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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置-CN202211492640.X在审
  • 李先健;金仁模;金秀贞 - 三星电子株式会社
  • 2022-11-25 - 2023-05-30 - H10B43/35
  • 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：存储器单元区域，包括设置在第一半导体基底上的多个存储器单元，并且包括在第一半导体基底上彼此间隔开地堆叠的栅电极和穿过栅电极且连接到第一半导体基底的沟道结构；外围电路区域，包括具有第一导电类型杂质的第二半导体基底，并且包括控制多个存储器单元的外围电路，第二半导体基底具有在与第一半导体基底的上表面垂直的第一方向上面对第一半导体基底的上表面，其中，外围电路包括形成在第二半导体基底中的多个阱区域、设置在多个阱区域之间并且包括第一导电类型杂质的离子注入区域和多个天线二极管，多个天线二极管中的至少一个在第一方向上与离子注入区域叠置。
  • 半导体装置
  • [发明专利]存储器件-CN202111063346.2在审
  • 金秀贞;金仁模 - 三星电子株式会社
  • 2021-09-10 - 2022-04-15 - H01L27/11573
  • 一种存储器件，包括：存储单元区域，存储单元区域包括在第一半导体衬底上彼此间隔开地堆叠的栅电极和沟道结构；以及外围电路区域，外围电路区域包括设置在第二半导体衬底上方的上金属线，第二半导体衬底设置在存储单元区域下方。第一半导体衬底包括第一区域和第二区域，在第一区域中第一半导体衬底与上金属线之间的距离具有第一值，在第二区域中第一半导体衬底与上金属线之间的距离具有小于第一值的第二值。用于操作存储器件的参考电压被传输到设置在第一区域下方的至少一条第一上金属线。因此，可以减小用于重要信号的耦合电容，同时保持连接部分的长度和公共源极线的电阻的大小。此外，可以降低存储器件的错误率。
  • 存储器件
  • [发明专利]半导体器件-CN201910862801.1在审
  • 金秀贞;金仁模 - 三星电子株式会社
  • 2019-09-12 - 2020-05-08 - H01L27/02
  • 一种半导体器件包括：形成在衬底中的防护有源区域；多个晶体管，设置在与防护有源区域相邻的元件区域中，每个晶体管包括有源区域和交叉有源区域的栅极结构；以及二极管晶体管，设置在晶体管当中的第一晶体管和第二晶体管之间，并且具有连接到防护有源区域的二极管栅极结构、连接到第一晶体管的栅极结构的第一有源区域和连接到第二晶体管的栅极结构的第二有源区域。
  • 半导体器件
  •  1 
  • 共 5 条
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