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[发明专利]多层电子组件以及安装有该多层电子组件的板-CN202010624676.3有效
发明人：朴兴吉;朴世训;朴宪奎;金兑训;池求愿 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明提供一种多层电子组件以及安装有该多层电子组件的板，所述多层电子组件包括：电容器主体，具有第一表面至第六表面，电容器主体包括介电层以及具有分别通过第三表面和第四表面暴露的一端的第一内电极和第二内电极；第一外电极和第二外电极，分别包括分别设置在电容器主体的第三表面和第四表面上的第一连接部和第二连接部以及在所述电容器主体的所述第一表面上彼此间隔开的第一带部和第二带部；第一连接端子，设置在第一带部上并具有设置在第一连接端子的下表面中、朝向电容器主体的第三表面敞开的第一切口；以及第二连接端子，设置在所述第二带部上并具有形成在第二连接端子的下表面中、朝向电容器主体的第四表面敞开的第二切口。
多层电子组件以及装有

[发明专利]多层陶瓷电容器-CN202010633155.4在审
发明人： 金兑训;沈原彻 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明提供一种多层陶瓷电容器，所述多层陶瓷电容器包括：陶瓷主体，包括堆叠的介电层以及第一内电极和第二内电极，且所述介电层介于所述第一内电极与所述第二内电极之间；以及第一外电极和第二外电极，设置在所述陶瓷主体上，并且分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极。所述第一外电极包括第一电极部和第一带部，并且所述第二外电极包括第二电极部和第二带部。所述陶瓷主体在所述第一方向上的长度为L，所述陶瓷主体在所述第二方向上的宽度为W，所述第一电极部和所述第二电极部中的每个在所述第一方向上的长度为BW，并且所述第一带部或所述第二带部在所述第二方向上的宽度为SW，SW/W小于0.46并且BW/L大于0.10。
多层陶瓷电容器

[发明专利]热电粉末及使用其制备的热电材料-CN201580068585.3有效
发明人：李载骑;高京门;金兑训;朴哲熙;朴致成;郑明珍 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L35/14 文献下载
摘要：公开了一种经表面处理的热电粉末，其可以用于制造具有改善的热电性能的基于方钴矿的热电材料。所述热电粉末可以包括具有一个或更多个方钴矿颗粒的芯部分以及具有含Ni材料且涂覆在所述芯部分的至少一部分表面上的涂层部分。
热电粉末使用制备材料

[发明专利]化合物半导体及其制备方法-CN201580052778.X有效
发明人：李载骑;金兑训;朴哲熙 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L35/18 文献下载
摘要：公开了具有优异热电转换性能的化合物半导体及其用途。根据本发明的化合物半导体可以由以下化学式1表示：<化学式1>M1_aCo₄Sb1_2‑xM2_x，其中M1和M2为In和至少一种稀土金属元素中，并且0≤a≤1.8且0
化合物半导体及其制备方法

[发明专利]热电材料及其制造方法-CN201480054978.4有效
发明人：高京门;金兑训;朴哲熙 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2014-10-16 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L35/14 文献下载
摘要：公开了一种具有优异热电性能的热电材料。根据本发明的热电材料可以由如下的化学式1表示。<化学式1>CuxSe1‑yQy，其中，在化学式1中，Q为S和/或Te，并且2
热电材料及其制造方法

[发明专利]制造热电材料的方法-CN201480003850.5有效
发明人：高京门;金兑训;朴哲熙;李载骑 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01L35/14 文献下载
摘要：公开了一种制造跨宽温度范围具有高热电转换性能的热电材料的方法。根据本发明，制造热电材料的方法包括如下步骤通过以与如下化学式1对应的方式称量Cu和Se并将其混合来形成混合物；和通过对所述混合物进行热处理来形成合成材料。<化学式1>CuxSe，其中在化学式1中2＜x≤2.6。
制造热电材料方法

[发明专利]热电材料-CN201480003854.3有效
发明人：高京门;金兑训;朴哲熙;李载骑 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L35/14 文献下载
摘要：公开了一种具有优异性能的热电转换材料。根据本发明的热电材料包含包含Cu和Se的基质；和含Cu颗粒。
热电材料

