专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]存储器装置和调整用于存储器装置的参数的方法-CN202010104774.4有效
  • 连存德;林纪舜 - 华邦电子股份有限公司
  • 2020-02-20 - 2023-10-13 - G11C13/00
  • 本公开提供一种存储器装置,包含:连接接口;存储器阵列,与参数相关联;以及存储器控制电路,配置成至少:通过连接接口接收操作以对存储器阵列进行操作,操作中的每一个是读取操作或写入操作;基于对存储器阵列进行操作来检测读取错误,读取错误是二进制0读取错误或二进制1读取错误;通过响应于读取错误是二进制1读取错误而递增错误计数器的计数器值且响应于读取错误是二进制0读取错误而递减计数器值来更新错误计数器;以及响应于计数器值已达到正预定阈值或负预定阈值而调整参数。
  • 存储器装置调整用于参数方法
  • [发明专利]编码方法及使用所述编码方法的存储器存储装置-CN201910630198.4有效
  • 连存德;谢明辉;林纪舜;张雅廸 - 华邦电子股份有限公司
  • 2019-07-12 - 2023-08-15 - G06F11/10
  • 本发明提供一种用于采用错误校正码算法的存储器存储装置的编码方法。所述存储器存储装置包括错误校正码编码器。所述编码方法包括:接收包含写入地址及写入数据的写入命令;读取现有码字;将翻转位附加到所述写入数据;由所述错误校正码编码器基于所述错误校正码算法对所述写入数据及所述翻转位进行编码以产生多个奇偶校验位,并将所述写入数据及所述翻转位附加到所述多个奇偶校验位以产生新码字;基于所选位中从所述现有码字成为所述新码字需要改变的位数目来翻转所述新码字;以及将所述新码字及经翻转的所述新码字中的一者写入到所述写入地址。另外,本发明提供一种使用所述编码方法的存储器存储装置。
  • 编码方法使用存储器存储装置
  • [发明专利]错误检查和纠正解码器-CN201810282788.8有效
  • 连存德;张雅廸 - 华邦电子股份有限公司
  • 2018-04-02 - 2022-03-08 - H03M13/15
  • 本发明提供一种错误检查和纠正(ECC)解码器用以进行BCH解码,以将码字解码为经解码数据。所述ECC解码器包括校验子产生电路、错误定位多项式电路以及解码电路。校验子产生电路可以产生对应于码字的多个校验子。错误定位多项式电路可以通过使用这些校验子进行算术运算,以产生错误定位多项式的多个系数。所述算术运算包含多个运算子,其中这些运算子中的至少一个运算子是查找表电路。解码电路可以求取具有这些系数的错误定位多项式的至少一解,以及依据错误定位多项式的所述解来纠正码字,以产生所述经解码数据。
  • 错误检查纠正解码器
  • [发明专利]具有多个1TnR结构的电阻式随机存取存储器-CN202010277840.8在审
  • 林纪舜;连存德;柳德铉;谢明辉;林小峰 - 华邦电子股份有限公司
  • 2020-04-10 - 2021-02-23 - G11C13/00
  • 本公开涉及一种具有多个1晶体管n电阻器(1TnR)结构的电阻式随机存取存储器。在一个方面中,本发明提供一种包括多个1TnR结构的电阻式随机存取存储器,所述多个1TnR结构包括第一1TnR结构,第一1TnR结构包括:第一晶体管,具有第一栅极端子、第一漏极端子及第一源极端子,第一栅极端子连接到第一字线,第一源极端子连接到源极线,其中源极线连接到所述多个1TnR结构中的每一者;以及第一个并联电阻器群组,包括第一电阻器及第二电阻器,第一电阻器与第二电阻器连接到第一漏极端子且彼此并联连接,其中第一电阻器连接到第一位线,第二电阻器连接到第二位线,且n是大于1的整数。
  • 具有tnr结构电阻随机存取存储器
  • [发明专利]存储器系统及其操作方法-CN201710446458.3有效
  • 谢明辉;连存德;林纪舜 - 华邦电子股份有限公司
  • 2017-06-14 - 2020-05-12 - G11C13/00
  • 本发明提供一种存储器系统包括非易失性存储器阵列以及存储器控制器。非易失性存储器阵列用以存储数据。存储器控制器耦接非易失性存储器阵列。在电路板装设操作施加前,存储器控制器用以提供预设写入操作以写入数据至非易失性存储器阵列。在电路板装设操作施加后,存储器控制器用以提供正常写入操作以写入数据至非易失性存储器阵列。由预设写入操作提供的读取边限大于由正常写入操作提供的读取边限。另外,一种存储器系统的操作方法也被提出。
  • 存储器系统及其操作方法

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