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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]ASM机台热延伸板结构、使用方法及清洗方法-CN202310386358.1在审
发明人：顾广安;陈建纲;邹崇生;高璇 -专利权人：上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提出了一种ASM机台热延伸板结构、使用方法及清洗方法，所述ASM机台热延伸板结构包括分别设置在石英腔体内的支架和热延伸板；所述热延伸板位于反应组件的出气口与承载盘之间。本发明在原基座位置后方加上一块热延伸板，加装的热延伸板一方面聚热，减小了反应组件输出气流的温度降低幅度，使尾端温度不会过低，使得硅不容易发生沉积现象，让原先会沉积在后基座上方的腔体的非晶硅沉积热延伸板上，并于每次做腔体刻蚀的时候，将热延伸板上的非晶硅移除，以减少非晶硅在石英腔体上后方的淀积，降低非晶硅尘粒在石英腔体内沉积的情况，减少石英腔体因尘粒增加而须拆下清洗的时间。
asm 机台延伸板结使用方法清洗方法

[发明专利]通过离子注入晶片检测外延炉台温场温度的方法及校正外延炉台温场方法-CN201310513112.2有效
发明人：王浩;邹崇生 -专利权人：上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： G05D23/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过离子注入晶片检测外延炉台温场温度的方法，其特征在于，包括步骤，A、提供一离子注入晶片；B、将离子注入晶片升高至指定温度T1，然后降温至常温；C、检测离子注入晶片多个点的电阻率ρ；D、根据电阻率与温度的换算关系确定外延炉台多个点的温度值。本发明可以直接表征实际长晶时基板片上每一点的温度，当出现均匀性差时可根据点的位置重新改善炉台内温场的分布，避免了大量的温度感应测量装置需要被设置在炉台内的问题，节约了机台内部的空间。
通过离子注入晶片检测外延炉台温度方法校正

[实用新型]双极栅低电压功率器件用外延片-CN201420047837.7有效
发明人： 邹崇生 -专利权人：上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2014-01-24 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种双极栅低电压功率器件用外延片，所述双极栅低电压功率器件用外延片的材质为硅，所述双极栅低电压功率器件用外延片为层状结构，自下至上依次为基板、第一外延层和第二外延层。该双极栅低电压功率器件用外延片成功的克服了基板的自掺杂效应导致外延层的电阻率均匀性变差以及基板-外延过渡区变宽的缺陷，实现了外延层和衬底的低能耗。
双极栅低电压功率器件外延

[实用新型]外延片生产用氮气干燥箱-CN201420047835.8有效
发明人： 邹崇生;金秋联;顾广安 -专利权人：上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2014-01-24 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： F26B9/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种外延片生产用氮气干燥箱，包括带有盖的箱体，所述箱体为中空结构，所述箱体侧壁上设有一个与气源相连接的进气口，所述箱体侧壁上还设有一个与排气装置相连接的排气口。该外延片生产用氮气干燥箱及时将干燥箱内多余的的气体回收，避免氮气直接进入空气中，造成工作环境缺氧发生危险，并且在排出多余气体的同时带动了空气流动，提高了干燥效率。
外延生产氮气干燥箱

[实用新型]高压功率器件用极厚外延片-CN201320347279.1有效
发明人：王浩;邹崇生 -专利权人：上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2013-06-17 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高压功率器件用极厚外延片，包括衬底和外延层，其特征在于，所述衬底为6寸以上，所述外延层厚度为100μm以上。本实用新型可以有效的解决在大量的工业连续生产过程中大尺寸极厚外延在外延后晶片碎裂、边缘压痕、长晶大缺陷、厚度均匀性和电阻率均匀性差的问题，以满足器件设计后道对外延片边缘和晶片表面的需求，并且，本实用新型所涉及的极厚外延片可以被广泛应用于高压功率器件，所承受的电压可以高达1900V，目前，在国内，此极厚外延及所承受的高电压属于零的突破。按照本实用新型中的制造方法生产的用于高压功率器件的极厚外延片，厚度非均匀性可降低至2.03%。电阻率非均匀性可降低至4.24%。
高压功率器件用极厚外延

[发明专利]用于校正汞探针电阻率量测仪的标准片及校正汞探针电阻率量测仪的方法-CN201310239592.8有效
发明人：王浩;邹崇生 -专利权人：上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2013-06-17 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： G01R35/00 文献下载
摘要：用于校正汞探针电阻率量测仪的标准片及校正汞探针电阻率量测仪的方法。本发明公开了一种用于校正汞探针电阻率量测仪的标准片，利用经过校准的四探针电阻率量测仪测量N/P结构外延片；利用汞探针电阻率量测仪测量N/N结构外延片，并根据统计数据建立线性对应关系，实现利用四探针电阻率量测仪的测量值作为标准表征汞探针电阻率量测仪的测量值。本发明提供了用于校正汞探针电阻率量测仪的标准片，该标准片电阻率值可以与国际标准值接轨，寿命长、且可重复生长，成本低、可长时间使用。
用于校正探针电阻率量测仪标准方法

[发明专利]高压功率器件用极厚外延片及其制造方法-CN201310240216.0有效
发明人：王浩;邹崇生 -专利权人：上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2013-06-17 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压功率器件用极厚外延片，包括衬底和外延层，其特征在于，所述衬底为6寸以上，所述外延层厚度为100μm以上。本发明可以有效的解决在大量的工业连续生产过程中大尺寸极厚外延在外延后晶片碎裂、边缘压痕、长晶大缺陷、厚度均匀性和电阻率均匀性差的问题，以满足器件设计后道对外延片边缘和晶片表面的需求，并且，本发明所涉及的极厚外延片可以被广泛应用于高压功率器件，所承受的电压可以高达1900V，目前，在国内，此极厚外延及所承受的高电压属于零的突破。按照本发明中的制造方法生产的用于高压功率器件的极厚外延片，厚度非均匀性可降低至2.03%。电阻率非均匀性可降低至4.24%。
高压功率器件用极厚外延及其制造方法

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