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[发明专利]发光装置-CN201580002625.4有效
发明人： 金子延容;名田智一;英贺谷诚;幡俊雄;地主修;曾田义树;纳文·文卡塔·拉曼·戴维塞提;金子和昭;大沼宏彰 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2015-01-07 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：提供一种能够通过来自单一电源的电力供给来调整色温的发光装置。发光装置的特征在于，具备：阳极用电极连接盘、阴极用电极连接盘、对阳极用电极连接盘和阴极用电极连接盘进行连接的第1布线以及第2布线，第1布线的电气电阻大于第2布线的电气电阻，能够调整包含与第1布线电连接的第1发光部以及与第2布线电连接的第2发光部的发光部整体所发出的光的色温。
发光装置

[发明专利]半导体激光装置、其制造方法以及使用该装置的光学拾取头装置-CN200710152611.8无效
发明人：福本悟;金子延容 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2007-09-19 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：提供一种半导体激光装置及其制造方法，该半导体激光装置能够充分地将由半导体激光元件所产生的热量进行散热，且制造工序简单，并且能够调整光路长。激光芯片(3)通过块状体(2)和平板(1)与壳体(8)接合。另外平板(1)从块状体(2)和平板(1)的接合面露出一部分，当设置在壳体(8)上时，从壳体(8)的外侧向内侧插入激光芯片(3)和块状体(2)，并且平板(1)露出在壳体(8)的外侧。激光芯片(3)的出射光的光轴与壳体(8)的接地面平行。
半导体激光装置制造方法以及使用光学拾取

[发明专利]半导体发光设备及其制造方法-CN200410047755.3有效
发明人：栗田贤一;金子延容 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2004-05-20 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：一种半导体发光设备包括非导电性辅助支架；在辅助支架上设置的金属层；在金属层上设置的焊接材料元件；和通过焊接材料元件管芯焊接到金属层上的半导体发光器件。金属层表面包括具有粘附在其上的焊接材料元件的焊接材料附着区和暴露金属层表面的金属层暴露区。焊接材料附着区电连接到金属层暴露区。焊接材料附着区比半导体发光器件的管芯焊接区更大。金属层暴露区具有暴露了辅助支架的金属层除去区。
半导体发光设备及其制造方法

[发明专利]光拾取装置和半导体激光器装置-CN200310123743.X无效
发明人：山田茂博;伊藤隆;金子延容;松原和德 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2003-11-27 - 公布日： 2004-08-11 - 主分类号： G11B7/12 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种能够抑制从半导体激光器元件发射的激光光束的光利用率降低的光拾取装置和半导体激光器装置。当从用于DVD(32)的激光器元件发射的，其偏振方向是垂直与偏振光栅(23)的凹槽方向的激光光束(A)入射到偏振光栅(23)上时，偏振光栅(23)不衍射激光光束(A)并作为零基衍射光束(A0)透射激光光束(A)。因此，从用于DVD(32)的激光器元件发射的所有激光光束(A)能够用于读取DVD的信息信号并检测FES和TES。这能够抑制在传统光拾取装置1中用于检测CD的TES时由衍光栅的衍射作用产生的光利用率的降低。
拾取装置半导体激光器

[发明专利]半导体激光装置和使用它的光拾取器-CN03124881.0无效
发明人：小泉秀史;八木有百实;松原和德;金子延容 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2003-09-29 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： G11B7/12 文献下载
摘要：提供一种可形成小型、薄形的光拾取器的半导体激光装置。在支撑部件(1)的上表面(1c)上形成用于搭载元件组的元件搭载区域，元件组包括半导体激光元件(2)和受光元件(3)，受光元件检测从半导体激光元件(2)发射的由外部的光盘面反射后再入射的激光束。在从半导体激光元件至所述光盘面的激光束的光路中，包含从所述支撑部件的元件搭载区域大致向垂直方向行进的垂直光路。分别在所述支撑部件的左右一对的对置端部上、或分别在形成于所述支撑部件上的左右一对的突起部上，形成用于嵌插所述支撑部件的圆弧状弯曲外表面，以使与具有圆弧弯曲内表面的半导体激光装置安装孔重合。这些弯曲外表面由以所述垂直光路为中心轴的圆弧构成，并且以相同圆弧的曲率半径左右不同来形成。
半导体激光装置使用拾取