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- [实用新型]一种双输出的DC-DC振荡器电路-CN201420843740.7有效
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李演明;柴红;吴凯凯;仝倩;杨晓冰;张豪;文常保;邱彦章
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长安大学
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2014-12-25
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2015-06-17
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H02M1/44
- 本实用新型公开了一种双输出的DC-DC振荡器电路，加入基准电压VR1和使能信号EN时，内部振荡电路产生两个频率固定相同却反相的方波信号V1和V2，经两个脉冲产生电路产生两路相位差为180度的窄脉冲信号V3和V4，这两路脉冲信号既直接作为电路的输出信号，触发开关管的开启，又分别在输入电压VIN、基准电压VR2和使能信号EN的作用下，经锯齿波产生电路产生两路相位差为180度的锯齿波信号V5与V6作为电路的另一种输出信号，有效地降低了双路DC-DC输入的RMS电流，消除了两路输出之间的干扰；本实用新型的锯齿波产生单元提供一个斜坡电压信号，具有斜坡低电平控制和输入电压前馈控制的斜坡电压信号增强了电压模环路的稳定性。
- 一种输出dc振荡器电路
- [发明专利]一种双输出的DC-DC振荡器电路-CN201410826725.6在审
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李演明;吴凯凯;柴红;张豪;仝倩;杨晓冰;文常保;邱彦章
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长安大学
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2014-12-25
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2015-04-29
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H02M1/44
- 本发明公开了一种双输出的DC-DC振荡器电路，加入基准电压VR1和使能信号EN时，内部振荡电路产生两个频率固定相同却反相的方波信号V1和V2，经两个脉冲产生电路产生两路相位差为180度的窄脉冲信号V3和V4，这两路脉冲信号既直接作为电路的输出信号，触发开关管的开启，又分别在输入电压VIN、基准电压VR2和使能信号EN的作用下，经锯齿波产生电路产生两路相位差为180度的锯齿波信号V5与V6作为电路的另一种输出信号，有效地降低了双路DC-DC输入的RMS电流，消除了两路输出之间的干扰；本发明的锯齿波产生单元提供一个斜坡电压信号，具有斜坡低电平控制和输入电压前馈控制的斜坡电压信号增强了电压模环路的稳定性。
- 一种输出dc振荡器电路
- [实用新型]一种新型LED驱动电路-CN201420040039.1有效
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李演明;仝倩;杨晓冰;柴红;吴凯凯;邱彦章
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长安大学
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2014-01-22
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2014-07-16
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H05B37/02
- 本实用新型公开了一种新型LED驱动电路，主要解决现有电压控制模式的电路结构输入响应速度慢，包括调光控制单元，峰值电流检测采样单元和恒定关断时间控制单元。调光控制单元通过模拟和数字两种调光方式调节流过LED上的平均电流的大小来实现亮度的调节，分别输出峰值电流检测阈值VCST1给峰值电流检测采样单元，而且输出两个使能VEN1和VEN2给恒定关断时间控制单元；峰值电流检测采样单元将比较结果输入到恒定关断时间控制单元；恒定关断时间控制单元在检测到峰值电流时，产生一个恒定的关断时间。本实用新型提高了输入响应速度，可实现快速的数模混合调光，可应用于LED驱动电路。
- 一种新型led驱动电路
- [实用新型]碳化硅横向肖特基结型微型核电池-CN201220735047.9有效
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张林;李清华;邱彦章;巨永锋
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长安大学
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2012-12-27
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2013-06-19
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G21H1/06
- 本实用新型公开了一种碳化硅横向肖特基结型微型核电池，包括由N型SiC基片构成的衬底和设置在衬底上部的N型SiC外延层，N型SiC外延层上设置有N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上部设置有欧姆接触电极，N型SiC外延层上部设置有肖特基接触电极；N型SiC欧姆接触掺杂区、欧姆接触电极和肖特基接触电极均为由一条水平指条和多条垂直指条构成的指状结构，欧姆接触电极的垂直指条与肖特基接触电极的垂直指条相互交叉设置构成了叉指结构；N型SiC外延层上部除去欧姆接触电极和肖特基接触电极的区域设置有二氧化硅层。本实用新型设计新颖合理，能量转换效率和封装密度高，有利于集成，实用性强，推广应用价值高。
- 碳化硅横向肖特基结型微型核电
- [实用新型]一种碳化硅温度传感器-CN201220734974.9有效
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张林;李演明;邱彦章;巨永锋
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长安大学
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2012-12-27
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2013-06-19
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G01K7/01
- 本实用新型公开了一种碳化硅温度传感器，包括由N型SiC基片构成的衬底和设置在衬底上部的N型SiC外延层，N型SiC外延层上部中间位置处设置有圆形的肖特基接触电极，N型SiC外延层上位于肖特基接触电极的外侧设置有圆环形的N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上部设置有圆环形的欧姆接触电极，N型SiC欧姆接触掺杂区、欧姆接触电极和肖特基接触电极同心设置，位于欧姆接触电极与肖特基接触电极之间的N型SiC外延层上部，以及位于欧姆接触电极外围的N型SiC外延层上部均设置有二氧化硅层。本实用新型设计新颖合理，线性度和封装密度好，有利于集成，工作可靠性高，实用性强，应用范围广，推广应用价值高。
- 一种碳化硅温度传感器
- [实用新型]碳化硅横向PIN型微型核电池-CN201220734703.3有效
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张林;李清华;邱彦章;巨永锋
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长安大学
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2012-12-27
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2013-06-05
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G21H1/06
- 本实用新型公开了一种碳化硅横向PIN型微型核电池，包括衬底和设在衬底上的N型SiC外延层，N型SiC外延层上设有N型SiC欧姆接触掺杂区和P型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上设有N型欧姆接触电极，P型SiC欧姆接触掺杂区上设有P型欧姆接触电极；N型欧姆接触电极和P型欧姆接触电极均为由一条水平指条和多条垂直指条构成的指状结构，N型欧姆接触电极的垂直指条与P型欧姆接触电极的垂直指条相互交叉设置构成了叉指结构；N型SiC外延层上部除去N型欧姆接触电极和P型欧姆接触电极的区域设有二氧化硅层。本实用新型设计合理，实现方便，能量转换效率和封装密度高，有利于集成，实用性强，推广应用价值高。
- 碳化硅横向pin微型核电
- [发明专利]碳化硅温度传感器及其制造方法-CN201210580213.7有效
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张林;李演明;邱彦章;巨永锋
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长安大学
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2012-12-27
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2013-04-10
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G01K7/01
- 本发明公开了一种碳化硅温度传感器及其制造方法，其传感器包括衬底和设在衬底上部的N型SiC外延层，N型SiC外延层上部设有圆形肖特基接触电极，N型SiC外延层上位于肖特基接触电极的外侧设有圆环形N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上部设有欧姆接触电极，位于欧姆接触电极与肖特基接触电极之间以及欧姆接触电极外围的N型SiC外延层上部均设有二氧化硅层；其制造方法包括步骤：一、提供衬底，二、外延生长N型SiC外延层，三、形成N型SiC欧姆接触掺杂区，四、形成二氧化硅层，五、形成欧姆接触电极，六、形成肖特基接触电极，七、热退火。本发明设计合理，线性度和封装密度好，有利于集成，推广应用价值高。
- 碳化硅温度传感器及其制造方法
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