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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]等离子处理方法和等离子处理装置-CN200880102192.X有效
发明人：森川泰宏;邹红罡 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2008-08-05 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子处理方法和等离子处理装置，其具有较高的保护膜覆盖性，而且具有良好的加工表面内均等性。用等离子将从靶材(31)中撞出的溅射粒子沉积在基板(W)的表面上时，会用等离子分解该溅射粒子，并生成活性物质之后将其沉积在基板表面上，由此可获得与等离子CVD加工类似的成膜状态，并可使其成为覆盖性高、加工表面内均等性良好的溅射成膜。尤其由于等离子源中使用了高频电场和磁中性环路(25)，所以可在磁场强度为0的区域高效地产生高密度等离子。通过随意调整磁中性环路的位置及大小，用该等离子可以实现加工表面内均等性较高的等离子处理。
等离子处理方法装置

[发明专利]灰化装置-CN200780036833.1有效
发明人：植田昌久;栗本孝志;石川道夫;邹红罡;余吾锐哉 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2007-12-26 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种防止处理效率下降的灰化装置。喷板(31)朝向保持基底(W)的基底台(20)，并且使供给至腔室(11)的氧自由基扩散。设在喷板(31)和基底台(20)之间的金属阻挡板(34)包括氧自由基穿过的通孔(41)。金属阻挡板的朝向基底(W)的表面上还包括第一层(34b)，所述第一层由与从所述基底曝露的金属种类相同的金属构成。
灰化装置

[发明专利]蚀刻方法及蚀刻装置-CN200880012237.4有效
发明人：小风丰;远藤光广;植田昌久;邹红罡;宫崎俊也;中村敏幸 -专利权人：株式会社日本爱发科泰克能
申请日： 2008-06-19 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻方法，使用如下装置，该装置具备通过等离子体激发蚀刻气体的腔、配置在上述腔内的用于载置并加热被处理基板的台、和配置在上述台的周围的由耐蚀刻材料形成的框部件，上述框部件的上表面与上述台的上表面相比配置在下方，在上述台的上表面配置上述被处理基板以使上述被处理基板的周缘部在上述框部件的上方露出，在从上述框部件的上表面到上述被处理基板底面的高度为G，从上述台的侧面到上述被处理基板外周的露出长度为H时，配置上述被处理基板以使H/G为1.5以上。
蚀刻方法装置

[发明专利]等离子体处理装置及防附着部件的制造方法-CN200880011080.3有效
发明人：小风丰;植田昌久;远藤光广;邹红罡;宫崎俊也;酒田现示;中村敏幸 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2008-05-14 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种等离子体处理装置，该装置在被处理基板上进行贵金属材料和强电介质材料的等离子体处理，并且具有被加热且暴露于等离子体的构成部件，所述构成部件由铝纯度99％以上的铝合金形成。
等离子体处理装置附着部件制造方法

[发明专利]干蚀刻方法-CN200880011651.3有效
发明人：森川泰宏;邹红罡 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2008-04-10 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种既可防止绝缘层产生缺口又可进行高精度的细微加工的干蚀刻方法。该干蚀刻方法为：准备基板，其中，在由硅氧化物构成的绝缘层(23)上形成有半导体层(21)；在半导体层上形成通孔；对绝缘层中从通孔(25)露出的区域进行蚀刻，在绝缘层上形成凹处(26)，同时在通孔和凹处的侧壁上形成树脂膜(27)。通过在凹处的侧壁上形成树脂膜，可保护凹处的侧壁不受等离子体中的离子的碰撞作用，防止凹处侧壁产生缺口；通过在通孔的侧壁上形成树脂膜，可保护通孔的侧壁不受等离子体中的离子的碰撞作用，防止通孔的孔形状发生变化。
蚀刻方法

