专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]去除速率和平坦化改善的化学机械抛光垫-CN201810499504.0有效
  • J·G·韦斯;邱南荣;G·C·雅各布;钱百年 - 陶氏环球技术有限责任公司;罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
  • 2018-05-22 - 2021-08-17 - B24B37/24
  • 本发明提供一种用于抛光三维半导体或存储器衬底的化学机械(CMP)抛光垫,所述抛光垫包含热固性反应混合物的聚氨酯反应产物的抛光层,所述热固性反应混合物具有固化剂4,4′‑亚甲基双(3‑氯‑2,6‑二乙基苯胺)(MCDEA)或MCDEA与4,4′‑亚甲基‑双‑邻‑(2‑氯苯胺)(MbOCA)的混合物,和聚异氰酸酯预聚物,所述预聚物由以下形成且具有8.6至11wt.%的未反应异氰酸酯(NCO)浓度:一种或两种芳香族二异氰酸酯,如甲苯二异氰酸酯(TDI),或芳香族二异氰酸酯与脂环族二异氰酸酯的混合物,和聚四亚甲基醚二醇(PTMEG)、聚丙二醇(PPG)的多元醇,或PTMEG与PPG的多元醇掺合物。所述抛光层中的所述聚氨酯根据ASTM D2240‑15(2015)具有50至90的肖氏D硬度、在65℃具有70至500MPa的剪切存储模量(G′),且在50℃具有0.06至0.13的阻尼分量(G″/G′,通过剪切动态力学分析(DMA)所测量,ASTM D5279‑08(2008))。
  • 去除速率平坦改善化学机械抛光

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