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[发明专利]用于存内计算芯片的误差补偿方法、装置、芯片、设备-CN202210357661.4有效
发明人：严洪泽;郭昕婕;孙旭光 -专利权人：杭州知存智能科技有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G06N3/082 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种用于存内计算芯片的误差补偿方法、装置、芯片、设备，该方法包括：将样本图像输入目标神经网络模型，将各卷积层输出的特征图作为该卷积层的校准基准；根据对应样本图像的当前卷积层的输入特征图获取对应的索引矩阵；获取存内计算芯片输出的对应所述输入特征图的当前卷积层的计算结果；将所述校准基准与所述计算结果比对后，根据所述索引矩阵以及比对结果生成当前卷积层对应的索引值‑补偿向量对应关系表，用于存内计算芯片在实现目标神经网络模型运算时在其数字域中对模拟域输出的计算结果进行补偿，使存算一体芯片的计算结果更接近无噪声情况下的计算结果。
用于计算芯片误差补偿方法装置设备

[发明专利]一种闪存芯片的编程方法及测试方法-CN202211351168.8在审
发明人：王春明;李伟民;郭昕婕 -专利权人：北京知存科技有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种闪存芯片的编程方法及测试方法。闪存芯片包括闪存阵列，闪存阵列包括存算单元；编程方法包括至少两次存算编程过程，一次存算编程过程包括：向所有待编程存算单元写入第一编程电压；读取每一待编程存算单元的当前电流；计算每一待编程存算单元的当前电流与对应的第一目标电流的第一差值；将第一差值大于或等于第一预设值的待编程存算单元作为下一存算编程过程的待编程存算单元，并将第二编程电压作为下一存算编程过程的第一编程电压；其中，第二编程电压为当前存算编程过程中第一编程电压调整后的电压。本发明实施例的技术方案减小了对已编程存算单元的干扰。
一种闪存芯片编程方法测试

[发明专利]闪存芯片的数据保持性能的筛选方法、装置及电子设备-CN202211013956.6在审
发明人：王春明;张健;田豫;郭昕婕 -专利权人：北京知存科技有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G11C29/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种闪存芯片的数据保持性能的筛选方法、装置及电子设备，所述方法包括，对所述闪存芯片的闪存单元进行预处理；读取预处理后所述闪存单元的第一模拟电参数；对所述闪存芯片进行干扰处理；读取所述干扰处理后所述闪存单元的第二模拟电参数；判断所述第一模拟电参数与所述第二模拟电参数的差值，若所述差值符合预设变化范围，则所述闪存单元的数据保持性能合格。本发明提供技术方案，减少了测试周期，提高测试效率，降低对后续的编程精度的影响。
闪存芯片数据保持性能筛选方法装置电子设备

[发明专利]闪存芯片及其编程方法和测试方法-CN202211017547.3在审
发明人：王春明;伍峰;郭昕婕 -专利权人：北京知存科技有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种闪存芯片及其编程方法和测试方法。闪存芯片包括控制器和与控制器电连接的闪存阵列，闪存阵列中多个闪存单元阵列排布；闪存芯片还包括：多条控制栅线，每条控制栅线连接一行闪存单元的第一端；多条擦除栅线，每条擦除栅线连接一列闪存单元的第二端；多条选择栅线，每条选择栅线连接一行闪存单元的第三端；控制器用于通过选择栅线向第i行闪存单元提供选择电压，以及通过擦除栅线向第j列闪存单元提供选中电压选中位于第i行第j列的待编程闪存单元时，通过控制栅线向第p行闪存单元提供预设电压，i≥1，j≥1，p≥1，且p不等于i。本发明实施例的技术方案可以减小对已编程的闪存单元产生干扰，提高了编程数据精度。
闪存芯片及其编程方法测试

[发明专利]半导体器件阵列-CN202210901208.5在审
发明人：王春明;伍峰;郭昕婕 -专利权人：北京知存科技有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本公开涉及半导体技术领域，特别是涉及一种半导体器件阵列。该半导体器件阵列，包括：多个支路，多个支路中的每个支路沿半导体器件阵列的行方向延伸，每个支路包括多个并联的半导体器件；多个源线，多个源线沿第一方向延伸与半导体器件的源极相连；多个字线，多个字线沿第二方向延伸与半导体器件的栅极相连，其中第二方向不同于第一方向。
半导体器件阵列

[发明专利]闪存芯片的控制方法、终端-CN201810872085.0有效
发明人：王绍迪;郭昕婕 -专利权人：北京知存科技有限公司
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种闪存芯片的控制方法、终端，涉及闪存技术领域，可以在闪存芯片中直接进行数据的计算，从而分担了处理器的工作，进而提高了整体计算体系结构的性能。闪存芯片的控制方法包括：响应于控制命令中的计算指令，基于地址信号控制闪存模块对待处理数据进行计算；响应于控制命令中的闪存编程指令，基于地址信号控制闪存模块对待处理数据进行数据的写入或擦除；响应于控制命令中的读取指令，基于地址信号对闪存模块中的数据进行读取。
闪存芯片控制方法终端

