专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种生长BiFe1-xCoxO3系列晶体的方法-CN201310067179.8有效
  • 王越;邸大伟;马云峰;蒋毅坚 - 北京工业大学
  • 2013-03-03 - 2013-06-19 - C30B13/00
  • 一种生长BiFe1‐xCoxO3系列晶体的方法属于晶体生长领域。将粉料Fe2O3、Bi2O3和CoO按BiFe1‐xCoxO3化学计量比进行配料,其中x=0.01,0.03,0.05,0.07,0.09或0.11,球磨烘干、200目过筛;预烧,再次球磨、烘干,80目过筛;将粉料装入长条橡胶气球中压实封闭,抽真空10~15min,等静压下制成素坯棒;将素坯棒置于浮区炉中,以30~50℃/min的速率升温至料棒和籽晶融化,对接;设置晶体生长速度为10~15mm/h开始生长后冷却至室温。本发明首次用光学浮区法生长出直径为5~6mm、长60~100mm外观光亮深黑色的BiFe1‐xCoxO3系列晶体,成晶质量较高,简化了工艺,效率高。
  • 一种生长bifesubco系列晶体方法
  • [发明专利]一种生长CaxBa1-xNb2O6系列晶体的方法-CN201110308500.8无效
  • 王越;马云峰;蒋毅坚;邸大伟;徐宏;刘国庆 - 北京工业大学
  • 2011-10-12 - 2012-02-22 - C30B29/30
  • 一种生长CaxBa1-xNb2O6系列晶体的方法属于晶体生长领域。将粉料CaCO3、BaCO3和Nb2O5按CaxBa1-xNb2O6化学计量比进行配料,其中x=0.22、0.25、0.28、0.32或0.35,球磨烘干、200目过筛;预烧,再次球磨、烘干,80目过筛;将粉料装入长条橡胶气球中压实封闭,抽真空,等静压下制成粗细、密度均匀的素坯棒;将素坯棒在提拉旋转烧结炉中烧结得到致密均匀多晶料棒;将多晶料棒置于浮区炉中,以60~100℃/min的速率升温至料棒和籽晶融化,对接;设置晶体生长速度为2~5mm/h开始生长后冷却至室温。本发明首次用光学浮区法生长出直径为6~8mm、长50~115mm无宏观缺陷的CaxBa1-xNb2O6晶体,成晶质量高,简化了工艺,效率高。
  • 一种生长casubbanb系列晶体方法

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