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[实用新型]一种可跟随人体的旋转系统-CN202022823459.5有效
发明人： 郑家贵 -专利权人：四川空度互动科技有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G06F3/01 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可跟随人体的旋转系统，包括体感识别装置、控制电脑、运动控制模块和转动装置；所述体感识别装置与控制电脑连接；所述控制电脑与运动控制模块连接；所述运动控制模块与转动装置连接。本互动旋转系统实现实时跟随人体的功能，跟随实时性好，反应时间在0.3秒以内，互动性强，互动形式新颖有趣，可以用于展览展示，灯会灯组、仿真恐龙、娱乐等多个行业。
一种跟随人体旋转系统

[实用新型]一种用于洗车供水的控制系统-CN201921333305.9有效
发明人： 郑家贵 -专利权人：四川空度科技有限公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： F04B49/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于洗车供水的控制系统，用于对设置在同一现场的多个水泵进行控制，其特征在于，包括：微控制器，多个电机驱动器以及多个保护电路，通信单元，实时时钟模块；各所述电机驱动器以及各所述保护电路与设置在现场的各所述水泵连接，且各所述电机驱动器与所述微控制器连接，所述微控制器与所述实时时钟模块以及所述通信单元连接；微控制器通过所述通信单元与外部设备进行双向通信,并输出控制信号到电机驱动器，所述电机驱动器输出驱动信号通过保护电路后驱动水泵；所述微控制器接收实时时钟模块输入的实时时钟信号。使用方便，易于管控，精确的时间控制，完善的保护措施，可以实现大量水资源的节约。
一种用于洗车供水控制系统

[发明专利]一种演奏扬琴的机器人及控制方法-CN201010181107.2有效
发明人：孙传伦;陈家祥;陈涛;杨军;郑家贵;谭福生 -专利权人：上海电气集团股份有限公司;自贡市挚友科技有限公司
申请日： 2010-05-24 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明公开了一种演奏扬琴的机器人及控制方法，该机器人与上位乐队的控制计算机相连，包括一机器人本体，该机器人本体包括手腕部、身体运行关节部、脸部、扬琴，机器人包括主控制嵌入式电脑装置及分别与该主控制嵌入式电脑装置相连的手腕击打控制伺服系统、身体动作控制伺服系统、脸部表情控制伺服系统以及气源和气压控制系统；方法包括：自检步骤，系统进行自检；复位步骤，对机器人的动作进行复位；执行命令步骤，接受上位系统的控制计算机输出的PC控制命令，根据命令执行相应的操作。本发明能够实现演奏扬琴，高仿真度的拟人外形和拟人的脸部表情和动作；实现了二维精确定位的扬琴的机器人演奏；实现扬琴的快速连续敲击演奏，演奏逼真。
一种演奏扬琴机器人控制方法

[发明专利]一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体薄膜的退火炉结构-CN200910058315.0无效
发明人：雷智;冯良桓;张静全;蔡亚平;武莉莉;李卫;黎兵;郑家贵;蔡伟 -专利权人：四川尚德太阳能电力有限公司
申请日： 2009-02-12 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： F27B9/06 文献下载
摘要：本发明是设计一种能够满足柔性衬底上沉积II-VI族化合物薄膜的退火炉结构。选用移动式近空间退火方式为主，辅以热气流进行对流加热。在一个相对封闭的容器内，安装一个可以快速升降的平面加热板。容器壁为两层结构，中间通水进行冷却，使得容器壁在整个退火过程中保持为冷壁。容器在两端开一狭缝口，便于样品进出。样品放置于一个传输带上，由传输带将样品携带如容器中。快速升降的加热板背向样品的一面由保温材料包裹，避免热量辐射到容器壁，从而升高整个容器内的温度。当其II-VI族化合物薄膜温度上升到其退火温度后，立即提升加热板，从而避免对II-VI族化合物薄膜的柔性衬底加热。
一种化合物半导体薄膜退火炉结构

