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[发明专利]一种基于沸石咪唑酯骨架-67/酵母复合结构的高负载单原子催化剂制备方法-CN202210377569.4有效
发明人：徐小龙;吴硕;周国伟;郝霄鹏 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明属于功能材料化学技术与碳基纳米材料技术领域，尤其涉及一种基于沸石咪唑酯骨架‑67/酵母复合结构的高负载单原子催化剂制备方法。本发明所述方法以食用酵母细胞为矿化剂和宿主选择吸收和定点螯合Co2+离子，然后，与2‑甲基咪唑结合形成沸石咪唑酯骨架‑67/酵母复合结构，惰性气氛下热处理形成高负载的Co‑N‑C单原子催化剂。本发明采用沸石咪唑酯骨架‑67/酵母复合结构双向锚定过渡金属离子增加活性位点，热处理形成Co‑N‑C单原子催化剂，可显著提高Co‑N‑C活性原子负载量，为高负载Co‑N‑C单原子催化剂制备提供了理论基础和技术支撑。
一种基于咪唑骨架 67 酵母复合结构负载原子催化剂制备方法

[发明专利]一种用于制备氮化铝预制料的坩埚装置-CN202210257438.2有效
发明人： 郝霄鹏;要笑刚;邵永亮;吴拥中;杨铭志 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制备氮化铝预制料的坩埚装置，该装置由坩埚和坩埚组件组成，坩埚由坩埚体和坩埚盖组成，坩埚体内侧表面固定有坩埚组件；所述的坩埚组件为中空两端开孔结构，上、下两端厚，中间薄。本发明通过在坩埚内壁上设置有温场统一装置坩埚组件，在用于制备氮化铝生长所用的预制料源的过程中能提供更加稳定一致的温场，从而能够使得在制备氮化铝生长所用的预制料源的过程中，获得致密度，晶体化程度，纯度不同等物理化学性质更加统一的预制料源，在晶体生长过程中，提供稳定统一的原料来源，得到质量更高的晶体，结构简单，可以重复使用，成本低廉。
一种用于制备氮化预制坩埚装置

[发明专利]一种通过设置温度梯度制备自支撑氮化镓体块单晶的方法-CN202210931301.0有效
发明人：胡海啸;张保国;邵永亮;吴拥中;郝霄鹏 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过设置温度梯度制备自支撑氮化镓体块单晶的方法，将籽晶固定在HVPE生长系统的衬底并置于高温生长区，籽晶与NH3出气口距离为5~20cm，控制籽晶与氨气出气口的温度梯度；升温至所需温度，通入氯化氢与Ga反应生成氯化镓，运输至高温生长区，与氨气反应外延生长GaN，温度梯度为‑2~2℃，反应1~2h后停止通氯化氢，调整温度梯度为‑3~3℃/cm，高温退火，继续通氯化氢，GaN继续外延生长1‑2 h，调整温度梯度为‑3‑3℃/cm，保温1~2h，再次通氯化氢，GaN外延生长2~48h，关闭氯化氢，系统降至室温。本发明通过多温区控温形成不同温度梯度生长的方法，改变高温生长区的温度梯度，改变了生长GaN单晶的表面形貌及晶体质量，节省时间和生产成本，获得了自支撑GaN体块单晶。
一种通过设置温度梯度制备支撑氮化镓体块单晶方法

[发明专利]一种尾纱清除机尾纱收集输送管道自由切换装置-CN201611270771.8有效
发明人：曹友常;张淑红;郝霄鹏;邢承凤;杨琳 -专利权人：天津宏大纺织机械有限公司
申请日： 2016-12-31 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： B65H73/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种尾纱清除机尾纱收集输送管道自由切换装置，包括一个固定支架、一个三通、两个直通和开关板；两个直通与三通的直通管同轴于直线L1；三通的直通管与两端的直通之间设有间隙；三通的直通管的外围布置有与两处间隙分别对正的两个导向结构；开关板为凹字型弯板，开关板的两个侧板平行，一个侧板上设有第一圆孔，另一个侧板上设有第二圆孔；开关板的两个侧板的厚度略小于上述间隙，开关板的两个侧板插嵌在两个导向结构中，开关板连接有驱动装置，驱动装置带动开关板沿导向结构移动，开关板上的第一圆孔或第二圆孔的轴线与直线L1重合，可以选择尾纱输送口与人工回收装置还是与自动回收管道接通，从而提高尾纱回收利用率。
一种清除机尾收集输送管道自由切换装置

