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[发明专利]三维半导体设备和制造三维半导体设备的方法-CN202310174400.3在审
发明人：李昇珉;金南局;金保延;金载锡 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10B43/20 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及三维半导体设备和制造三维半导体设备的方法。一种三维半导体设备包括存储器块，该存储器块包括堆叠结构、穿过堆叠结构形成的多个通道塞以及形成在存储器块中的分隔图案，该堆叠结构包括形成在第一子堆叠上方的第二子堆叠。
三维半导体设备制造方法

[发明专利]非易失性存储器器件-CN201911187722.1在审
发明人： 金保延 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及非易失性存储器器件。根据本公开的一个实施例的非易失性存储器器件包括：具有沟道层的衬底、设置于沟道层上的第一隧穿层、设置于第一隧穿层上的第二隧穿层、设置于所述第二隧穿层上的第三隧穿层、设置于第三隧穿层上的电荷俘获层、设置于电荷俘获层上的电荷阻挡层以及设置于电荷阻挡层上的栅极电极层。第一隧穿层包括第一绝缘材料。第二隧穿层包括电阻切换材料。第三隧穿层包括第二绝缘材料。电阻切换材料是电阻根据所施加的电场的幅度而在高阻态和低阻态之间可逆地改变的材料。
非易失性存储器器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201911270314.2在审
发明人：崔承勋;具滋应;金官性;金保延;金完敦;尹普彦;任廷爀;全艺伶 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：一种半导体器件和制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；层间绝缘层，位于所述半导体衬底上，所述层间绝缘层包括：第一开口，所述第一开口在所述第一区域上，并且具有第一宽度；以及第二开口，所述第二开口在所述第二区域上，并且具有第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度；至少一个第一金属图案，所述至少一个第一金属图案填充所述第一开口；第二金属图案，所述第二金属图案位于所述第二开口中；以及填充图案，所述填充图案在所述第二开口中位于所述第二金属图案上，其中，所述至少一个第一金属图案和所述第二金属图案均包括相同的第一金属材料，所述填充图案由非金属材料形成。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法-CN201911108233.2在审
发明人： 金保延;李世昊 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请提供一种非易失性存储器件及其制造方法。在根据一个实施例的非易失性存储器件的制造方法中，在衬底上形成第一隧道氧化物层、氮供应层和密度低于第一隧道氧化物层的密度的第二隧道氧化物层。使在氮供应层中的氮扩散到第二隧道氧化物层中，以将第二隧道氧化物层的至少一部分转化为氮氧化物层。
非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]浆料组合物、其制备方法和利用其制造半导体装置的方法-CN201910801210.3在审
发明人： 金保延;高井健次;金度润;金相均;尹普彦 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：公开了一种用于化学机械抛光(CMP)的浆料组合物，其包括用作抛光粒子的富勒醇和氢氧化烷基铵二者的复合化合物。可低成本大量制备展现出优秀抛光特性的所述浆料组合物。还公开了一种制备浆料组合物的方法，其包括：通过使氢氧化烷基铵、过氧化氢和富勒烯反应获得富勒醇复合化合物和未反应的过氧化氢的混合物；通过将过氧化氢分解催化剂粒子加入混合物中去除未反应的过氧化氢；通过过滤从混合物中分离过氧化氢分解催化剂粒子；以及将抛光添加剂加入混合物。还公开了一种制造半导体装置的方法，其包括：提供限定沟槽的图案；在所述图案上形成金属材料膜以填充沟槽；以及所述利用浆料组合物执行金属材料膜的CMP。
浆料组合制备方法利用制造半导体装置

[发明专利]图像传感器-CN201910148452.7在审
发明人：金东灿;金宽植;金保延;徐恩成;尹一永;崔承勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器包括：基底，包括用于接收光并产生图像数据的传感器区域和与传感器区域相邻的焊盘区域；绝缘层，在基底上；下透明电极，在传感器区域中的绝缘层上；以及蚀刻停止层，在传感器区域和焊盘区域中的绝缘层上。蚀刻停止层可以包括氮化硅。下透明电极的最上表面相对于基底的高度可以基本上等于蚀刻停止层的上表面相对于基底的高度。
传感器区域绝缘层基底蚀刻停止层焊盘区域透明电极上表面图像传感器图像数据氮化硅接收光

[发明专利]存储器和包括存储器的存储系统-CN201410419619.6有效
发明人：郑喆文;金保延;金生焕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-08-22 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：一种存储器可以包括：多个字线；一个或更多个冗余字线，其用于替换所述多个字线之中的一个或更多个字线；目标地址发生单元，其适于利用储存的地址来产生一个或更多个目标地址；以及控制单元，其适于响应于周期性输入的刷新命令而顺序地刷新所述多个字线、当刷新命令被输入M次时刷新基于目标地址而选中的字线、以及每当刷新命令被输入N次时刷新所述一个或更多个冗余字线，其中，M和N是自然数。
存储器包括存储系统

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201310020701.7在审
发明人：权炳昊;李根泽;高镛璿;金弘镇;裴相元;安时庆;梁凖烈;韩索;金保延;洪命基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-01-18 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成包含第一金属的第一层；形成包含第二金属的第二层，所述第二层与所述第一层相邻；对所述第一层和第二层的顶面进行研磨；以及使用清洁溶液对所述第一层和第二层进行清洁。所述清洁溶液可包含对所述第一层和第二层进行腐蚀的腐蚀溶液和防止所述第二层被过度腐蚀的抑制剂。
制造半导体器件方法