专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果3个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]减少了延迟变动的场效应晶体管-CN01117216.9无效
  • 金子良明 - 富士通株式会社
  • 1997-01-17 - 2003-01-08 - H01L29/772
  • 在具有第一导电类型的沟道、源和漏区的化合物半导体层内设置减少了延迟变动的场效应晶体管。在上述的区域上分别形成栅、源和漏电极。特别是栅电极设有在与所述源和漏区的相对方向交叉的方向上延伸的伸出部分,并从沟道区伸出。在该化合物半导体层中,形成与第一导电类型相反的第二导电类型的阱区,以便比在沟道、源和漏区内更深地围住沟道区、源区和漏区以及栅电极的伸出部分。通过用第二导电类型的阱区围住包括伸出部分的栅电极,使延迟变动显著地减少。
  • 减少延迟变动场效应晶体管
  • [发明专利]减少了延迟变动的场效应晶体管-CN97102274.7无效
  • 金子良明 - 富士通株式会社
  • 1997-01-17 - 2002-07-31 - H01L29/772
  • 在具有第一导电类型的沟道、源和漏区的化合物半导体层内设置减少了延迟变动的场效应晶体管。在上述的区域上分别形成栅、源和漏电极。特别是栅电极设有在与所述源和漏区的相对方向交叉的方向上延伸的伸出部分,并从沟道区伸出。在该化合物半导体层中,形成与第一导电类型相反的第二导电类型的阱区,以便比在沟道、源和漏区内更深地围住沟道区、源区和漏区以及栅电极的伸出部分。通过用第二导电类型的阱区围住包括伸出部分的栅电极,使延迟变动显著地减少。
  • 减少延迟变动场效应晶体管
  • [发明专利]射频回波消除小室-CN89102924.9无效
  • 澁谷茂一 - 澁谷茂一;金子良明
  • 1989-04-28 - 1992-08-05 - H01Q17/00
  • 一种射频回波消除小室(不反射电波的小室)。该小室包括若干无线电波反射器和一个截住反射波用的屏蔽板。各无线电波反射器设在小室四周壁的所有内侧上,壁的上部分散开着。屏蔽板则配置在一天线与测试仪的支架之间,且具有一个只能让从天线来的直射波通过的孔眼。该小室还可以包括一与地板表面一起形成一三棱体且其纵向与连接着天线与测试仪支架的方向重合且设在地板表面上的无线电波反射器、一与顶棚表面一起形成三棱体且其纵向与连接着天线与测试仪支架的方向重合且设在顶棚表面下的无线电波反射器,以及若干设在顶棚表面下没有所述无线电波反射器的地方的无线电波吸收器。
  • 射频回波消除小室

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top