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[发明专利]基于形变应力导致In2Se3相变的铁电存储器件及其制备方法-CN202310253784.8在审
发明人：李调阳;王明;郝祥宇;吴宇晗 -专利权人：福州大学
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于形变应力导致In2Se3相变的铁电存储器件及其制备方法。二维铁电半导体三硒化二铟(In2Se3)采用化学气相沉积(CVD)法生长，通过将前驱体独立放置的方式制备高质量的β'‑In2Se3；基于周期性排列的多孔AAO模板制备表面凹凸不平的微结构阵列，采用水相转移技术将β'‑In2Se3无损转移至目标衬底，所述目标衬底一侧有微结构阵列，另一侧为平滑表面；利用微结构阵列对其上In2Se3产生形变应力，导致In2Se3从β'相转变到α相，在交界处形成β'‑α In2Se3异相同质结；采用微纳加工工艺制备成异相同质结铁电存储器件，相对于单相器件，β'‑α In2Se3异相同质结可提升器件的存储窗口和保持性，在存储领域具有很好的应用前景。
基于形变应力导致 in2se3 相变存储器件及其制备方法

[发明专利]基于二维层状半导体α-In2Se3的铁电存储器件及其制备方法-CN202310250279.8在审
发明人：李调阳;吴宇晗;郝祥宇;王明;阙珍妮 -专利权人：福州大学
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于二维层状半导体α‑In2Se3的铁电存储器件及其制备方法，所述铁电存储器件为通过微纳加工工艺制备而成的FeFET，包括上表面生长有高k介质层的硅衬底，硅衬底作为栅电极，高k介质层上方设置二维层状半导体α‑In2Se3，源、漏电极与α‑In2Se3两端接触；通过垂直栅电场调控FET开关，也通过栅电场控制α‑In2Se3铁电极化方向翻转，对FeFET进行信息存储；所述二维层状半导体α‑In2Se3采用化学气相沉积法生长，生长衬底为云母，通过优化生长参数来调控单晶α‑In2Se3的尺寸及层数，而后转移至生长有高k介质层的硅衬底上。该器件可将铁电存储与二维层状半导体的优势结合，应用于构建存算一体芯片。
基于二维层状半导体 in2se3 存储器件及其制备方法

[发明专利]基于A-D-A’-D-A型引达省并噻吩衍生单元非共轭聚合物及其制备方法-CN202111207772.9有效
发明人：邓平;郝祥宇;林珍松 -专利权人：福州大学
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及基于A‑D‑A’‑D‑A型引达省并噻吩衍生单元非共轭聚合物及其制备方法。所述共轭聚合物的结构式如下：;其中，R为C2～C18烷基，X可取1~12，n≥1。聚合物主链A‑D‑A’‑D‑A结构呈平面性刚性骨架，将SP3杂化的非共轭烷基链引入聚合物分子主链使本发明在四氢呋喃、氯仿、氯苯等有机溶剂可充分溶解，为其溶液加工成膜创造了基础条件。本发明中的基于A‑D‑A’‑D‑A型引达省并噻吩衍生单元非共轭聚合物具有在可见‑近红外区宽而强的吸收。本发明作为半导体活性层受体材料在聚合物太阳能电池器件中有潜在的应用前景，有望获得高的太阳能电池的光电转化效率。
基于型引达省噻吩衍生单元共轭聚合物及其制备方法

[发明专利]一种含苝二酰亚胺单元的单组分活性层光伏材料-CN202010062507.5有效
发明人：邓平;蔡洋;朱笔李;林珍松;郝祥宇 -专利权人：福州大学
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种含苝二酰亚胺单元的单组分活性层光伏材料及其制备、用途。所述单组分活性层光伏材料的结构式如下：，其中，R为不同长度的烷基链，Ar为不同的芳基官能团，n0。本发明涉及的含苝二酰亚胺单元的单组分活性层光伏材料，结构特征是给体聚合物为骨架，受体苝二酰亚胺单元为片段，通过连接单元连接在一个分子中，为典型的双揽共轭聚合物。该双揽型共轭聚合物作为单组分活性层光伏材料应用在有机太阳能电池中，器件研究表明这类材料具有有机太阳能电池器件的应用潜力。
一种含苝二酰亚胺单元组分活性层光伏材料

[发明专利]基于吲哚酮与萘二酰亚胺单元的共轭聚合物及其制备方法-CN202010958174.4有效
发明人：邓平;林珍松;郝祥宇 -专利权人：福州大学
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及基于吲哚酮与萘二酰亚胺单元的共轭聚合物及其制备方法。所述共轭聚合物的结构式如下：其中，R1，R2,R3为支化烷基链，n≥1。本发明还涉及基于吲哚酮与萘二酰亚胺单元的共轭聚合物的制备方法。本发明中的基于吲哚酮与萘二酰亚胺单元的共轭聚合物具有在可见‑近红外区宽而强的吸收。萘二酰亚胺以及吲哚酮上的侧链烷基为本发明提供良好的溶解度因此该材料可溶液加工。本发明中基于吲哚酮与萘二酰亚胺单元的共轭聚合物通过碳氢活化聚合而成。该方法合成步骤简单、且无金属副产物，能获得较高的分子量、较少的结构缺陷的聚合物。本发明所涉及聚合方法符合环保、经济的绿色化学原则。
基于吲哚萘二酰亚胺单元共轭聚合物及其制备方法