“邱孝鑫”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种合金/磁绝缘体自旋异质结及其制备方法和应用-CN202111002857.3有效
发明人：张有禄;张岱南;邱孝鑫;张怀武 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：本发明提供一种合金/磁绝缘体自旋异质结及其制备方法和应用，属于自旋电子器件技术领域。本发明使用111晶向的钆镓石榴石为衬底，采用液相外延(LPE)法在衬底表面生长具有高质量的Bi:TmIG薄膜，作为磁绝缘层，然后通过磁控溅射法生长锗铋铂合金薄膜，作为重金属层，进而形成GeBi:Pt/Bi:TmIG的合金/磁绝缘体自旋异质结结构，该结构提高了电荷电流到自旋电流的转化效率，降低磁化翻转所需的电流密度，节约功耗，能够实现更快的磁矩翻转操作。
一种合金绝缘体自旋异质结及其制备方法应用

[发明专利]一种二维PIN结红外光电探测器、探测器阵列及制备方法-CN202111331892.X有效
发明人： 邱孝鑫;张岱南;张有禄;李晨光 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种二维PIN结红外光电探测器、探测器阵列及其制备方法，属于光电探测器技术领域。本发明红外光电探测器阵列单元采用分子束外延方法制备，在制备过程中原位生长形成非对称二维薄膜PIN浅结结构，其中，P层采用射频磁控溅射方式对中性GeSn掺B进行改性，I层采用双源双控方法生长GeSn，N层采用高温原位掺杂方法对Ge薄膜进行掺杂处理后得到；同时设计相互垂直且等距排布的行导线和列导线，使阵列单元设置于行导线和列导线分割的空间内，再完成阵列单元与行导线和列导线的连接，即可得到光电探测阵列。本发明红外探测阵列可实现任意尺寸，且单个阵列单元的短路不会影响周围探测器的性能。
一种二维 pin 红外光电探测器阵列制备方法