专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]去耦合组件-CN201410314386.3有效
  • 郑丞良;潘苡秀;郑宇庭;蔡丽端 - 财团法人工业技术研究院
  • 2010-12-31 - 2018-02-06 - H01G9/004
  • 本发明涉及一种去耦合组件,包括导线架以及至少一电容单元组。导线架包括一阴极端子部,及位于阴极端子部的两端而彼此相对的至少两个阳极端子部,两个阳极端子部是利用导电线而彼此电性相连。电容单元组包含多个电容单元,该电容单元组的多个电容单元相互并联,多个电容单元是位于同一平面上排列且设置在导线架上,每一电容单元具有彼此相对的一阴极部与一阳极部,电容单元的阴极部电性连接到阴极端子部,电容单元的阳极部电性连接到阳极端子部,该电容单元组为多层时,所述电容单元组是以堆栈方式排列。
  • 耦合组件
  • [发明专利]硅晶太阳能电池的制造方法以及硅晶太阳能电池-CN201310278305.4无效
  • 周益钦;刘珈芸;郑丞良;王品胜;吴邦豪 - 友晁能源材料股份有限公司
  • 2013-07-04 - 2014-11-05 - H01L31/18
  • 本发明提供一种硅晶太阳能电池的制造方法以及硅晶太阳能电池,包括下列步骤。提供受光面上形成掺杂层的硅基材。在受光面上形成第一介电层。在硅基材的背面上形成第二介电层。在硅基材的背面上局部移除第二介电层及硅基材的至少一部分,以在硅基材的背面上形成具有开口的图案化第二介电层以及至少一凹槽,且该开口暴露出凹槽。在受光面上与背面上分别形成第一电极组成物与第二电极组成物,第二电极组成物至少一部份填入硅基材的凹槽中。进行高温工艺,使硅基材与第一电极组成物及与第二电极组成物共烧结,以在受光面上及背面上分别形成第一电极及第二电极。
  • 太阳能电池制造方法以及
  • [发明专利]贯通孔电容器及其制造方法-CN201310062421.2在审
  • 吴邦豪;蔡丽端;李明林;郑丞良 - 财团法人工业技术研究院
  • 2007-12-28 - 2013-06-26 - H01G4/005
  • 本发明公开了一种贯通孔电容器及其制造方法。该贯通孔电容器至少包含一个基板、一层正极层、一层介电层、一层第一负极层及一层第二负极层。上述基板具有数个贯通孔,且于至少一贯通孔的内表面有正极层,且至少一贯通孔内正极层的表面为多孔结构。介电层则位于正极层的多孔结构上。至于第一负极层是覆盖于介电层的表面,第二负极层是覆盖于第一负极层的表面,其中第二负极层的电导率大于第一负极层的电导率。当此通孔的负极层作为信号传输时,此结构电容又可当成阻抗匹配结构使用。
  • 贯通电容器及其制造方法
  • [发明专利]去耦合元件及其制造方法-CN201110447553.8有效
  • 潘苡秀;郑宇庭;蔡丽端;陈启伦;郑丞良 - 财团法人工业技术研究院
  • 2011-12-23 - 2013-05-15 - H01G9/048
  • 一种去耦合元件包括:导线架、多个电容单元、保护层以及封装元件。导线架包括:阴极端子部,及位于阴极端子部的两端而彼此对向的至少两个阳极端子部,两阳极端子部是利用导电线而彼此电性相连。多个电容单元相互并联且设置在导线架上,每一电容单元具有彼此对向的阴极部与阳极部,阴极部电性连接到阴极端子部,阳极部电性连接到阳极端子部。保护层至少包覆电容单元的阳极部与阴极部至少其中之一。封装元件覆盖导线架、电容单元以及保护层,且封装元件露出导线架的底面。
  • 耦合元件及其制造方法
  • [发明专利]复合型电容-CN201210188751.1有效
  • 李明林;蔡丽端;刘淑芬;吴邦豪;郑丞良 - 财团法人工业技术研究院
  • 2007-12-28 - 2012-09-26 - H01L27/00
  • 本发明公开了一种复合型电容,包含基板、至少一平行板电容与至少一贯通孔电容,上述基板具有贯通孔,而平行板电容则位于基板上包括第一导体层、二介电层以及第二导体层。至少一贯通孔电容与至少一平行板电容并联。这种贯通孔电容至少包括一层与第一导体层电性连接至基板的一面的正极层、一层第一介电层、一层第一负极层、及一层与第二导体层电性连接至基板的另一面的第二负极层,使平行板电容与贯通孔电容的单极拉出在基板的表面。而正极层位于至少一贯通孔的内表面,且正极层的表面为多孔结构。第一介电层则位于正极层的多孔结构上。至于第一负极层是覆盖于第一介电层的表面,第二负极层是覆盖于第一负极层的表面。
  • 复合型电容
  • [发明专利]去耦合组件-CN201010623837.3有效
  • 郑丞良;潘苡秀;郑宇庭;蔡丽端 - 财团法人工业技术研究院
  • 2010-12-31 - 2012-07-04 - H01G9/004
  • 本发明涉及一种去耦合组件,包括:导线架以及至少一电容单元组。导线架包括:一阴极端子部,及位于阴极端子部的两端而彼此相对的至少两个阳极端子部,两个阳极端子部是利用导电线而彼此电性相连。电容单元组包含多个电容单元,该电容单元组的多个电容单元相互并联,多个电容单元是位于同一平面上排列且设置在导线架上,每一电容单元具有彼此相对的一阴极部与一阳极部,电容单元的阴极部电性连接到阴极端子部,电容单元的阳极部电性连接到阳极端子部,该电容单元组为多层时,所述电容单元组是以堆栈方式排列。
  • 耦合组件
  • [发明专利]内藏电容基板模块-CN201010623839.2有效
  • 徐健明;李明林;郑丞良;蔡丽端 - 财团法人工业技术研究院
  • 2010-12-31 - 2012-07-04 - H05K1/16
  • 本发明公开一种内藏电容基板模块,包括有一基板、一金属基板以及一固态电解电容材料,其中固态电解电容材料形成于金属基板之上,以与基板形成一固态电解电容;此外,内藏电容基板模块更包括有一电极引出区,系由基板以及金属基板延伸形成,其中金属基板作为一第一电极,基板作为一第二电极;绝缘材料形成于基板与金属基板之间。根据本发明所公开的实施例的内藏电容基板模块,不但保留传统固态电容大电容值的优点,还可在内埋于印刷电路板之后再进行钻孔电镀与其它电路电性连接。
  • 内藏电容模块
  • [发明专利]贯通孔电容器及其制造方法-CN200710305450.1无效
  • 吴邦豪;蔡丽端;李明林;郑丞良 - 财团法人工业技术研究院
  • 2007-12-28 - 2009-07-01 - H01G4/00
  • 本发明公开了一种贯通孔电容器及其制造方法。该贯通孔电容器至少包含一个基板、一层正极层、一层介电层、一层第一负极层及一层第二负极层。上述基板具有数个贯通孔,且于至少一贯通孔的内表面有正极层,且至少一贯通孔内正极层的表面为多孔结构。介电层则位于正极层的多孔结构上。至于第一负极层是覆盖于介电层的表面,第二负极层是覆盖于第一负极层的表面,其中第二负极层的电导率大于第一负极层的电导率。当此通孔的负极层作为信号传输时,此结构电容又可当成阻抗匹配结构使用。
  • 贯通电容器及其制造方法

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