[发明专利]一种制备碲化镉薄膜太阳电池组件的方法-CN200910058316.5无效
发明人：张静全;冯良桓;雷智;蔡亚平;武莉莉;李卫;黎兵;郑家贵;蔡伟 -专利权人：四川尚德太阳能电力有限公司
申请日： 2009-02-12 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：碲化镉薄膜太阳电池组件，属于新能源材料与器件领域。本发明首先在未经激光刻划的透明导电薄膜玻璃上，沉积硫化镉薄膜、碲化镉薄膜，获得“玻璃/透明导电薄膜/硫化镉/碲化镉”结构，对其进行热处理，然后进行激光刻划，刻掉“透明导电薄膜/硫化镉/碲化镉”，然后进行化学腐蚀，然后在“透明导电薄膜/硫化镉/碲化镉”刻线位置填注低温固化聚酰亚胺，然后沉积背接触层并进行后处理，然后使用激光刻划掉在“透明导电薄膜/硫化镉/碲化镉”刻痕附近刻划掉“硫化镉/碲化镉/背接触层”，沉积金属背电极层，然后使用激光刻划掉“透明导电薄膜/硫化镉/碲化镉”刻痕和“硫化镉/碲化镉/背接触层”刻痕附近的“硫化镉/碲化镉/背接触层/金属背电极”，获得串联集成的碲化镉薄膜太阳电池组件。该方法保证了全干法制备碲化镉薄膜太阳电池组件的工艺中，沉积硫化镉、碲化镉薄膜时可获得质量均匀一致的薄膜，保证了后续含氯化镉气氛中热处理均匀性，同时又不影响单元电池的形成及其串联集成的实现，从而提高了组件的转换效率。
一种制备碲化镉薄膜太阳电池组件方法

[实用新型]一种锑化铝透明薄膜太阳电池-CN200820061642.2无效
发明人：李卫;冯良桓;吕彬;蔡亚平;张静全;黎兵;武莉莉;雷智;郑家贵;孙震;谢晗科 -专利权人：四川大学
申请日： 2008-01-07 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：一种锑化铝透明薄膜太阳电池，属于一种半导体薄膜太阳电池的结构设计。其结构为玻璃/CTO/ZTO/CdS/AlSb/单壁碳纳米管涂层/Ni/Al/MgF₂，即在玻璃上先沉积透明导电膜CZT，然后沉积缓冲层ZTO，接着沉积n型窗口层CdS和p型吸收层AlSb，随后沉积单壁碳纳米管涂层作为透明导电背接触，最后沉积Ni/Al栅线以及MgF₂减反层。采用这种结构设计，可显著提高薄膜太阳电池的光电转换效率。同时，这种结构的太阳电池能以较高的透过率透过大于800nm波长的太阳光，从而被薄膜叠层电池中的底电池有效利用，因此，这种透明电池对薄膜叠层电池的研制具有重要意义。
一种锑化铝透明薄膜太阳电池

[发明专利]超薄石墨片作衬底的碲化镉太阳电池-CN200810044295.7无效
发明人：张静全;雷智;冯良桓;蔡亚平;武莉莉;李卫;黎兵;郑家贵 -专利权人：四川大学
申请日： 2008-04-28 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01L31/045 文献下载
摘要：超薄石墨片作衬底的碲化镉太阳电池，属于新能源材料与器件领域。本发明采用柔性超薄石墨片作为衬底材料，在石墨片上溅射一层铜，进行热处理。铜扩散进入石墨形成掺铜石墨片。在掺铜石墨片上沉积一层碲，再沉积碲化镉并进行退火处理。在碲化镉的沉积及退火处理过程中，在石墨片和碲化镉之间形成重掺杂的CuxTe层而实现柔性石墨衬底与碲化镉之间的欧姆接触。然后依次沉积硫化镉、透明导电薄膜和栅状铝电极获得柔性碲化镉薄膜太阳电池。本发明解决了制备高效柔性碲化镉电池所需的较高工艺温度与常规柔性衬底耐受温度低的矛盾。
超薄石墨衬底碲化镉太阳电池

[发明专利]双层石墨导电膏作为CdTe电池的背电极过渡层结构-CN200810045128.4无效
发明人：雷智;冯良桓;张静全;蔡亚平;李卫;黎兵;武莉莉;郑家贵 -专利权人：四川大学
申请日： 2008-01-07 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：双层石墨导电膏作为CdTe电池的背电极过渡层结构，本项发明所属域为太阳电池。为了解决CdTe薄膜与背电极金属层有良好的欧姆接触，需要在CdTe与背电极金属材料之间加入一层过渡层薄膜。本发明主要是采用对石墨粉添加Te粉和添加Te粉、Cu粉，配成两种不同成份的石墨导电膏，在CdTe表面涂敷第一层石墨粉添加Te粉的石墨导电膏，再涂敷第二层石墨封添加Te粉、Cu粉的导电膏。通过添加Te、Cu金属，改善了石墨导电膏中p型载流子传输特性，显著提高CdTe电池的填充因子，使得CdTe电池的转换效率达到较高水平。采用二层涂敷层，可以有效避免在高温固化中，由于Cu原子扩散作用，给CdTe电池结特性造成的破坏作用。
双层石墨导电作为 cdte 电池电极过渡结构