[发明专利]等离子体处理装置的干式清洁方法-CN200880009987.6有效
发明人：植田昌久;小风丰;远藤光广;邹红罡 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2008-05-28 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置的干式清洁方法，所述等离子体处理装置包括：具备电介质部件的真空容器，设置在上述电介质部件的外侧的平面电极和高频天线，和通过分别对这些高频天线和平面电极供给高频功率、通过上述电介质部件将高频功率输入到上述真空容器内且产生感应耦合等离子体的高频电源，所述方法包括：将含氟气体导入到上述真空容器内的同时，利用上述高频电源将高频功率输入到上述真空容器内使上述含氟气体产生感应耦合等离子体的工序；和利用该感应耦合等离子体除去附着在上述电介质部件上的含有贵金属和强电介质中的至少一方的生成物的工序。
等离子体处理装置清洁方法

[发明专利]硫属化物膜的形成方法以及记录元件的制造方法-CN200880002896.X有效
发明人：菊地真;西冈浩;木村勋;神保武人;邹红罡 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2008-01-24 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明提供一种硫属化物膜的形成方法，在形成在基板上的绝缘层的接触孔内形成硫属化物膜，该方法包括：准备与上述硫属化物膜同一组成的靶的步骤；上述靶的直径为T(m)，上述靶与上述基板之间的距离为L(m)时，将上述距离L与上述靶的直径T的比L/T设定为0.5～1.5的步骤；通过对上述基板施加偏置功率，对上述靶施加溅射功率的溅射工序，在上述接触孔内形成硫属化物膜的步骤。
硫属化物膜形成方法以及记录元件制造

[发明专利]多层膜形成方法及装置-CN200780049467.3有效
发明人：木村勲;神保武人;菊地真;西冈浩;邹红罡 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2007-12-20 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：一种多层膜形成方法，使得在不进行蚀刻处理的情况下，能够形成包括复合氧化层并具有想要的元件形状的多层膜。该方法将第一掩模(30A)定位于基片(S)上方，通过溅射粘接层靶材(T1)和下部电极层靶材(T2)，利用所述第一掩模在所述基片上形成粘接层(36)和下部电极层(37)，并且将由陶瓷材料形成的第二掩模(30B)定位于所述下部电极层的上方，通过溅射氧化物层靶材(T3)，利用所述第二掩模在所述下部电极层上叠置复合氧化物层(38)，将第三掩模(30C)定位于所述复合氧化物层的上方，并且通过溅射上部电极层靶材(T4)，利用所述第三掩模在所述复合氧化物层上叠置上部电极层(39)。
多层形成方法装置

[发明专利]形成多层膜的方法及装置-CN200780046756.8无效
发明人：木村勳;神保武人;菊地真;西冈浩;邹红罡 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2007-12-17 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：一种多层薄膜形成方法和多层薄膜形成装置，其提高了由铅基钙钛矿复合氧化物形成的薄膜的介电特性和压电特性。所述多层薄膜形成方法包括：通过溅射下部电极层靶材(TG2)，在基片(S)上形成包含贵重金属的下部电极层(32b)；以及通过溅射包括铅的氧化物层靶材(TG3)，在所述下部电极层(32b)上叠置铅基复合氧化物层(33)。所述下部电极层(32b)的厚度限制为10到30nm，并且所述铅基复合氧化物层(33)的厚度限制为0.2到5.0μm。
形成多层方法装置

[发明专利]成膜槽上盖与喷头的一体化构造体-CN200910006426.7有效
发明人：山田贵一;增田健;梶沼雅彦;西冈浩;植松正纪;邹红罡 -专利权人：爱发科股份有限公司
申请日： 2004-08-06 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：提供一种可在生产性、批量生产性上优异的成膜槽上盖与喷头的一体化构造体，具有组装在该上盖上的包括气体扩展部分的喷头构造、构成喷头的表面的喷淋板，和设于该上盖内部的温媒循环路径；该温媒循环路径配置成使其大部分与组装在该上盖内部的喷淋板的表面接触，该喷淋板的表面积与成膜槽顶部的面积为相同程度，根据成膜条件，可对喷头进行温度控制。
成膜槽上盖喷头一体化构造

