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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包括场隔离层的集成电路器件及其制造方法-CN201910903777.1有效
发明人： 郑元哲;赵学柱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：本发明公开一种集成电路器件，该集成电路器件包括静态随机存取存储器(SRAM)阵列，该SRAM阵列包括：第一至第四有源鳍，沿第一方向彼此平行地延伸；第一栅极线，与第二至第四有源鳍重叠；第二栅极线，在第一方向上与第一栅极线间隔开并与第一至第三有源鳍重叠；第三栅极线，在第一方向上与第一栅极线间隔开并与第四有源鳍重叠；第四栅极线，在第一方向上与第二栅极线间隔开并与第一有源鳍重叠；第一场隔离层，接触第二有源鳍的一端；以及第二场隔离层，接触第三有源鳍的一端。第一至第四栅极线沿与第一方向交叉的第二方向延伸。
包括隔离集成电路器件及其制造方法

[发明专利]具有不平行的主磁阻和参考磁阻的磁随机存取存储器器件-CN200310120433.2有效
发明人： 郑元哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-12-10 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：MRAM器件包括具有表面的MRAM衬底、沿表面延伸的拉长的主磁阻和沿不平行于拉长的主磁阻的表面延伸的拉长的参考磁阻。拉长的参考磁阻沿与拉长的主磁阻垂直的表面延伸。使拉长的主磁阻具有最大电阻或最小电阻，并且使拉长的参考磁阻具有在最大电阻或最小电阻之间的中间的电阻。
具有平行磁阻参考随机存取存储器器件

[发明专利]过滤器滤芯及过滤器-CN200680038436.3有效
发明人：张方;李元鹤;郑元哲 -专利权人：乐金电子（天津）电器有限公司
申请日： 2006-10-23 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： A47L9/10 文献下载
摘要：一种过滤器滤芯(2)包括滤纸筒(8)，及与滤纸筒两端连接的环形上圈(6)、环形下圈(7)。至少在所述环形上圈(6)、环形下圈(7)的外周面，对应于滤纸筒(8)每个褶皱大致中间部位的位置上分别形成有缝隙(C)。滤芯(2)在清洗时可以撑开，使滤纸筒(8)褶皱间的间隔变大，方便了对滤纸筒的清洗。本发明还公开了设有上述滤芯的过滤器。
过滤器

[发明专利]具有直径控制的接触的多位相变随机存取存储器(PRAM)及其制造和编程方法-CN200610172083.8有效
发明人： 郑元哲;金亨俊;李世昊;朴哉炫;郑椙旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-12-29 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种相变随机存取存储器(PRAM)器件，包括：硫化物元件，该硫化物元件包括能够基于加热电流的应用而呈现晶体状态或非晶状态的材料。第一接触，连接到硫化物元件的第一区域，并具有第一横截面。第二接触，连接到硫化物元件的第二区域，并具有第二横截面。硫化物材料的第一可编程体积限定在硫化物元件的第一区域中，第一可编程体积的状态可以根据与第一接触相关联的阻抗来编程。硫化物材料的第二可编程体积限定在硫化物元件的第二区域中，第二可编程体积的状态可以根据与第二接触相关联的第二阻抗来编程。
具有直径控制接触相变随机存取存储器 pram 及其制造编程方法

[发明专利]过滤器的易清洗滤芯-CN200510015529.1无效
发明人：张方;李元鹤;郑元哲 -专利权人：乐金电子（天津）电器有限公司
申请日： 2005-10-21 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： A47L9/12 文献下载
摘要：一种过滤器的易清洗滤芯，过滤器包括：由四周有小孔的圆筒体和底座构成的过滤罩；及过滤罩内的滤芯；滤芯由有多个褶皱结构圆筒状的滤纸筒及与滤纸筒两端连接的环形上圈、环形下圈组成；其环形上圈、环形下圈的内周面和外周面上均分别在与滤纸筒每个褶皱中间部位相对应的位置制有缝隙。缝隙内端部与相对的内周面或外周面有一定距离，此距离内的连接部分使环形上圈、环形下圈各自相连接成一体；由于环形上圈、环形下圈制有多个缝隙，因此环形上圈和环形下圈可以撑开。当滤芯需要清洗时，将滤芯撑开，使滤纸筒褶皱间的间隔变大，方便了清洗滤纸筒上的灰尘，使灰尘能够清除干净，提高了滤纸筒的透气性和过滤效果。
过滤器清洗