[发明专利]热电材料-CN201480003857.7有效
发明人：高京门;金兑训;朴哲熙;李载骑 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L35/14 文献下载
摘要：公开了一种具有优异性能的热电转换材料。根据本发明的热电材料包含Cu和Se，其中包含Cu原子和Se原子的晶体在特定温度下同时具有多个不同的晶体结构。
热电材料

[发明专利]化合物半导体及其用途-CN201280023009.3有效
发明人：朴哲凞;金兑训 -专利权人： LG化学株式会社
申请日： 2012-05-11 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了可用于太阳能电池或用作热电材料的新型化合物半导体及其用途。根据本发明的化合物半导体可以由以下化学式1表示[化学式1]InxMyCo4‑m‑aAmSb12‑n‑z‑bXnTez，其中，在化学式1中，M是选自Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种；A是选自Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt中的至少一种；X是选自Si、Ga、Ge和Sn中的至少一种；0<x<1；0<y<1；0≤m≤1；0≤n<9；0<z≤2；0≤a≤1；0<b≤3；0<n+z+b<12。
化合物半导体及其用途

[发明专利]新的化合物半导体及其用途-CN201280023795.7有效
发明人：朴哲凞;金兑训 -专利权人： LG化学株式会社
申请日： 2012-05-11 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了可用于太阳能电池或用作热电材料的新型化合物半导体及其用途。本发明的化合物半导体可以由如下化学式1表示：[化学式1]In_xCo_4‑aSb_12‑z‑bQ_z，其中Q为选自O、S、Se和Te中的至少一种；0<x≤0.5；0≤a≤1；0<b≤3；0<z≤4。
化合物半导体及其用途

[发明专利]热电材料及其制造方法-CN201480051076.5在审
发明人：高京门;金兑训;朴哲熙 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L35/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有优异热电性能的热电材料。根据本发明的热电材料包括含Cu和Se的基质、含Cu颗粒和含Ag结构。
热电材料及其制造方法

[发明专利]热电材料及其制造方法-CN201480049267.8在审
发明人：高京门;金兑训;朴哲熙 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H01L35/14 文献下载
摘要：公开了一种具有优异性能的热电材料。根据本发明的热电材料可以由以下化学式1表示。<化学式1>Cu_xSe，其中在化学式1中，2＜x≤2.6。
热电材料及其制造方法

[发明专利]热电材料及其制造方法-CN201480048447.4在审
发明人：高京门;金兑训;朴哲熙 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：公开了具有优异的热电转换性能的新型热电材料及其制造方法。根据本发明的化合物半导体可以由以下化学式1表示：Cu_xSe_1-yX_y，其中X选自F、Cl、Br和I中至少之一，2<x≤2.6并且0<y<1。
热电材料及其制造方法

[发明专利]新化合物半导体及其用途-CN201480018809.5在审
发明人：权五贞;金兑训;朴哲熙;高京门;郑粲烨 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2014-10-06 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：公开了一种能够用于例如热电材料的用途的新化合物半导体材料及其应用。根据本发明的所述化合物半导体可以通过以下化学式1来表示。<化学式1>Bi_1-xM_xCu_1-wT_wO_a-yQ1_yTe_bSe_z。在化学式1中，M是选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cs、K、Na、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的一种或更多种元素，Q1是选自S、Se、As和Sb中的一种或更多种元素，T是选自过渡金属元素中的一种或更多种元素，0≤x＜1，0＜w＜1，0.2＜a＜1.5，0≤y＜1.5，0≤b＜1.5和0≤z＜1.5。
化合物半导体及其用途

[发明专利]具有高容量的锂二次电池用负极活性材料、其制备和包含其的锂二次电池-CN201380047735.3在审
发明人：李龙珠;金帝映;金兑训;朴哲熙;姜允雅;李美林;郑惠兰;郑汉娜 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： H01M4/587 文献下载
摘要：本发明的负极活性材料包含具有由核和壳组成的核-壳结构的无定形SiO_x-C复合物，所述核包含不含Si晶体的硅氧化物(SiO_x)粒子并且所述壳为形成在所述核的至少一部分表面上且包含碳材料的涂层，从而提供高容量并且有效地抑制在Si的使用中已经造成的体积膨胀，从而提高寿命特性，并最终提供具有这种特性的锂二次电池。
具有容量二次电池负极活性材料制备包含

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