[发明专利]干蚀刻装置及方法-CN200780033218.5有效
发明人：森川泰宏;邹红罡 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2007-09-05 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种干蚀刻装置及方法，在干蚀刻热膨胀系数大的被加工物时，可消除因蚀刻中受到的热变形、热冲击造成的被加工物的开裂。该干蚀刻装置设置了具有凸型形状的表面的电极结构体，该凸型形状是与电极结构体的横截面为同心圆的凸型形状，该凸型形状的高度为0.2mm～1.0mm。使用该干蚀刻装置，蚀刻由热膨胀系数为30×10^-7/℃以上的材料构成的被加工物。
蚀刻装置方法

[发明专利]干式蚀刻方法-CN200780033651.9无效
发明人：森川泰宏;邹红罡 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2007-09-05 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供在干式蚀刻工艺中可以降低蚀刻生成物、谋求改善蚀刻对象物的面内均匀性的干式蚀刻方法。使用在电极的上表面的周边部分设置至少具有由含钇氧化物构成的表面层的电极压紧构件的电极，将基板载置在电极上，控制来自电极周边部分的蚀刻生成物而进行干式蚀刻。
蚀刻方法

[发明专利]电容元件的制造方法以及蚀刻方法-CN200680003328.2有效
发明人：小风丰;植田昌久;远藤光广;邹红罡 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2006-01-23 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了一种适合微细化的蚀刻技术。在基板10上按顺序叠层了下部电极膜12、电介质膜13和上部电极膜14的处理对象物5上形成无机质膜15，在其表面上配置图案化的有机抗蚀剂膜20，在以有机抗蚀剂膜20作为掩模，蚀刻无机质膜15、上部电极膜14和电介质膜13之后，以蚀刻下部电极膜12的气体，除去有机抗蚀剂膜20，同时以已露出的无机质膜15作为掩模，蚀刻下部电极膜12。由于不重新形成将作为掩模的膜，因此可以优良的精度制作微细图案。
电容元件制造方法以及蚀刻

[发明专利]蚀刻方法和系统-CN200580021792.X有效
发明人：森川泰宏;林俊雄;邹红罡 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2005-06-23 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种适用于产生对于掩膜的高选择性、出色的各向异性外形和大的蚀刻深度的蚀刻方法和蚀刻系统。依据本发明的蚀刻系统包括：设置成对着真空室内的基片电极并且在电势方面保持浮动状态的浮动电极，设置在该浮动电极面对着基片电极的一侧上的用来形成抗蚀刻膜的材料，以及用于间歇地对该浮动电极施加高频功率的控制单元。依据本发明的蚀刻方法使用设置在浮动电极对着基片电极一侧上的用来形成做为靶的抗蚀刻膜的材料，并且只把稀有气体作为主气体，该方法适用于按预定顺序重复地进行借助于对该浮动电极施加高频功率通过溅射在基片上形成膜的步骤，以及接着随后的通过暂停对该浮动电极施加高频功率并把蚀刻气体引入到真空室中而蚀刻基片的步骤。
蚀刻方法系统

[发明专利]氧化物薄膜制造方法及其制造装置-CN200480024317.3有效
发明人：西冈浩;梶沼雅彦;山田贵一;增田健;植松正纪;邹红罡 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2004-08-25 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明涉及氧化物薄膜制造方法及其制造装置。本发明是通过实现氧化物薄膜的氧缺损的降低和外延生长的促进，制造有优异特性的氧化物薄膜的薄膜制造方法，通过利用加热手段维持在不引起原料的液化、析出、成膜的温度的气体活化手段由喷射板向反应室内的加热基板上供给原料气、载气及氧化气体混合得到的混合气进行反应，在基板上制造氧化物薄膜。此时，按混合气基准使氧化气体的比例为大于等于60％。另外，使形成核形成的初期层的场合，其成膜工艺中的氧化气体流量比例不足60％，使其后的成膜工艺中的氧化气体流量比例为大于等于60％进行制造。此外，在氧化物薄膜制造装置中，在混合器与喷射板之间具有加热手段。
氧化物薄膜制造方法及其装置

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