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[发明专利]管翻边方法-CN201380078788.1有效
发明人： 郑东垣 -专利权人：济州大学校产学协力团
申请日： 2013-12-19 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： B21D19/02 文献下载
摘要：本发明提供一种管翻边方法，其包括以下步骤：在保持将管插入到成型模具内部的状态下，将所述管的边缘部配置成向外部露出；通过对所述管的露出的边缘部施加外力而使边缘部进行扩管；通过对所述边缘部施加外力而使其向模具外表面侧折曲；以及通过对折曲后的所述边缘部施加外力形成凸缘部，所述凸缘部端面线性一体化并垂直于所述管长度的方向。根据本发明，能够维持管均匀厚度的同时通过管的折曲来形成凸缘。
管翻边方法

[发明专利]离子注入方法-CN201310757504.3有效
发明人：徐承柏;吴承翰;郑东垣;山本芳裕;G·G·巴克莱;G·珀勒斯 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了在半导体器件中形成离子注入区域的方法。该方法包括(a)提供具有多个待进行离子注入的区域的半导体基材；(b)在半导体基材上形成一个光刻胶图案，其中所述光刻胶图案由包含具有酸不稳定性基团的基质聚合物、光生酸剂和溶剂的化学放大型光刻胶组合物形成；(c)在光刻胶图案上涂覆清除浮渣组合物，其中所述清除浮渣组合物包含基质聚合物；生酸剂，其选自热生酸剂、光生酸剂以及它们的组合，以及一种溶剂；(d)使得所述涂覆的半导体基材暴露于一些条件，以在清除浮渣组合物中从所述生酸剂产生酸；(e)使涂覆的半导体基材接触漂洗剂以从基材去除残留的清除浮渣组合物和浮渣；以及(f)使用所述光刻胶图案作为注入掩模，对所述半导体基材的多个区域进行注入。该方法特别适用于半导体器件的制造。
离子注入方法

[发明专利]离子注入方法-CN201310757503.9有效
发明人：徐承柏;吴承翰;郑东垣;山本芳裕 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明提供了在半导体器件中形成离子注入区域的方法。该方法包括：(a)提供具有多个待进行离子注入的区域的半导体基材；(b)在半导体基材上形成一个光刻胶图案，其中所述光刻胶图案由包含具有酸不稳定性基团的基质聚合物、光生酸剂和溶剂的化学放大型光刻胶组合物形成；(c)在光刻胶图案上涂覆清除浮渣组合物，其中所述清除浮渣组合物包含：基质聚合物；游离酸，以及一种溶剂；(d)对所述涂覆的半导体基材进行加热；(e)使涂覆的半导体基材接触漂洗剂以从基材去除残留的清除浮渣组合物和浮渣；以及(f)使用所述光刻胶图案作为注入掩模，对所述半导体基材的多个区域进行注入。该方法特别适用于半导体器件的制造。
离子注入方法

[发明专利]电子器件的制造-CN200810095137.4有效
发明人： P·特雷纳斯三世;郑东垣 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2008-02-13 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造半导体器件的新方法。本发明优选的方法包括：将光刻胶沉积到半导体衬底表面上，随后对光刻胶涂层图案化并显影；将可固化有机或无机组合物涂覆到刻胶浮凸图案上；蚀刻以获得由可固化组合物包封的刻胶的浮凸图案；并除去刻胶材料，由此可固化有机或无机组合物保留在相对于先前显影的刻胶图案节距增加的浮凸图案中。
电子器件制造

[发明专利]聚合物和包含聚合物的光致抗蚀剂组合物-CN200410104834.3无效
发明人： 郑东垣;G·G·巴克利 -专利权人：罗姆和哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2004-12-29 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及新的聚合物及其作为光致抗蚀剂组合物的树脂粘合剂组分的用途，特别是可有效地在短波长如小于200nm特别是193nm成像的化学放大的正性抗蚀剂。本发明优选的聚合物是可表现出与底层无机表面如SiON和Si₃N₄表面等的良好粘附性而且包含有杂原子取代的侧链部分的重复单元的三元共聚物和四元共聚物。
聚合物包含光致抗蚀剂组合

[发明专利]化学增强的抗蚀组合物-CN97122568.0无效
发明人：姜律;崔相俊;郑东垣;朴春根;高永范 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1997-10-11 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：在化学增强抗蚀剂中使用了共聚物和三元共聚物。该三元共聚物具有下述通式(II)，其中R₃、R₄、R₅、R₆、m和n的定义如说明书中所述；同时还有一用于化学增强的抗蚀剂的抗蚀组合物，它含有一光敏酸发生剂和一具有下述通式(III)的聚合物，其中x、R₇、R₈、m和n的定义如说明书中所述。∴
化学增强组合

[发明专利]用于化学放大抗蚀剂的共聚物-CN98125176.5无效
发明人：崔相俊;姜律;郑东垣;朴春根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1998-12-02 - 公布日： 2003-10-29 - 主分类号： C08F222/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种应用于化学放大抗蚀剂的光敏聚合物。光敏聚合物为式(I)：∴其中R1选自氢和C1至C20脂烃，n为整数。特别地，R1选自甲基、乙基、正丁基和环己基或R1选自含C7至C20脂环脂烃，如金刚烷基、降冰片基和异冰片基。本发明还提供了包含光酸引发剂和聚合物的化学放大抗蚀组合物。聚合物为式(II)：∴其中R1选自氢和C1至C20脂烃；R2选自氢或甲基；R3选自叔丁基或四氢吡喃基；n和m各自为整数，其中n/(m+n)比例为0.1至0.5。本发明化学放大抗蚀组合物对干蚀工艺具有强的抗蚀性，对膜材料具有优良的粘合性，可利用常规显影剂显影。
用于化学放大抗蚀剂共聚物