[发明专利]具有单元二极管和互相自对准的底电极的相变存储单元及其制造方法-CN200610089834.X无效
发明人：朴哉炫;吴在熙;李世昊;郑元哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-05-24 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供在其中具有垂直二极管的集成电路器件。该器件包括集成电路衬底和集成电路衬底上的绝缘层。接触孔贯穿绝缘层。垂直二极管在接触孔的下部区域中以及接触孔中的底电极具有在垂直二极管的顶表面上的底表面。底电极与垂直二极管自对准。底电极的顶表面面积小于接触孔的水平截面面积。还提供形成该集成电路器件和相变存储单元的方法。
具有单元二极管互相对准电极相变存储及其制造方法

[发明专利]磁存储器件及其控制和制造方法-CN200510129769.4有效
发明人：黄仁俊;金泰完;郑元哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-12-05 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁随机存取存储(MRAM)器件及其控制和制造方法。所述器件的示范性实施例包括：具有自由层的磁隧道结；具有覆盖自由层表面的第一部分的第一电极(第一磁场产生元件)，以及通过一连接而连接到第一电极的电源，该连接覆盖第一电极的的第一部分的不到一半。MRAM器件的另一示范性实施例包括：磁隧道结；在该磁隧道结的相对侧上直接连接到所述磁隧道结的第一和第二电极(第一和第二磁场产生元件)；以及电源，具有通过第一连接而连接到第一电极的一个极和通过第二连接而连接到第二电极的第二极，其中第一和第二连接从第一和第二电极与磁隧道结之间的连接横向偏移。
磁存储器及其控制制造方法

[发明专利]具有外部磁场产生器的存储器件及其操作和制造方法-CN200610051485.2无效
发明人：金泰完;黄仁俊;郑元哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-02-28 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： G11C11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有磁场产生器的存储器件及其操作和制造方法。在所述器件和方法中，磁性存储器包括磁性隧穿结单元、晶体管和位线，且磁场产生器设置于所述磁性存储器之外以在平行于所述位线的方向产生朝向所述磁性存储器的全局磁场。
具有外部磁场产生器存储器件及其操作制造方法

[发明专利]操作自旋注入操作磁随机存取存储器件的方法及相关器件-CN200510091996.2有效
发明人： 郑元哲;金奇南;郑弘植;郑基泰;朴哉炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-08-12 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：提供用于操作包括存储单元的磁随机存取存储器件的方法，该存储单元具有在衬底上的磁隧道结结构的。具体，可以通过磁隧道结结构提供写电流脉冲，以及可以通过磁隧道结结构提供写磁场脉冲。此外，至少部分写磁场脉冲可以相对于至少部分写电流脉冲及时重叠，以及至少部分写电流脉冲和/或至少部分写磁场脉冲彼此可以不及时重叠。还论述了相关的器件。
操作自旋注入随机存取存储器方法相关器件

[发明专利]包括热量产生层的磁随机存取存储器及相关方法-CN200410083201.9有效
发明人： 郑元哲;金亨俊;朴哉炫;郑枪旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-09-29 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： G11C11/14 文献下载
摘要：一种磁随机存取存储器，可以包括衬底上的第一电极，电连接到电极的磁隧道结元件，以及通过磁隧道结元件电连接到第一电极的第二电极。此外，在第一和第二电极之间可以串联电连接热量产生层，且该热量产生层相对于电流流动可以提供较高的电阻。还论述了相关的方法。
包括热量产生随机存取存储器相关方法

[发明专利]对于由电极孔的侧壁限定的相可变材料具有接触表面面积的相变存储器件及其形成方法-CN200410095711.8无效
发明人： 郑元哲;金亨俊;朴哉炫;郑椙旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-11-24 - 公布日： 2005-06-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：提供了相变存储器件和制造相变存储器件的方法，相变存储器件包括布置在衬底上的加热电极。加热电极包括加热电极中的电极孔。相变材料图形设置在电极孔中并接触电极孔的侧壁。在某些实施例中，电极孔贯穿加热电极。在某些实施例中，相可变材料图形仅仅在电极孔的侧壁处接触电极。
对于电极侧壁限定可变材料具有接触表面面积相变存储器件及其形成方法

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