[发明专利]一种用于提高物质传输效率的坩埚装置及其应用-CN202210257423.6在审
发明人： 郝霄鹏;要笑刚;邵永亮;吴拥中 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于提高物质传输效率的坩埚装置及其应用，该装置由坩埚和加热组件组成，坩埚由坩埚体和坩埚盖组成，坩埚体和坩埚盖之间形成坩埚空腔；所述的加热组件位于坩埚空腔内，由加热体和支撑板组成，加热体固定在支撑板上，支撑板与坩埚体下底面接触，使热量传输至加热体上。本发明所述的装置能够大幅度的提高坩埚装置中心的温度，无须额外的加热设备即可对坩埚体中的中心区域的氮化铝多晶料进行加热，使得坩埚装置内的氮化铝多晶料受热更加均匀，有效的提高物质传输效率，提高氮化铝多晶料的利用率，有利于大尺寸的氮化铝晶体的生长。
一种用于提高物质传输效率坩埚装置及其应用

[发明专利]一种多步连续调控直接生长自剥离氮化镓的方法-CN202110701740.8有效
发明人：张保国;邵永亮;胡海啸;郝霄鹏;吴拥中;吕洪 -专利权人：齐鲁工业大学;山东加睿晶欣新材料股份有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种多步连续调控直接生长自剥离氮化镓的方法，包括如下步骤：生长用GaN衬底在多温区多气氛的管式生长炉中的装配；GaN衬底在高温下氧化性气氛中氧化制备表面具有氧化镓层的衬底；具有氧化镓层的GaN衬底在腐蚀气体气氛中干刻蚀制备多孔GaN衬底；多孔GaN衬底上生长GaN单晶；生长工艺结束后控制氨气通入量实现界面出GaN分解；降温后烘箱静置得到自剥离GaN单晶。
一种连续调控直接生长剥离氮化方法

[发明专利]阻碍半极性面氮化镓生长并制备自剥离氮化镓晶体的方法-CN202110701742.7有效
发明人：邵永亮;张保国;胡海啸;郝霄鹏;吴拥中;吕洪 -专利权人：齐鲁工业大学;山东加睿晶欣新材料股份有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻碍半极性面氮化镓生长并制备自剥离氮化镓晶体的方法，包括以下步骤：制备具有倒六棱锥结构、暴露出半极性面的GaN晶体；可还原的金属盐溶液或金属盐熔液在GaN非极性面电解还原得到对应金属；以及在GaN晶体生长过程中，电沉积金属阻碍非极性面GaN生长，产生空隙进而在降温过程中由于应力作用得到自剥离GaN晶体。通过在半极性面沉积金属的方法，仅在样品半极性面形成了阻碍结构，借助空位辅助分离原理，制备的处理衬底在后期生长GaN体单晶过程中，有助于缓解晶体中的应力和实现晶体的自剥离。
阻碍极性氮化生长制备剥离晶体方法

[实用新型]一种食用菌培养基灭菌设备-CN202121847312.8有效
发明人： 郝霄鹏 -专利权人：鄂尔多斯职业学院
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： A01G18/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了培养基的灭菌技术领域的一种食用菌培养基灭菌设备，包括设备整体，设备整体内壁两端呈左右对称式开设有滑槽，设备整体内部呈上下对称式设有放置板，放置板两端呈左右对称式固定连接有滑轮，滑轮与滑槽内部滑动连接；设备整体内壁两端呈左右对称式固定连接有固定块，固定块底部铰接有转轴，转轴两端固定连接有扭簧，本实用新型中，在设备整体内部安装有放置食用菌的放置板，通过滑轮和滑槽相互配合来让放置板实现在设备整体内部进行来回滑动，从而可以实现将放置板从设备整体内部拉出，以便于对食用菌的放置或是取出，从而有效的提升设备整体内部食用菌放置的便携性，为后期食用菌的培养基灭菌提供了方便。
一种食用菌培养基灭菌设备

