专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]固井水泥石界面测试装置及方法-CN202110482778.0在审
  • 王福云;张华礼;郑友志;夏宏伟;张占武;何雨;余江;郭枫林;赵军 - 中国石油天然气股份有限公司
  • 2021-04-30 - 2022-11-01 - G01N19/04
  • 本申请提供了一种固井水泥石界面测试装置及方法,属于油气井工程固井技术领域。本方案通过在水泥成形单元中预先浇注水泥形成水泥环,通过压力和流量单元、温度单元,模拟井下的压力和温度环境,通过射孔冲击单元提供冲击载荷,模拟水泥石在井下环境中所承受的射孔冲击,从而可以对水泥环与模拟套管之间的胶结界面进行测试,在射孔冲击单元进行射孔冲击后,随着冲击力的提升,水泥环与模拟套管之间的界面胶结失效,造成气体沿该界面流动,进而从出气管中排出,从而第二流量计测得的信号会迅速提升,根据第二流量计迅速提升的时间,获取对应的射孔冲击的冲击力,以便获取水泥石界面胶结失效的临界条件,对实际固井工作具有较大的指导作用。
  • 井水界面测试装置方法
  • [发明专利]一种高效改变SiC衬底形状的方法-CN202210418807.1在审
  • 陈秀芳;郭枫林;徐现刚 - 山东大学
  • 2022-04-20 - 2022-08-05 - H01L21/02
  • 本发明涉及一种高效改变SiC衬底形状的方法,该方法包括采用双面研磨机对切割后的晶片进行双面研磨;清洗后采用双面抛光机将清洗完毕的晶片置于抛光机中进行双面机械抛光,如果双面机械抛光之后的晶片形状相对于目标形状为劣,且Bow>15um,对晶片进行补充性单面机械抛光,最后将机械抛光后的晶片,对硅面或者碳面进行化学机械抛光,得到均匀凹陷或凸起的SiC衬底。本发明通过特定的研磨机抛光时晶片朝向以及上下盘转速,突破了非极性半导体加工的局限性,在保证SiC衬底表面高平整度和低表面粗糙度的前提下,可以将衬底形状快速加工至均匀凹陷或凸起,有效缩减了传统加工的繁琐步骤,并能提高抛光液寿命从而节约加工成本。
  • 一种高效改变sic衬底形状方法

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