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[发明专利]一种CuI:Cl-PS复合闪烁体及其制备方法和应用-CN202111004891.4有效
发明人：刘小林;郝书童;顾牡 -专利权人：同济大学
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种CuI:Cl‑PS复合闪烁体及其制备方法和应用，包括以下步骤：将CuI与CuCl粉末按一定比例充分研磨混合；将混合粉末放置于管式退火炉中进行固相反应，使用氩气作为保护气氛；取出反应后的CuI:Cl粉末并进行研磨、干燥；将CuI:Cl和聚苯乙烯粉末倒入一定量的甲苯中，充分搅拌至PS粉末完全溶解；将混合物倒入模具中，密封保存；将模具放入通风橱中，进行蒸发干燥；对干燥后的复合物进行脱模、切割和抛光；将复合片放入干燥箱中进行退火，最终得到CuI:Cl‑PS复合闪烁体。与现有技术相比，本发明具有制备方法简单、对设备要求低、发光稳定性好等优点。所制备的CuI:Cl‑PS复合闪烁体可用于超快硬X射线的探测与成像。
一种 cui cl ps 复合闪烁及其制备方法应用

[发明专利]像素化结构ZnO:Ga单晶纳米棒阵列α粒子闪烁转换屏及其制备方法和应用-CN201910682302.4有效
发明人：刘小林;李乾利;郝书童;顾牡 -专利权人：同济大学
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种像素化结构ZnO:Ga单晶纳米棒阵列α粒子闪烁转换屏及其制备方法和应用，该α粒子闪烁转换屏包括镀有ZnO种子层薄膜的基片、垂直于基片在ZnO种子层薄膜上生长出的ZnO:Ga单晶纳米棒阵列和蒸镀于ZnO:Ga单晶纳米棒阵列上的铝膜，ZnO:Ga单晶纳米棒阵列的ZnO的晶格中掺杂有氢原子；可应用于高空间和时间分辨率、高信噪比的α粒子探测与成像，尤其是氘氚反应快中子伴随α粒子探测与成像的探测器中。与现有技术相比，本发明的α粒子闪烁转换屏具有发光衰减时间快，空间分辨率高，信噪比高，组份稳定、厚度均匀，附着基底牢固，结构简单、易制备且成本低等优点。
像素结构 zno ga 纳米阵列粒子闪烁转换及其制备方法应用