[发明专利]高温热处理辅助二维涂覆掩模衬底生长氮化镓单晶的方法-CN202111128254.8在审
发明人：张保国;邵永亮;胡海啸;郝霄鹏;吴拥中;吕洪 -专利权人：齐鲁工业大学;山东加睿晶欣新材料股份有限公司
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温热处理辅助二维涂覆掩模衬底生长氮化镓单晶的方法，包括如下步骤：制备浓度适宜的二维材料纳米片溶液；对二维材料纳米片溶液进行粘度调控，制备前驱体溶液；使用旋涂仪将前驱体溶液均匀涂覆在衬底上；将二维材料涂覆的衬底放入气氛炉中在惰性气体气氛下进行高温热处理；将制备的高温热处理辅助二维涂覆掩模衬底装入生长炉中进行晶体生长；生长结束后降温得到低应力、自剥离的GaN单晶；二维材料先转移到衬底上形成了涂覆掩模，之后在没有二维涂覆层材料的区域优先成核，并依靠横向外延扩展至整个区域；在晶体持续的生长过程，二维涂覆层材料有效阻断了位错在晶体中的延伸，进而提高晶体质量。
高温热处理辅助二维涂覆掩模衬底生长氮化镓单晶方法

[实用新型]一种食用菌菌种的培养设备-CN202121968869.7有效
发明人： 郝霄鹏 -专利权人：鄂尔多斯职业学院
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： A01G18/60 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种食用菌菌种的培养设备，涉及食用菌菌种培养技术领域，包括箱体内设有隔板，箱体内转动连接有螺纹轴，箱体内底壁设有安装块，螺纹轴一端可转动的贯穿安装块和箱体第三侧内壁，隔板上设有两个条形口，螺纹轴两段螺纹旋向处分别螺接套设有滑块，滑块顶端可滑动的贯穿条形口连接有弧形块，弧形块内壁设有凹槽，两个弧形块之间设有培养板，培养板侧壁设有环形板，环形板在凹槽内可转动的滑动连接，箱体第二侧壁分别设有换气装置和控温装置，换气装置顶壁设有换气管，换箱体内侧壁壁均设有恒温板，恒温板与控温装置电性连接；本实用新型有利于根据培养板进行调整，方便转动，方便查看菌种。
一种食用菌菌种培养设备

[发明专利]覆陶高温合金静叶片-CN201910821113.0有效
发明人：于铠瑞;郝霄鹏;王文 -专利权人：上海大学
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： F01D9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种覆陶合金静叶片，包括高温合金坯体、高温合金冷却管网、陶瓷复合材料过渡层、陶瓷层。高温合金坯体是钴基或镍基高温合金铸造而成，合金坯体有冷却通道，通道的表面冷却孔处均铸造有凸起框架，冷却管网由同材质的高温合金冷却管编织成网状，凸起框架和网状结构连接形成悬浮在坯体外的一层结构。陶瓷过渡层喷涂在此坯体和网状结构上。陶瓷层、过渡层、网状结构和高温合金胚体形成静叶。网状结构可以增加陶瓷结合厚度，过渡层和网状结构抵消热冲击时的应力。本发明可提高涡轮入口温度和涡轮机械的效率，延长其使用寿命。
高温合金叶片

