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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]低应力的外延硅晶片-CN201310216652.4有效
  • 林文;邱恒德 - 合晶科技股份有限公司
  • 2013-06-03 - 2017-04-12 - H01L29/167
  • 一种低应力的外延硅晶片包含硅衬底、形成于硅衬底上的第一硅外延层，以及形成于第一硅外延层上的第二硅外延层。硅衬底含有选自硼或磷的掺杂剂，且掺杂剂浓度为100X at%。第一硅外延层含有硅衬底的掺杂剂与锗且具有相反的第一、二侧部，第一侧部邻近硅衬底，所述掺杂剂浓度实质等于硅衬底中掺杂剂的浓度，所述锗浓度自第一侧部朝第二侧部由0at%递增至100Y at%。第二硅外延层含有第一硅外延层的掺杂剂与锗，且掺杂剂的浓度实质等于第一硅外延层中掺杂剂的浓度，锗的浓度实质等于第一硅外延层的第二侧部中锗的浓度。
  • 应力外延晶片
  • [发明专利]具有保护层的石英玻璃坩埚及其制造方法-CN200910158377.9无效
  • 杨逸涵;潘敏学;邱恒德 - 合晶科技股份有限公司
  • 2009-07-08 - 2011-01-12 - C30B15/10
  • 本发明公开了一种具有保护层的石英玻璃坩埚的制造方法，其包括提供一石英玻璃坩埚本体；于该石英玻璃坩埚本体的内侧形成至少一第一氮氧化硅层；再于该第一氮氧化硅层上形成至少一第二氮氧化硅层；再于该第二氮氧化硅层上形成一氮化硅层，该第一氮氧化硅层和第二氮氧化硅层皆由二氧化硅(SiO2)和氮化硅(Si3N4)或氮氧化硅材料所组成，且该第二氮氧化硅层的氮化硅占第二氮氧化硅层的比例较第一氮氧化硅层的氮化硅占第一氮氧化硅层的比例多，该氮化硅层由氮化硅所组成。本发明能避免氧原子渗入硅熔汤，且藉由调整氮化硅和/或二氧化硅的量而控制各层状结构的厚度，且能增加石英玻璃坩埚的使用寿命。
  • 具有保护层石英玻璃坩埚及其制造方法
  • [发明专利]晶背的封装结构-CN200810178155.9无效
  • 吴俊泰;邱恒德 - 合晶科技股份有限公司
  • 2008-11-24 - 2010-06-16 - H01L23/00
  • 本发明关于一种晶背的封装结构，所述包括一半导体基材以及一多层结构层，所述多层结构层设置于所述半导体基材的底部，且是由多晶硅层以及绝缘层(如二氧化硅层)所组合而成；通过本发明的多层结构，能够促进吸杂效果、有效防止自动掺杂，改善毛边现象，并节省工艺成本，且通过此种结构易于调整硅基板的弓形度(bow)及翘曲度(warp)。
  • 封装结构
  •  1 
  • 共 4 条
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