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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202310670962.7在审
发明人：江国诚;陈冠霖;朱熙甯;郑嵘健;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体器件包括形成在衬底上方的第一纳米结构的第一垂直堆叠件；与第一垂直堆叠件相邻的第二纳米结构的第二垂直堆叠件；以及与第一纳米结构相邻的第一栅极结构。第一栅极结构包括位于第一纳米结构之间的第一栅极部分，以及从第一栅极部分的第一侧壁延伸至第一栅极部分的第二侧壁的第二栅极部分。第二侧壁位于第一侧壁和衬底之间，并且第二栅极部分为与第一栅极部分不同的材料。第二栅极结构与第二纳米结构相邻，以及第二壁结构位于第二栅极部分和第二栅极结构之间。本发明的实施例还提供了形成半导体器件的方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202310537785.5在审
发明人： 郑嵘健;江国诚;朱熙甯;陈冠霖;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体衬底；第一晶体管，包括位于半导体衬底上方的多个第一堆叠的沟道；第二晶体管，包括位于半导体衬底上方的多个第二堆叠的沟道；隔离结构，包括位于第一堆叠的沟道和第二堆叠的沟道之间的芯介电层；以及高K栅极介电层，位于第一堆叠的沟道和第二堆叠的沟道上、并且位于第一堆叠的沟道和芯介电层之间的、以及第二堆叠的沟道和芯介电层之间的芯介电层的侧壁上。本发明的实施例还提供了形成半导体器件的方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202310174729.X在审
发明人：游家权;张家豪;江国诚;王志豪;许祝源;陈冠霖;朱熙甯;郑嵘健 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：器件包括衬底上方的纳米结构的第一垂直堆叠件、衬底上方的纳米结构的第二垂直堆叠件、邻接纳米结构的第一垂直堆叠件的第一源极/漏极区域、邻接纳米结构的第二垂直堆叠件的第二源极/漏极区域、环绕第一垂直堆叠件的纳米结构的第一栅极结构、环绕第二垂直堆叠件的纳米结构的第二栅极结构、位于第一和第二源极/漏极区域上方的介电层，以及从介电层的上表面延伸至第一和第二源极/漏极区域的上表面下方的水平的隔离结构，该隔离结构位于第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之间。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件结构及其形成方法-CN202210713979.1在审
发明人： 郑嵘健;江国诚;朱熙甯;陈冠霖;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了半导体器件结构。半导体器件结构包括在垂直方向上堆叠在衬底上方的多个第一纳米结构。半导体器件结构包括围绕第一纳米结构的栅极结构，以及与栅极结构相邻的S/D结构。半导体器件结构还包括形成在栅极结构和S/D结构之间的内部间隔件层，以及形成在内部间隔件层上方的硬掩模层。硬掩模层位于栅极结构和S/D结构之间，并且与内部间隔件层直接接触。本发明的实施例还提供了形成半导体器件结构的方法。
半导体器件结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202210638956.9在审
发明人：陈冠霖;郑嵘健;江国诚;朱熙甯;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底和形成在衬底上方的第一沟道结构和第二沟道结构。半导体结构还包括形成在第一沟道结构和第二沟道结构之间的介电鳍结构。此外，介电鳍结构包括核心部分和连接至核心部分的第一连接部分。该半导体结构还包括栅极结构，栅极结构包括第一部分。此外，栅极结构的第一部分形成在第一沟道结构周围并且覆盖介电鳍结构的第一连接部分。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体装置结构-CN202210925940.6在审
发明人：陈冠霖;江国诚;朱熙甯;郑嵘健;王志豪;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体装置结构。结构包括介电结构，其包括第一介电层与第二介电层。第一介电层具有相对的第一侧壁与第二侧壁，且第二介电层接触第一侧壁的至少一部分与第二侧壁的至少一部分。结构亦包括第一半导体层与第一侧壁相邻，其中第一半导体层接触第二介电层。结构还包括第一栅极层围绕第一半导体层的至少三表面，其中第一栅极层具有面对第二介电层的表面，且栅极层的表面延伸于第二介电层与第一半导体层之间的界面所定义的平面上。
半导体装置结构

[发明专利]半导体装置-CN202210492419.8在审
发明人：林柏榕;江国诚;朱熙甯;陈冠霖;郑嵘健;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括基板及晶体管。晶体管包括位于基板上方的第一通道区以及与第一通道区接触的源极/漏极区。源极/漏极区具有相对于基板的第一表面以及从第一表面延伸的侧表面。硅化物层设置于源极/漏极区的第一表面及侧表面上。
半导体装置

[发明专利]集成电路-CN202210320257.X在审
发明人：江国诚;朱熙甯;陈冠霖;郑嵘健;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种集成电路，包括在基板上的第一纳米片晶体管及第二纳米片晶体管。第一纳米片晶体管及第二纳米片晶体管各包括栅电极。栅电极隔离结构从基板栅电极之间的背面延伸。栅极隔离结构将第一栅电极与第二栅电极彼此物理和电性隔离。
集成电路

