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[发明专利]晶圆处理装置及晶圆取送方法-CN202111324567.0在审
发明人： 邸太平 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本公开提供一种晶圆处理装置及晶圆取送方法。本公开提供的晶圆处理装置，包括：底座，所述底座上具有通孔；顶杆，所述顶杆设置在所述通孔内；机械手臂，所述机械手臂用于晶圆的取送；感应器，所述感应器设置于所述顶杆的移动路径上，通过电磁感应的方法感应所述顶杆的位置，所述感应器与所述机械手臂联动。本公开提供的晶圆取送方法，采用任意一种上述的晶圆处理装置，包括：顶杆移动到预定位置，感应器发出指令并放入晶圆；顶杆移动到非预定位置，感应器发出指令禁止放入晶圆。本公开提供的晶圆处理装置及晶圆取送方法，通过将顶杆固定在顶杆基座上以及设置感应器，降低了晶圆生产过程中的取送误差，减少了因晶圆撞击顶杆引起的设备及产品的损坏。
处理装置晶圆取送方法

[发明专利]炉管装置-CN201711460077.7有效
发明人： 邸太平;洪纪伦;倪明明;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： F27B17/00 文献下载
摘要：一种炉管装置，包括底座和壳体，所述底座、壳体围成适于容纳晶圆的炉管腔，所述底座面向所述炉管腔的表面上设有多个适于放置晶圆的托盘。通过在底座上设置多个托盘，使晶圆能够被分散的放置在多个托盘上，从而能够降低炉管腔的高度。当炉管腔的高度降低时，也就说明位于高度方向上两端的晶圆之间的距离变得更小，使每一晶圆所处的工艺条件都十分接近，从而使每一晶圆均具有十分相近的处理效果，提升产品良率。
晶圆炉管底座托盘炉管装置产品良率高度降低工艺条件壳体围壳体容纳

[发明专利]离子注入角度监测方法及系统-CN201910388905.3在审
发明人：田成俊;邸太平;洪纪伦;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-05-10 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子注入角度监测方法及系统，所述方法包括如下步骤：从用于晶圆离子注入的离子束中分隔出监测束；将所述监测束在未装载晶圆时的照射路径作为标准照射路径，确定所述标准照射路径；将所述监测束在装载晶圆时的照射路径作为实时照射路径，在对所述晶圆进行离子注入的过程中，实时监测所述实时照射路径，并判断所述实时照射路径是否偏离所述标准照射路径。本发明通过从离子注入的离子束中分隔出监测束，在对晶圆进行离子注入的过程中，对所述监测束的照射路径进行实时监测，从而实时判断离子注入角度是否偏离设定值，避免了因离子注入角度偏移而导致的器件电性参数的漂移，提升了产品良率。
照射路径离子晶圆监测角度监测实时监测离子束分隔装载偏离器件电性参数漂移产品良率角度偏移实时判断

[发明专利]离子植入机及其工作方法-CN201811493470.0在审
发明人： 邸太平;洪纪伦;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种离子植入机及其工作方法，离子植入机包括：离子源，用于发射离子束；基座，用于承装晶圆；位于离子源和基座之间的第一挡板结构和第二挡板结构，所述第一挡板结构和第二挡板结构相互分立，所述第一挡板结构包括若干个第一挡板，所述第二挡板结构包括若干个第二挡板；切换器，使一个第一挡板与一个第二挡板处于工作面，处于工作面的第一挡板与第二挡板之间构成开口结构，所述开口结构使离子束通过。利用所述离子植入机在提高不同批次晶圆的离子植入一致性的同时，还能够减少宕机频率。
第二挡板第一挡板离子植入机开口结构离子束离子源晶圆切换器分立植入宕机离子发射

[实用新型]离子源及离子注入装置-CN201821310597.X有效
发明人： 邸太平;洪纪伦;倪明明;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种离子源及离子注入装置。所述离子源，包括用于气体电离的腔室，还包括保护结构；所述保护结构覆盖于所述腔室的内壁表面，以避免所述气体与所述腔室的内壁接触。本实用新型有效避免了气体以及气体电离后产生的离子在腔室内壁上的富集，使得离子源的使用寿命得以延长，离子注入工艺的效率也得到了改善。
离子源腔室离子注入装置本实用新型保护结构气体电离半导体制造技术离子注入工艺内壁表面内壁接触腔室内壁使用寿命富集离子覆盖

[实用新型]一种离子植入机及其离子束测量装置-CN201721614290.4有效
发明人： 邸太平;洪纪伦;倪明明;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本实用新型提供一种离子植入机及其离子束测量装置，包括反应腔室；晶圆扫描装置；离子植入机离子束测量装置，所述离子植入机离子束测量装置包括设置于晶圆下方固定距离的第一测量模块，所述晶圆在水平面上的投影落在所述第一测量模块测量面内，所述第一测量模块随所述晶圆扫描的过程中经过离子束所在高度；以及离子束源。本实用新型的离子植入机及其离子束测量装置通过一测量模块，对晶圆扫描区域内的离子束进行直接测量，可大大提高检测的准确性，同时增加离子束取样频率，更好的监测机台状况，利于机台工艺稳定性。
离子束测量离子植入机晶圆第一测量离子束本实用新型机台工艺稳定性测量模块反应腔室固定距离机台状况离子束源取样频率扫描区域扫描装置直接测量测量面投影扫描监测检测

[实用新型]萃取电极及离子注入装置-CN201721886084.9有效
发明人： 邸太平;洪纪伦;倪明明;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种萃取电极及离子注入装置。所述萃取电极，包括电极本体，还包括设置于电极本体中的入口、出口以及与所述入口、出口连通的通道；冷却流体从所述入口进入，在所述通道中与所述电极本体进行热交换，吸收所述电极本体的热量后从所述出口排出。本实用新型大幅度提高了萃取电极的冷却效率；同时，减少了离子注入装置的停机时间，提高了晶圆的生产效率。
电极本体电极萃取离子注入装置本实用新型热交换半导体制造技术出口冷却流体冷却效率生产效率晶圆排出停机连通吸收

[发明专利]离子植入机及其使用方法-CN201810049885.2在审
发明人： 邸太平;洪纪伦;倪明明;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种离子植入机及其使用方法，其中离子植入机包括：离子源；装载装置，经过所述装载装置中心与离子源中心的直线为中心轴；位于离子源和装载装置之间的处理腔室，所述处理腔室的两侧分别具有与离子源对应第一开口、以及与装载装置对应的第二开口，且所述第一开口的中心和第二开口的中心在所述中心轴上；位于处理腔室内的磁场装置，所述磁场装置包括永磁体以及线圈，所述磁场装置用于产生垂直于所述中心轴的矫正磁场。所述方法能够提高反应腔室射出的离子束的平行度。
装载装置离子源离子植入机磁场装置中心轴开口处理腔室反应腔室处理腔离子束平行度永磁体射出磁场矫正垂直室内

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