[发明专利]硼碳氮电催化材料及其制备方法和在氮还原合成氨中的应用-CN201910583136.2有效
发明人：吴拥中;常彬;郝霄鹏;史栋 -专利权人：山东大学
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：一种硼碳氮电催化材料及其制备方法和在氮还原合成氨中的应用，所述硼碳氮电催化材料具有纳米尺度的镂空网格形貌结构，均匀分布在可裁剪的碳纸衬底上，其制备方法为(1)将尿素、硼酸和聚乙二醇完全溶解于去离子水中，加入碳纸衬底，使碳纸衬底上分布上硼酸、尿素和聚乙二醇的混合物，将碳纸衬底蒸干水分；(2)将碳纸衬底置于置于程序升温管式炉中，在氩气气氛下，煅烧得到硼碳氮电催化合成氨材料。本发明的材料具有稳定性强、耐化学腐蚀、耐高温及电导性好等特征，可在较低电压下实现电催化还原N2至NH3，催化稳定性良好。该催化材料的原料低廉易得、合成工艺简单、容易大规模生产，催化性能优越，十分适于在电催化合成氨领域中应用。
硼碳氮电催化材料及其制备方法还原合成氨中的应用

[发明专利]一种碳化钛复合磷掺杂氧化钨光电催化剂及其制备方法-CN201910203065.9有效
发明人：吴拥中;常彬;郝霄鹏 -专利权人：山东大学
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化钛复合磷掺杂氧化钨光电催化材料及其制备方法。该材料为纳米片结构，化学式为Ti3C2@P‑WO3；首先将Ti3C2与钨酸盐溶液超声混合均匀后酸化得到前驱体，然后将前驱体置于惰性气氛下低温磷化，即得到终产物。氧空位与掺杂元素磷的存在使该系列材料具有良好的可见光‑近红外光吸收，Ti3C2的存在抑制了光生电子‑空穴的复合。Ti3C2@P‑WO3材料本征具有一定的电催化产氢反应(HER)活性，而在光照条件下，其产氢效率大幅提升至接近贵金属Pt性能。该催化材料制备方法简单易操作，生产成本低廉，光照条件下电催化产氢性能优越，在光电协同能源转化领域中有非常大的应用价值。
一种碳化复合掺杂氧化钨光电催化剂及其制备方法

[发明专利]一种刀库用滑块递推刀具传动系统-CN201910353618.9有效
发明人：陈晓萌;王文;郝霄鹏 -专利权人：上海大学
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： B23Q3/157 文献下载
摘要：本发明涉及一种刀库用滑块递推式刀具传动系统。它包括支撑部件、传动部件、导轨部件和刀套组部件。用于数控加工中金刀套组部件位于导轨部件中，刀套组部件按照导轨部件轨迹运动；导轨部件通过螺栓连接的方式固定在支撑部件上；传动部件为刀套组部件提供动力，传动部件中的链轮轮齿拨动刀套组部件中的滑块运动，滑块带动刀套运动，刀套用于固定刀具实现机械手刀库中刀具的传动。本发明用滑块导轨结构代替链轮传动方式，克服了链传动存在的多边形效应，降低振动，并且降低了零件数量，节省空间，便于安装与运输。
一种刀库用滑块递推刀具传动系统

[发明专利]一种用于氮化铝单晶生长的籽晶粘接方法-CN201910015993.2有效
发明人： 郝霄鹏;王国栋;张雷;吴拥中;邵永亮 -专利权人：山东大学
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：一种用于氮化铝单晶生长的籽晶粘接方法，包括(1)将铝酸盐粉末与无机聚合物粘结剂混合均匀，制成无机胶；(2)将无机胶均匀涂到衬底上；(3)将直径为5‑300mm，厚度为0.1‑5mm的AlN籽晶置于衬底上的无机胶上；(4)将粘接好的籽晶先在10‑80N压力下室温放置5～20小时；(5)然后将籽晶和衬底一同放入50‑300℃烘箱中加热1‑12h后，缓慢降温，最终籽晶和衬底紧密粘合。本发明无需特殊复杂工艺使大尺寸AlN籽晶牢固粘接在衬底上，不易产生空隙，且能经受2200℃以上高温，籽晶不脱落，工艺简单，成本低，在粘结籽晶上能够生长出高质量AlN单晶，适合于批量生产。
一种用于氮化铝单晶生长籽晶方法

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