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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于存储器装置的电极结构及相关联装置和系统-CN202210319741.0在审
发明人： 郑鹏园;Y·J·胡 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开涉及用于存储器装置的电极结构及相关联装置和系统。本文中公开具有用热循环增加电阻率的电极结构的存储器装置及相关联系统和方法。在一些实施例中，存储器装置包含存储器元件及电耦合到所述存储器元件的电极结构。所述电极结构可包含包括钨、硅、及锗的组合物的材料。
用于存储器装置电极结构相关系统

[发明专利]具有经优化电阻层的存储器-CN202110863427.4在审
发明人：韦磊;郑鹏园;凯文·李·拜克;E·S·埃格;A·T·巴顿;R·维尼加拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本申请涉及一种具有经优化电阻层的存储器。存储器系统可包含可使用存取线中的单独电阻层沉积在存储器单元和导电通孔上方的单独量或类型的电阻材料。可在执行用于沉积所述导电通孔的阵列终止蚀刻之前在所述存储器单元上方沉积第一电阻材料层。所述阵列终止蚀刻可去除在用于沉积所述导电通孔的阵列的部分上方的所述第一电阻材料。可在所述蚀刻已发生且所述导电通孔已被形成之后沉积第二电阻材料层。可在所述导电通孔上方沉积所述第二电阻材料层。
具有优化电阻存储器

[发明专利]复合电极材料化学-CN202110164115.4在审
发明人： 郑鹏园;E·瓦雷西;L·弗拉汀;D·柯林斯;Y·J·胡 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本申请涉及复合电极材料化学。存储器器件可以包含：存取线；存储元件，所述存储元件包括硫族化物；以及电极，所述电极与所述存储器元件和所述存取线耦接。所述电极可以由掺杂有第二材料的第一材料的组合物制成。所述第二材料可以包含钽‑碳化合物。在一些情况下，所述第二材料可以操作以相对于所述存储元件呈化学惰性。与所述第一材料的电阻相比，所述第二材料可以包含热稳定的电阻率并且对跨所述存储元件的操作温度范围在所述存取线与所述存储元件之间传送的信号具有较低电阻。
复合电极材料化学

[发明专利]用于存储器单元的电极的制造-CN201980037994.5在审
发明人： 郑鹏园;永军·J·胡;Y·吉恩;李红旗;A·戈蒂 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：描述了用于制造存储器单元的方法、系统和装置。电极层在形成之后可具有初始厚度变化。可在形成存储器单元的附加层之前使所述电极层平滑，从而减小所述厚度变化。所制造的后续层的厚度变化可取决于所述电极层的所述厚度变化。通过在形成所述后续层之前减小所述电极层的所述厚度变化，所述后续层也可以具有减小的厚度变化。所述后续层的所述减小的厚度变化可影响由所述后续层形成的存储器单元的电性能。在一些情况下，所述后续层的所述减小的厚度变化可允许此类存储器单元的更可预测的电压阈值，从而增加了所述存储器单元的读窗口。
用于存储器单元电极制造

[发明专利]用于减小压缩应力的原子植入-CN202010603227.0在审
发明人：王宜平;徐才志;郑鹏园;芮莹;R·A·本森;Y·J·胡;J·戈斯瓦米 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：描述了与用于减小压缩应力的原子植入有关的系统、设备和方法。一种示例性方法可以包含：对半导体的工作表面进行图案化，所述工作表面具有在电介质材料上方形成的硬掩模材料；以及在所述硬掩膜材料上方形成相对于所述硬掩模材料的折射率RI具有较低RI的材料。所述方法可以进一步包含将原子通过所述较低RI材料植入所述硬掩模材料中以减小所述硬掩模材料中的所述压缩应力。
用于减小压缩应力原子植入

[发明专利]具有高电阻率热障壁的存储器装置-CN202010348659.1在审
发明人： D·R·埃科诺米;郑鹏园 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本申请案涉及具有高电阻率热障壁的存储器装置。在一些实例中，障壁材料可以定位于存储器单元区、氧化物区和/或硅穿孔TSV上方。所述障壁可包含所述存储器单元区上方的第一区和所述TSV上方的第二区。可对所述障壁施加例如等离子体处理的工艺，这可导致所述第一区和第二区具有不同热电阻率(例如，不同密度)。因此，由于所述不同热电阻率，所述存储器单元可热隔绝于在所述存储器装置中生成的热能。
具有电阻率热障存储器装置

[发明专利]具有低密度热屏障的存储器装置-CN202010356225.6在审
发明人： 郑鹏园;D·R·埃科诺米;Y·J·胡;K·H·庄;R·K·格拉布斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种具有低密度热屏障的存储器装置。所述热屏障(例如，低密度热屏障)可定位于存取线(例如，数字线或字线)与单元组件之间。所述热屏障可通过对屏障材料应用等离子体处理形成于所述屏障材料的表面上。所述热屏障可具有比所述屏障材料低的密度，且可经配置以使所述单元组件与所述存储器装置中生成的热能热绝缘，以及其它益处。
具有密度屏障存储器装置

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