[发明专利]一种AlSb太阳电池结构-CN200710050020.X无效
发明人：雷智;张静全;冯良桓;蔡亚平;黎兵;李卫;武莉莉;郑家贵 -专利权人：四川大学
申请日： 2007-09-17 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种AlSb太阳电池结构，本项发明所属域为新型能源。利用AlSb的1.6eV能隙宽度，可以充分的将太阳光能转换成电能。但AlSb的电子亲合势为3.6eV，难以找到合适的金属背电极来与之形成欧姆接触。本发明提出一种新的AlSb电池结构。在透明导电玻璃面上，沉积一层ZnS作为电池的窗口层，用p－AlSb作为入射光的吸收层，选用GaSb作为AlSb与背金属电极之间的过渡层，选用Al作为背金属电极。本发明提出的AlSb太阳电池结构，可以充分利用太阳光的335－767nm波段，有效解决AlSb与金属背电极的欧姆接触特性，从而获得高的填充因子和光电转换效率。
一种 alsb 太阳电池结构

[发明专利]半导体薄膜表面刻蚀设备-CN200310110916.4无效
发明人：蔡伟;冯良桓;郑家贵;蔡亚平;武莉莉 -专利权人：四川大学
申请日： 2003-11-12 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明名称为“半导体薄膜表面刻蚀设备”，属于半导体材料和器件的制造设备。本发明是针对大尺寸工件的批量刻蚀和清洗，采用机械操作，以求低成本、高生产效率、持续稳定的运行。其技术特点是：整机由一系列刻蚀、清洗、干燥单元组合成，新型溶液池和干燥台单元的设计，适用各种尺寸和材料的工件刻蚀，可选用多种刻蚀液组合。特殊池盖的设计便于自动操作，适于挥发性或腐蚀性的处理溶液。本发明可用于半导体薄膜器件的化学刻蚀。
半导体薄膜表面刻蚀设备

[发明专利]透明导电膜的等离子体增强化学气相沉积设备-CN200310110912.6无效
发明人：冯良桓;奚建平;雷智;蔡伟;郑家贵;王钒 -专利权人：四川大学
申请日： 2003-11-12 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明名称为“透明导电膜的等离子体增强化学气相沉积设备”，属于光电功能材料的规模化生产设备。本发明为实施特殊金属氧化物薄膜的制造技术，着重解决大面积薄膜的性能优良，厚度均匀及废气排放等问题。其特点在于设置了特殊的均压喷口，用接地电极对射频电极进行充分的屏蔽、安装冷阱捕集反应废气。本发明适用于多种氧化物薄膜的大面积制造。
透明导电等离子体增强化学沉积设备

[发明专利]多片大面积化学浴沉积装置-CN200310110913.0无效
发明人：蔡伟;冯良桓;蔡亚平;郑家贵;李卫;黎兵 -专利权人：四川大学
申请日： 2003-11-12 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： C23C18/00 文献下载
摘要：本发明名称为“多片大面积化学浴沉积装置”，属于半导体薄膜规模化生产设备。本发明为实施化学浴方法，解决一次沉积多片大面积薄膜中的技术关键，具有如下特点：用不锈钢作反应槽，内壁涂覆高化学稳定性高分子材料；使用数个有不同旋转方向的搅拌器，安装在不同深度；反应槽底部有凹形过滤器，废液经过滤后排放；水浴只起保温、控温作用，溶液的加热由石英加热器进行。本发明适用于化学浴沉积半导体薄膜的规模化制造。
大面积化学沉积装置

[发明专利]制备超细柱状铜粉末的方法-CN88105875.0无效
发明人： 郑家贵;冯良桓;唐健;周心明;蔡亚萍;徐晓菲 -专利权人：四川大学
申请日： 1988-03-09 - 公布日： 1992-12-16 - 主分类号： B22F9/16 文献下载
摘要：制备超细柱状铜粉末的方法，是把直径为1000-2000■的铜粒子加入重量浓度为5-10％的铜盐水溶液中，此溶液盛入不导电的容器内，搅拌使铜粒子均匀地悬浮在溶液中，并将溶液固化，在两端加上铜电极，通以电流密度为250-300μ■/cm2的直流电流，通电时间为十几至几十小时，则铜粒子将生长成为柱状微粒，然后使固化电解质液化，用离心机把柱状铜微粒分离出来。本发明容易得到长度与直径之比较大的超细柱状铜粉末，且兼有工艺简单，只须一般设备，无材料损耗等优点。适用于制备具有特殊用途的光电转换材料和光学材料。
制备柱状粉末方法

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