[发明专利]半导体装置结构-CN202210186332.8在审
发明人：陈冠霖;江国诚;朱熙甯;郑嵘健;王志豪;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：结构包含第一介电部件，沿第一方向延伸，第一介电部件具有第一侧和与第一侧相对的第二侧。此结构包含第一半导体层，设置相邻于第一介电部件的第一侧，第一半导体层沿垂直于第一方向的第二方向延伸。此结构包含接触蚀刻停止层，接触第一介电部件和第一半导体层的一部分；层间介电层，接触接触蚀刻停止层和第一半导体层的一部分。此结构还包含第二介电部件，沿第一方向延伸，第二介电部件包括：第一介电层，接触接触蚀刻停止层和第一半导体层的一部分；及第二介电层，接触第一介电层和第一半导体层的一部分。
半导体装置结构

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202210115479.8在审
发明人：江国诚;朱熙宁;陈冠霖;郑嵘健;王志豪;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构及其制造方法。一种半导体结构包括：设置在半导体衬底之上的有效沟道层的第一堆叠和有效沟道层的第二堆叠，其中该第二堆叠包括虚设沟道层，并且该第一堆叠没有任何虚设沟道层；与第一堆叠和第二堆叠接合的栅极结构；以及第一S/D特征和第二S/D特征，该第一S/D特征被设置为与第一堆叠相邻，并且该第二S/D特征被设置为与第二堆叠相邻，其中，第二S/D特征与虚设沟道层交叠。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210084499.3在审
发明人：江国诚;陈燕铭;郑嵘健;王志豪;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：公开了一种半导体结构、半导体器件及其制造方法。一种示例性制造方法包括：在半导体衬底的正面形成第一类型外延层与第二类型外延层的堆叠件；对堆叠进行图案化以形成鳍状结构；在鳍状结构的侧壁上沉积介电层；以及使介电层凹陷以暴露鳍状结构的顶部部分。该凹陷介电层的顶面位于堆叠件的底面上方。该示例性制造方法还包括：在鳍状结构的顶部部分上方形成栅极结构；从半导体衬底的背面蚀刻半导体衬底；以及穿过沟槽蚀刻至少最底第一类型外延层和最底第二类型外延层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件、半导体结构及其形成方法-CN202210098495.0在审
发明人： 郑嵘健;江国诚;朱熙甯;陈冠霖;王志豪;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：提供了半导体器件、半导体结构及其形成方法。在一个实施例中，半导体器件包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括两个第一源极/漏极部件和第一数量的纳米结构，第一数量的纳米结构彼此垂直堆叠并且在两个第一源极/漏极部件之间纵向延伸。第二晶体管包括两个第二源极/漏极部件和第二数量的纳米结构，第二数量的纳米结构彼此垂直堆叠并且在两个第二源极/漏极部件之间纵向延伸。
半导体器件半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构-CN202210001586.8在审
发明人： 郑嵘健;江国诚;朱熙甯;陈冠霖;王志豪;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开提出半导体结构及其制造方法。一示例性的半导体结构包括第一基座部分和第二基座部分，设置在前述第一基座部分和前述第二基座部分之间的一隔离部件，位于前述的隔离部件上方的一中心介电鳍片，位于前述的第一基座部分上方的一第一抗穿通部件，位于前述的第二基座部分上方的一第二抗穿通部件，位于前述第一抗穿通部件上方的第一通道构件堆叠，以及位于前述第一基座部分上方的第二通道构件堆叠。前述的中心介电鳍片设置在前述第一通道构件堆叠和前述第二通道构件堆叠之间，并且设置在前述第一抗穿通部件和前述第二抗穿通部件之间。
半导体结构

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210059692.1在审
发明人：陈冠霖;江国诚;朱熙甯;郑嵘健;王志豪;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：形成半导体器件的方法包括：形成在衬底之上突出的鳍结构，其中，鳍结构包括鳍和位于鳍上面的层堆叠件，其中，层堆叠件包括第一半导体材料和第二半导体材料的交替层；在鳍结构上方形成伪栅极结构；在伪栅极结构的相对侧上的鳍结构中形成开口，其中，开口穿过层堆叠件延伸至鳍中；在开口的底部中形成介电层；以及在介电层上的开口中形成源极/漏极区域，其中，源极/漏极区域通过介电层与鳍分隔开。本申请的实施例还涉及半导体器件。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202110544551.4在审
发明人： 郑嵘健;朱熙甯;陈冠霖;江国诚;王志豪;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：公开了半导体结构及其制造方法。根据本发明的示例性半导体结构包括具有p型阱或n型阱的衬底、位于p型阱上方的第一基部、位于n型阱上方的第二基部、位于第一基部上方的第一多个沟道构件、位于第二基部上方的第二多个沟道构件、设置在第一基部和第二基部之间的隔离部件以及设置在隔离部件的下面的衬底中的深隔离结构。
半导体结构及其制造方法

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