专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种掩模板制作的优化设计方法-CN201711471168.0在审
  • 李春兰;李跃松;邓振玉 - 深圳清溢光电股份有限公司
  • 2017-12-28 - 2018-04-06 - G03F1/76
  • 本发明公开了一种掩模板制作的优化设计方法,适用于掩模板曝光工序,曝光设备根据数据图形、光束数量及光束扫描宽度进行X/Y方向划分,计算出相应的曝光条数,获取相邻曝光条数重叠区域的位置以及重叠区域所对应的数据图形;根据重叠区域所对应的数据图形再次设计增加数据图案,以再次设计增加的数据图案消弱或反补重叠区域的二次曝光能量。本发明针对重叠区域的数据图形再次设计数据图案,该数据图案可以消弱或反补二次曝光对重叠区域的数据图形造成的能量损失,从而可以提高重叠区域线条精度。
  • 一种模板制作优化设计方法
  • [发明专利]降低光掩模板条纹的方法及装置-CN201410211477.4有效
  • 邓振玉;张沛;李跃松 - 深圳清溢光电股份有限公司
  • 2012-12-03 - 2017-09-08 - G03F1/00
  • 本发明适用于光掩模生产领域,尤其涉及降低光掩模板条纹的方法及装置,所述方法包括下述步骤按照光刻机设备的光斑大小,光束数量计算图形由于光束能量差异造成的条纹的图形收缩系数;根据所述收缩系数对图形中的所有顶点进行收缩,得到收缩图形;根据所述收缩图形在将收缩图形进行光刻前,在设备上使用相反系数进行反补。本发明通过对产生光掩模板条纹的原因,对光掩模板进行光刻前光刻采用的图形进行反补,使得光刻后反补的效果抵消了由于误差导致的出现条纹的情况,使得降低光掩模板出现条纹的情况。
  • 降低模板条纹方法装置
  • [发明专利]降低光掩模板条纹的方法及装置-CN201410211411.5有效
  • 邓振玉;张沛;李跃松 - 深圳清溢光电股份有限公司
  • 2012-12-03 - 2017-06-13 - G03F1/72
  • 本发明适用于光掩模生产领域,尤其涉及降低光掩模板条纹的方法及装置,所述方法包括下述步骤设计制作光掩模检测板;根据划分间隔通过光掩模检测板对光掩模板的涂胶或不同区域的光强度进行矩阵测量,测量每个矩阵点,得到每个矩阵点的偏差;将图形按照矩阵点划分间隔进行分割,分割成小单元,按照分割后图形每个顶点所在的坐标测量小单元矩阵中的四个点围成的区域,根据小单元矩阵中的四个点求出此点的偏差,在进行光刻前对图形进行反补。本发明通过对产生光掩模板条纹的原因,对光掩模板进行光刻前光刻采用的图形进行反补,使得光刻后反补的效果抵消了由于误差导致的出现条纹的情况,使得降低光掩模板出现条纹的情况。
  • 降低模板条纹方法装置
  • [发明专利]降低光掩模板条纹的方法及装置-CN201210508623.0有效
  • 邓振玉;张沛;李跃松 - 深圳清溢光电股份有限公司
  • 2012-12-03 - 2013-04-03 - G03F1/72
  • 本发明适用于光掩模生产领域,尤其涉及降低光掩模板条纹的方法及装置,所述方法包括下述步骤:通过光掩模检测板测量像素图形和扫描带重叠部分的重叠图形精度变化曲线;根据所述精度变化曲线在进行光刻之前对所述扫描带重叠部分进行反补。本发明通过对产生光掩模板条纹的原因,在生产光掩模板进行光刻之前对所述扫描带重叠部分图形进行反补,使得光刻后反补的效果抵消了由于误差导致的出现条纹的情况,使得降低光掩模板出现条纹的情况。
  • 降低模板条纹方法装置
  • [发明专利]一种掩模板的制作方法-CN201010229457.1无效
  • 李春兰;洪志华;戴海哲;谭景霞;熊启龙;邓振玉 - 深圳清溢光电股份有限公司
  • 2010-07-16 - 2010-12-15 - G03F7/00
  • 本发明适用于掩模板制造技术领域,公开了一种掩模板的制作方法,是用于原材料结构为衬底层、灰阶掩模层、基础材质层及光刻胶层的掩模板的制作,所述制作方法包括以下步骤:(a)制作第一图形和第二图形,采用第一图形对光刻胶层进行第一次曝光;(b)采用第二图形对光刻胶层进行第二次曝光;(c)将光刻胶层最薄处的区域内的光刻胶去除;(d)刻蚀步骤(c)中去除光刻胶层区域处的基础材质层及灰阶掩模层;(e)将所余光刻胶层最薄处区域内的光刻胶去除;(f)刻蚀步骤(e)中去除光刻胶层区域处的基础材质层。本发明提供的一种掩模板的制作方法,可直接连续使用两组图形进行两次曝光,解决了现有技术中二次对位时偏差大的技术问题。
  • 一种模板制作方法

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