[实用新型]闪存芯片-CN201821242491.0有效
发明人：王绍迪;郭昕婕 -专利权人：北京知存科技有限公司
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种闪存芯片，涉及闪存技术领域，可以在闪存芯片中直接进行计算和数据存储，从而分担了处理器的工作，进而提高了整体计算体系结构的性能。闪存芯片包括：闪存阵列模块，由多个阈值电压可调的可编程半导体器件组成，用于在计算模式下对接收的模拟数据进行计算，在编程模式下进行数据编程；模式控制器，用于根据待处理数据控制闪存阵列模块的工作模式；编程电路模块，用于在模式控制器的控制下调控可编程半导体器件的阈值电压；计算控制模块，用于在模式控制器的控制下控制闪存阵列模块进行计算。
闪存芯片闪存阵列模块模式控制器可编程半导体器件阈值电压计算控制模块本实用新型待处理数据编程电路编程模式工作模式计算模式模拟数据闪存技术数据编程数据存储体系结构整体计算可调的处理器分担调控

[实用新型]一种数字模拟转换电路、存储装置-CN201821242495.9有效
发明人：王绍迪;郭昕婕 -专利权人：北京知存科技有限公司
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H03M1/68 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种数字模拟转换电路、存储装置，主要用于信号处理系统，包括：多个数字信号输入端、多个阈值电压可调的可编程半导体器件、偏置电压输入端以及模拟信号输出端；多个可编程半导体器件的栅极与多个数字信号输入端一一对应连接，漏极均连接至偏置电压输入端，源极均连接至模拟信号输出端，可编程半导体器件可采用浮栅晶体管实现。其中，通过控制浮栅晶体管中的浮栅电子数量，调节浮栅晶体管的阈值电压，实现数字模拟转换功能。本实用新型电路结构简单、元器件数量少、电路面积小，并且因为可编程半导体器件的响应速度快、功耗低，所以整个数字模拟转换电路的时延较小、功耗较低。
可编程半导体器件数字模拟转换浮栅晶体管电路模拟信号输出端偏置电压输入端数字信号输入端本实用新型存储装置阈值电压功耗信号处理系统电路结构可调的元器件浮栅漏极时延源极响应

[发明专利]闪存芯片-CN201810872152.9在审
发明人：王绍迪;郭昕婕 -专利权人：北京知存科技有限公司
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供一种闪存芯片，涉及闪存技术领域，可以在闪存芯片中直接进行计算和数据存储，从而分担了处理器的工作，进而提高了整体计算体系结构的性能。闪存芯片包括：闪存阵列模块，由多个阈值电压可调的可编程半导体器件组成，用于在计算模式下对接收的模拟数据进行计算，在编程模式下进行数据编程；模式控制器，用于根据待处理数据控制闪存阵列模块的工作模式；编程电路模块，用于在模式控制器的控制下调控可编程半导体器件的阈值电压；计算控制模块，用于在模式控制器的控制下控制闪存阵列模块进行计算。
闪存芯片闪存阵列模块模式控制器可编程半导体器件阈值电压计算控制模块待处理数据编程电路编程模式工作模式计算模式模拟数据闪存技术数据编程数据存储体系结构整体计算可调的处理器分担调控

[发明专利]一种数字模拟转换电路、控制方法、存储装置-CN201810872153.3在审
发明人：王绍迪;郭昕婕 -专利权人：北京知存科技有限公司
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H03M1/68 文献下载
摘要：本发明提供了一种数字模拟转换电路、控制方法及存储装置，主要用于信号处理系统，包括：多个数字信号输入端、多个阈值电压可调的可编程半导体器件、偏置电压输入端以及模拟信号输出端；多个可编程半导体器件的栅极与多个数字信号输入端一一对应连接，漏极均连接至偏置电压输入端，源极均连接至模拟信号输出端，可编程半导体器件可采用浮栅晶体管实现。其中，通过控制浮栅晶体管中的浮栅电子数量，调节浮栅晶体管的阈值电压，实现数字模拟转换功能。本发明电路结构简单、元器件数量少、电路面积小，并且因为可编程半导体器件的响应速度快、功耗低，所以整个数字模拟转换电路的时延较小、功耗较低。
可编程半导体器件数字模拟转换浮栅晶体管电路模拟信号输出端偏置电压输入端数字信号输入端存储装置阈值电压功耗信号处理系统电路结构可调的元器件浮栅漏极时延源极响应

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