阵列中的每一行中的光传感器晶体管的栅极。复位线经由相位反转器被连接到栅极线。因而，当栅极电压被施加于栅极线时，具有与栅极电压反转相位的复位信号可以被施加于复位线。
光感测装置驱动方法以及光学触摸屏

[发明专利]包括可变电阻元件的半导体器件和操作半导体器件的方法-CN201210213817.8无效
发明人：张晚;金英培;李东洙;李昌范;李承烈;金昌桢;李明宰;金京旻 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-06-25 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种操作半导体器件的方法，所述半导体器件的可靠性得到改善。所述方法包括：把第一电压施加于可变电阻元件以便把可变电阻元件的电阻值从第一电阻值改变到第二电阻值，其中，第一电阻值和第二电阻值不同；感测流过被施加了第一电压的可变电阻元件的第一电流；基于第一电流的散布，调制用于把可变电阻元件的电阻值从第二电阻值改变到第一电阻值的第二电压；和，基于第一电流的散布，把第一电压再次施加于可变电阻元件。
包括可变电阻元件半导体器件操作方法

[发明专利]非易失性存储元件及包括该非易失性存储元件的存储装置-CN201210211660.5无效
发明人：李承烈;金英培;金昌桢;李明宰;许智贤;李东洙;张晚;李昌范;金京旻 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及非易失性存储元件及包括该非易失性存储元件的存储装置。一种非易失性存储元件可包括在两个电极之间的存储层，存储层可具有多层结构。存储层可包括底层和离子物种交换层，并可具有由于离子物种在所述底层和所述离子物种交换层之间的移动而引起的电阻改变特性。离子物种交换层可具有包括至少两层的多层结构。非易失性存储元件可具有由于具有所述多层结构的所述离子物种交换层而导致的多位存储特性。所述底层可以是氧供应层，所述离子物种交换层可以是氧交换层。
非易失性存储元件包括装置

[发明专利]操作包括可变电阻器件的半导体器件的方法-CN201210298165.2无效
发明人：张晚;金英培;金昌桢;李明宰;朴晟准;许智贤;李东洙;李昌范;李承烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-08-21 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：根据示例实施例，一种操作具有可变电阻器件的半导体器件的方法包括：向可变电阻器件施加第一电压以将该可变电阻器件的电阻值从第一电阻值改变为与第一电阻值不同的第二电阻值；感测流过被施加第一电压的可变电阻器件的第一电流；基于感测的第一电流的偏移确定用于将该可变电阻器件的电阻值从第二电阻值改变为第一电阻值的第二电压；以及向可变电阻器件施加确定的第二电压。
操作包括可变电阻器件半导体器件方法

[发明专利]包括可变电阻材料的半导体器件及其制造方法-CN201210090456.2无效
发明人：田尚勋;柳寅敬;金昌桢;金英培 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供包括可变电阻材料的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：绝缘衬底；沟道层，在绝缘衬底上；栅极，从沟道层的上表面至少部分地延伸到沟道层中；源极和漏极，在沟道层上分别在栅极的相对两侧；栅绝缘层，围绕栅极且将栅极与沟道层、源极和漏极电绝缘；以及可变电阻材料层，在绝缘衬底与栅极之间。
包括可变电阻材料半导体器件及其制造方法

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